しきい電流密度の英語

ＧａＩｎＮＡｓ系半導体を量子井戸構造として用いた半導体素子及びその製造方法に関するもので、特に長波長帯レーザにおいて、室温でのしきい値電流密度が低く、しきい値電流密度の温度特性に優れた半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element obtained by using a GaInNAs based semiconductor as a quantum well structure and its manufacturing method, especially a semiconductor laser which is low in a threshold current density at room temperatures and is superior in temperature characteristics at the threshold current density particularly in a long wavelength band laser. - 特許庁

なお、ターフェルの式における、ηは過電圧（Ｖ）、ｉは電流密度（Ａ／ｃｍ^2 ）、α（Ｖ）及びβ（Ｖ／ｄｅｃａｄｅ）は定数である。例文帳に追加

In the Tafel's equation, η represents overvoltage (V), i represents current density (A/cm2), and α (V) and β (V/decade) are constants. - 特許庁

高い電流密度で長時間励起されても色感と輝度を損なうことなく画像表示が可能な蛍光体を得る。例文帳に追加

To obtain a phosphor which can display an image without damaging sense of color and brightness even if being excited by high current density for a long period. - 特許庁

処置部位に電流密度をより集中させて、容易かつ確実に対象組織のみを処置できる鉗子を提供すること。例文帳に追加

To provide a forceps with which only the object tissue can be treated easily and certainly by concentrating a current density at an operating section rather than at another section. - 特許庁

各スイッチ板からロータに作用する磁束密度を等しくしてロータの温度分布を均一にできる渦電流式減速装置を提供する。例文帳に追加

To provide an eddy-current reduction gear capable of making the temperature distribution of a rotor uniform by equalizing flux density working on the rotor from respective switch boards. - 特許庁

▲５▼再び、抵抗上昇により電流密度の低下が起これば、上記の電圧印加方式を繰り返す。例文帳に追加

[5] When the lowering of the current density occurs due to the increase of the resistance again, the voltage applying system is repeated. - 特許庁

短絡電流密度が大きく、耐久性に優れる色素増感光電変換素子および光電池を提供する。例文帳に追加

To provide a pigment sensitivity-increasing photoelectric transducer and a photocell in which short-circuit current density is high and durability is superior. - 特許庁

半導体電極の色素担持量を増加させ、光電変換効率の向上、及び電流密度の向上を図った光電変換素子を作製する。例文帳に追加

To manufacture a photoelectric conversion element with photoelectric conversion efficiency and current density improved by increasing a dye-carrying quantity of a semiconductor electrode. - 特許庁