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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英固有名詞辞典 > さらぬま2ちょうめの解説 

さらぬま2ちょうめの英語

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日英固有名詞辞典での「さらぬま2ちょうめ」の英訳

さらぬま2ちょうめ

地名

英語 Saranuma 2-chome

丁目


「さらぬま2ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 37



例文

ファイバはさらに、1530〜1580nmの波長範囲で絶対値が0.03ps/nm^・km未満の波長分散勾配を有する。例文帳に追加

The fiber also presents dispersion having a slope of absolute value less than 0.03 ps/(nm^2 km) in the wavelength range 1530 nm to 1580 nm. - 特許庁

本発明に係るNb_3Sn超電導線は、ブロンズ法により作製され、Nb/ブロンズ1の周りにSn拡散防止用のNbバリア3を、さらにその外周に安定化銅部4を備えたNb_3Sn超電導線であり、Nb/ブロンズ1とNbバリア3との間にCu層を介在させたものである。例文帳に追加

The Nb_3Sn superconductive wire is fabricated by a bronze process, this is the Nb_3Sn superconductive wire in which an Nb barrier 3 for Sn diffusion prevention is provided around an Nb/bronze 1 and in which a stabilized copper part 4 is provided further in its outer periphery, and a Cu layer 2 is interposed between the Nb/bronze 1 and the Nb barrier 3. - 特許庁

さらに前記蒸着薄膜層(3)表面の表面固有抵抗が、50〜1000Ω/cm^2で、前記蒸着薄膜層(3)の厚さが、5〜300nmの範囲内であることを特徴とする帯電防止バリアフィルムである。例文帳に追加

Further the surface resistivity of the evaporated thin film layer (3) is 50-1,000 Ω/cm^2 and the thickness of the evaporated thin film layer (3) is within a range of 5-300 nm. - 特許庁

陰極3は、有機半導体レーザ活性層側に配置された厚さ10nm未満(好ましくは、3.0nm以下、さらに好ましくは、.5nm以下)の超薄膜MgAg層31と、第透明導電膜3とを有する積層構造膜からなる。例文帳に追加

The negative electrode 3 is made of a laminated structure film having an ultra-thin-film MgAg layer 31 having a thickness of not more than 10 nm (preferably, not more than 3.0 nm, and more preferably not more than 2.5 nm) arranged at the side of the organic semiconductor laser active layer 2; and a second transparent conductive film 32. - 特許庁

更に好ましくは、該金属窒化物膜3が、AlN及び/又はSiNを主成分とし、化学気相成長(CVD)法により、透明基板の温度を40℃以下で形成される。例文帳に追加

More preferably, the metal nitride film 3 contains AlN and/or SiN as principal components and can be deposited at a temperature of transparent substrate 2 of 40°C or less by a chemical vapor deposition (CVD) method. - 特許庁

好ましくは、上記連続焼鈍炉による歪取焼鈍は、炉内張力0N/mm^以下で行い、更に好ましくは、上記の歪取焼鈍は温度400〜750℃で行うFe−Ni系合金薄板材の製造方法である。例文帳に追加

Preferably, the stress relieving annealing by the continuous annealing furnace is performed at a furnace tension of20 N/mm^2, and, more preferably, the stress relieving annealing is performed at 400 to 750°C. - 特許庁

例文

(a)で示すように、絶縁性基板であるサファイア基板1上に、n型電極引出しのためのバッファ層となるn型GaN層を成長させ、さらに絶縁膜であるSiO_薄膜4を蒸着して開口部5を形成する。例文帳に追加

An n-type GaN layer 2 is grown as the buffer layer for extracting an n-type electrode on a sapphire substrate 1 which is an insulating substrate, and SiO_2 thin films 4 which are insulating films are vapor-deposited to form opening portions 5 as shown in (a). - 特許庁

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「さらぬま2ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 37



例文

必要に応じて、さらに、引張強さが000N/mm^2以上,剛性率が70GPa以上,加工誘起マルテンサイト量が0〜80Vol.%であることを特徴とする。例文帳に追加

The stainless steel wire, if required, further has a tensile strength of ≥2,000 N/mm^2, a rigidity of70 GPa, and a stain-induced martensite content of 20 to 80 vol.%. - 特許庁

さらに棒体部4の下端より本体部3を貫き先端部側に至る深さまで芯金11を浮きの中心に挿入固定し、錘7を該芯金11に外装せしめて収容した点に特徴がある。例文帳に追加

A core wire 11 is inserted and fixed at the center of the float from the lower end of the rod part 4 through the float body 3 to the tip part 2 and the weight 7 is attached to the core wire 11. - 特許庁

透明電極5,6は、インジウムを主成分とする被蒸発物質を用いてイオンプレーティング法によりガラス基板1,に成膜されて成り、さらに、光透過率が波長400nmで85%以上、波長350nmで70%以上である。例文帳に追加

The transparent electrodes 5, 6 are formed on the glass plates 1, 2 by ion plating method using an evaporation material containing indium as a main component, of which, the light transmission rate at the wave length of 400 nm is not less than 85%, and not less than 70% at 350 nm. - 特許庁

さらに、厚さ10±0.1mmである場合に、透過率80%で透過する光の波長が40nm以下であり、紫外域および/または可視域の光線をW・cm^-2の放射照度で10分間照射することによる透過率の劣化率が3.0%以下であることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, when the glass is 10±0.1 mm thick, the glass has 80% transmittance for light at420 nm wavelength, and the glass shows ≤3.0% deterioration rate in the transmittance by the irradiation of rays in a UV region and/or visible region at 2.2 W.cm^-2 radiation illuminance for 10 minutes. - 特許庁

フルエンスが50μJ・cm^−・パルス^−1で、パルス長が30nsの、157nm直線偏光パルスレーザビームの1000万パルスをかけた後でも低い偏光誘起複屈折を示し、あるいはさらに望ましくは、実質的に偏光誘起複屈折を示さない、約300nmより短波長で動作するリソグラフィ用途に適する石英ガラス材料を提供する。例文帳に追加

To provide an F-doped quartz glass material used in the lithographic application operating at a shorter wavelength than about 300 nm, which shows a lower polarization-induced birefringence or preferably, does not show the polarization-induced birefringence substantially even after being subjected to 10 million pulses of linearly polarized pulsed laser beam at 157 nm having a fluence of 250 μJ×cm^-2×pulse^-1 and a pulse length of 30 ns. - 特許庁

この方法の特徴は、セル・マトリックス・アレイに関連するバッファ・メモリ4を提供し、さらに所定の数(n)のメモリ・ワードを、セル・マトリックス・アレイの最後になされた読出しの後に、バッファ・メモリ4に格納するものである。例文帳に追加

The method is characterized by providing a buffer memory 4 related to the cell matrix array 2, and housing memory words to the prescribed number (n) in the buffer memory 4 after the last read-out of the cell matrix array 2. - 特許庁

更にその間隙を縫って三好長慶配下の松永久秀が大和に攻め込んで順慶を追放、越智氏らを屈服させて永禄2年(1559年)興福寺から大和国守護職の地位を奪った。例文帳に追加

Moreover, threading his way through them, Hisahide MATSUNAGA who served under Nagayoshi MIYOSHI invaded Yamato Province, sent Junkei into exile and defeated the Ochi clan and others, and thereby obtained the position of Shugoshiki of Yamato Province from Kofuku-ji Temple in 1559.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例文

清掃面が繊度6〜50dt、繊維長〜8mmの熱接着性合成繊維からなる、エアレイド法により製造された目付6〜50g/m^の表層部不織布からなり、さらに、該不織布における、下記で表される繊維末端指数(SI値)が18,000〜180,000である掃除用シート。例文帳に追加

For the sheet for cleaning, a cleaning surface is composed of the surface layer part nonwoven fabric of METSUKE(basis weight) 6-50 g/m^2 manufactured by an airlaid method, which is composed of thermobonding synthetic fibers of fineness 6-50 dt and fiber length 2-8 mm. - 特許庁

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