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しふっかけいその英語
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「しふっかけいそ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 31件
フッ化ケイ素としては四フッ化ケイ素、ヘキサフルオロケイ酸が好ましく、リン酸としてはオルトリン酸、メタリン酸、ポリリン酸が好ましい。例文帳に追加
The silicon fluoride is preferably silicon tetrafluoride and hexafluorosilicic acid, and phosphoric acid is preferably orthophosphoric acid, metaphosphoric acid and polyphosphoric acid. - 特許庁
フッ化水素酸あるいはフッ化水素は、ガラスと反応して四フッ化ケイ素と水になる。例文帳に追加
Hydrofluoric acid or hydrogen fluoride reacts with glass to form silicon tetrafluoride and water. - 特許庁
珪素とフッ化水素との反応で生成した四フッ化珪素ガス中に含有するリン、ヒ素を除去するため該四フッ化珪素ガスを珪素と接触させるに際し、３００〜８００℃の範囲で、（Ｖ／Ｑ）≧ｋの条件で珪素と該四フッ化珪素ガスを接触させる。例文帳に追加
When silicon tetrafluoride gas is brought into contact with silicon to remove phosphorus and arsenic contained in the silicon tetrafluoride produced by the reaction of hydrogen fluoride with silicon, the contact of the silicon tetrafluoride gas with silicon is performed at 300-800°C under a condition of (V/Q)≥k. - 特許庁
フッ化金属類を使用した四フッ化ケイ素の除去方法および回収方法例文帳に追加
REMOVAL AND RECOVERY OF SILICON TETRAFLUORIDE BY USE OF METAL FLUORIDES - 特許庁
珪素とフッ化水素をで反応させて四フッ化珪素を製造するにおいて、四フッ化珪素を固化させた容器内に１０ｋＰａ以上の圧力のヘリウムガスを満たし、続いて該容器を１ｋＰａ以下の圧力まで排気する。例文帳に追加
When silicon tetrafluoride is produced by reacting silicon with hydrogen fluoride, a container in which silicon tetrafluoride has been solidified is filled with gaseous helium under ≥10 kPa pressure and then evacuated to ≤1 kPa pressure. - 特許庁
四フッ化珪素中に含まれる不純物であるリン、ヒ素を除去するために、珪素（Ｓｉ）、またはゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一つの金属と３００℃以上の温度で接触させ、さらには、四フッ化珪素中に１ｖｏｌ％以上の水素を含有させる。例文帳に追加
Phosphorus and arsenic which are impurities contained in silicon tetrafluoride are removed by bringing the silicon tetrafluoride into contact with at least one of a metal selected from silicon (Si) or germanium (Ge) at ≥300°C and further adding ≥1 vol.% water into the silicon tetrafluoride. - 特許庁
二フッ化カルボニル中に含まれる四フッ化珪素を、クリーニングの終点の判断に影響しない程度の量まで低減する。例文帳に追加
To provide a method of reducing silicon tetrafluoride contained in carbonyl difluoride to a quantity as low as it will not affect in judging the end point of cleaning. - 特許庁
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「しふっかけいそ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 31件
フッ化珪素（Ｓｉ_2 Ｆ_6 ）を製造する場合の歩留りを高めることが可能なヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_2 Ｃｌ_6 ）を製造する。例文帳に追加
To produce hexachlorodisilane (Si_2Cl_6) with which the yield in the production of silicon fluoride (Si_2F_6) is improved. - 特許庁
エレクトロニクス分野、光学分野等で使用される高純度四フッ化珪素の精製法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for refining high purity silicon tetrafluoride used in the electronics field, the optical field, and the like. - 特許庁
エレクトロニクス分野、光学分野等で使用される高純度四フッ化珪素の製造法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing high purity silicon tetrafluoride used in an electronics field or an optical field or the like. - 特許庁
四フッ化珪素と二フッ化カルボニルを含む混合ガスをガス状態または超臨界状態において６０℃〜２５０℃で金属フッ化物と接触させることにより四フッ化珪素を除去することを特徴とする二フッ化カルボニルの精製方法。例文帳に追加
In this refining method of carbony difluoride, silicon tetrafluoride is removed by contacting a gas mixture containing the silicon tetrafluoride and the carbony difluoride with a metal fluoride in a gaseous state or a supercritical state at 60-250°C. - 特許庁
従ってスート１をフッ化水素雰囲気に保持すると、スート１の表面から内部に拡散したフッ化水素がスートのガラスと反応して四フッ化ケイ素が生じる。例文帳に追加
Then, if soot 1 is held in a hydrogen fluoride atmosphere, the hydrogen fluoride diffused from the surface into the inside of the soot 1 reacts with the glass of the soot and produces the silicon tetrafluoride. - 特許庁
ただし、Ｖは、珪素を充填した部分の容器の容積［リットル］を、Ｑは、該四フッ化珪素ガス生成ガスの流量［Ｎリットル／分］を、ｋは、ｋ＝１８／（ｄ−２９１）＋０．０４で定義され、ｄは、温度［℃］をそれぞれ表す。例文帳に追加
Where, V represents the volume (L) of a part of a vessel where silicon is filled; Q represents the flow rate (NL/min) of the produced silicon tetrafluoride gas; (k) is defined by k=18/(d-291)+0.04 and (d) represents a temperature (°C). - 特許庁
次いで、管路９のバルブ８を開いて、ガス充填容器３から反応容器２の内部にフッ化水素ガス７を送給し、気相の四フッ化ケイ素２５を生成する。例文帳に追加
A valve 8 on a line 9 is opened, and hydrogen fluoride gas 7 is fed from a gas filled vessel 3 into the reaction vessel 2, and silicon tetrafluoride 25 in gas phase is produced. - 特許庁
その供与分子は正に荷電した銅を金属銅に還元し、バリア層表面でフッ素と反応して揮発性フッ化ケイ素を生成し、それにより拡散バリア層と銅膜間の付着力を促進する、きれいな界面層を形成する。例文帳に追加
Thereby, the adhesion between the diffusion barrier layer and the copper film is accelerated and a clean interface layer can be formed. - 特許庁
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