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しそうとらんじすたーの英語
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「しそうとらんじすたー」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 718件
MOSトランジスタおよび該MOSトランジスタを用いた電子装置例文帳に追加
MOS TRANSISTOR AND ELECTRONIC DEVICE USING THE MOS TRANSISTOR - 特許庁
有機薄膜トランジスタ絶縁層用樹脂組成物をオーバーコート層に用いることを特徴とした有機薄膜トランジスタ。例文帳に追加
An organic thin film transistor is also provided using the resin composition as an overcoat layer. - 特許庁
バイポーラトランジスタ及びその製造方法ならびに電子装置例文帳に追加
BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE - 特許庁
点火装置のパワースイッチング素子は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)15である。例文帳に追加
A power switching device for the ignitor is an insulating gate type bipolar transistor(IGBT) 15. - 特許庁
電子素子並びにそれを使用するダイオード、トランジスタ及びサイリスタ例文帳に追加
ELECTRONIC ELEMENT, AND DIODE, TRANSISTOR AND THYRISTOR USING THE SAME - 特許庁
第3トランジスタM3および第4トランジスタM4はカレントミラー回路を構成し、それらの各ドレイン端子は、それぞれ第1トランジスタのドレイン端子および第2トランジスタのドレイン端子に接続される。例文帳に追加
A third transistor M3 and a fourth transistor M4 constitute a current mirror circuit, and their drain terminals are respectively connected to the drain terminal of the first transistor and the drain terminal of the second transistor. - 特許庁
そして、センスノードN1には第1トランジスタT1と高電位電源Vdd1との間に逆導電チャネル型の第2トランジスタT2(Pチャネル型MOSトランジスタ)を接続し、その第2トランジスタT2をリセット信号Φr1によりオン・オフ制御するようにした。例文帳に追加
Then, in the sense node N1, an inverse conductive channel type second transistor T2 (p-channel MOS transistor) is connected between the first transistor T1 and a high-potential power source Vdd1, and the second transistor T2 is on/off-controlled by a reset signal Φr1. - 特許庁
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「しそうとらんじすたー」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 718件
サーバは、各閲覧者毎の閲覧履歴を管理し、その閲覧履歴を登録者の要求に応じて登録者用の端末装置に表示する。例文帳に追加
The server manages the browsing history of each user and displays the browsing history on a registrant's terminal device according to the registrant's request. - 特許庁
また、SRAM部SPの周辺回路PPは、ランダムロジック部にはPTI構造を採用し、そのMOSトランジスタはPDSOI−MOSトランジスタとしてボディ固定される構成となっている。例文帳に追加
Furthermore, the peripheral circuit PP of the SRAM portion SP has a PTI structure in the random logic portion, and its MOS transistor is constituted to be body-fixed to a body as a PDSOI-MOS transistor. - 特許庁
比較回路30は、定電流源3-2と、2個のトランジスタQ2,Q3とで構成され、トランジスタQ1のベース電圧と基準電圧V_refとを比較し、その大小に応じてトランジスタQ2のベース電流を変化させる。例文帳に追加
A comparator circuit 30 is constituted of a constant current source 3-2 and two transistors Q2 and Q3, compares the base voltage of the transistor Q1 with a reference voltage V_ref and changes the base current of the transistor Q2 corresponding to the size. - 特許庁
4トランジスタSRAMを構成するMOSトランジスタの内、一部のトランジスタのゲート絶縁膜を高誘電体膜とし、そのV−I特性に履歴を有するごとくに構成する。例文帳に追加
A high dielectric film is employed for gate insulation films of parts of transistors among MOS transistors configuring the 4-transistor SRAM, and the V-I characteristic of the parts of the transistors is configured to have a history. - 特許庁
ゲートドライバ集積回路は、パワートランジスタ非飽和を検出し、ソフトシャットダウンシーケンスを介する非飽和トランジスタのなだらかなターンオフによって、非飽和になったトランジスタを過渡過剰電圧から保護する。例文帳に追加
The gate drive integrated circuit detects power transistor non-saturation and protects a non-saturated transistor from a transitional excessive voltage by gently turning off a non-saturated transistor via a soft shut-down sequence. - 特許庁
抽出したホームページ情報の中からキーワードを用いて目的とするホームページ情報に絞り、その一覧表を表示し、その一覧表の中から閲覧したいホームページを選択させ、そのホームページを表示する。例文帳に追加
A keyword is used to narrow down the extracted home page information to objective home page information and displays a list of this information and allows the user to select a home page which the user wants to browse, from the list and displays this home page. - 特許庁
出力ドライバを構成するPMOSトランジスタMP1およびNMOSトランジスタMN1を、高耐圧用ではなく通常のMOSトランジスタとし、それらMOSトランジスタのドレインと外部端子17との間に抵抗20を挿入す。例文帳に追加
A normal transistor(TR), not a high breakdown voltage TR, is employed for a PMOS TR MP1 and an NMOS TR MN1 configuring an output driver and a resistor 20 is inserted between drains of the MOS TRs and an external terminal 17. - 特許庁
N型トランジスタ11およびP型トランジスタ12は、所定のオフセット電位Vofsを保つように動作し、その出力であるノードn1が変動すると、N型トランジスタ15およびP型トランジスタ16によって定まるノードn2の電位によってP型トランジスタ13またはN型トランジスタ14に対してフィードバック制御する。例文帳に追加
An N type transistor 11 and a P type transistor 12 are operated to keep a prescribed offset potential Vofs, and when a level of a node n1 being an output point of the transistors is fluctuated, a potential level of a node n2 depending on an N type transistor 15 and a P type transistor 16 applies feedback control to a P type transistor 13 or an N type transistor 14. - 特許庁
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