しゅうかきしりるの英語

前記ポート１１，及び，前記シリンダの外周面２ａのうち少なくとも前記ポート開口部の全周を囲う部分を，前記シリンダブロックを鋳造するときに，前記ポート用中子型Ｇと前記シリンダの外周面を形成する外型Ａ１とを一体にして成る鋳物型を使用して形成する。例文帳に追加

At least a section surrounding the whole circumference of the port opening of the port 11 and the outer circumference surface 2a of the cylinder is formed by using a casting die having the core die G for the port and an external die A1 forming the outer circumference surface of the cylinder integrated during casting of the cylinder block. - 特許庁

生物学的試料は、動物から直接収集され、いずれの中間の処理または取扱いなしに、すぐに遺伝子誘導阻止剤と混合される。例文帳に追加

The biological sample is collected directly from the animal and immediately mixed with the gene induction blocking agent without any intermediate processing or handling. - 特許庁

液圧シリンダ７に不具合が生じた場合には、液圧シリンダ７を単独で分解修理又は交換する。例文帳に追加

When a trouble occurs in the hydraulic cylinder 7, the hydraulic cylinder 7 is independently disassembled and repaired or replaced. - 特許庁

商品・サービスの購入時に発行される領収書情報を通信ネットワークを介して集計・蓄積し、利用者端末へ配信する。例文帳に追加

To totalize and store receipt information, which is issued at the time of purchase of commodities or services, through a communication network to deliver it to a user terminal. - 特許庁

前記障害パターンと対応する資料ＩＤ及びコマンドを含む定義ファイル１４６が、管理システム２００に送信され、追加収集すべき資料があればユーザシステム１００で追加の資料収集が実行される。例文帳に追加

A definition file 146 including the material ID and the command corresponding to the failure pattern is transmitted to a management system 200, and the additional material collection is executed in a user system 100 when there is the material to be additionally collected. - 特許庁

ビット長のカウンタを備えた非同期式シリアルデータ伝送用の集積回路例文帳に追加

INTEGRATED CIRCUIT FOR ASYNCHRONOUS SERIAL DATA TRANSFER WITH BIT LENGTH COUNTER - 特許庁

押圧ブロック２１ａの外周面のうちで前記シリンダ部２０の外端開口側の端部に小径段部２７を、全周に亙って形成する。例文帳に追加

A small-diameter step part 27 is formed on the entire perimeter of an end on the outer end opening side of the cylinder part 20, on the outer peripheral surface of the pressing block 21a. - 特許庁

このとき、シリコン基板１１の周辺部１１ｂにあるレジスト膜に周辺リンス又は周辺露光を施さないことから、周辺部１１ｂの素子分離層１２が残る。例文帳に追加

In this case, since a peripheral rinsing or peripheral exposure is not applied to the resist film on a peripheral portion 11b of the silicon substrate 11, the element isolation layer 12 of the peripheral portion 11b remains. - 特許庁