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すふぃんごりぴどーしすの英語

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ライフサイエンス辞書での「すふぃんごりぴどーしす」の英訳

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「すふぃんごりぴどーしす」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 87



例文

Mg_XZnOは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるpn接合を持たない。例文帳に追加

The Mg_XZnO is transparent against visible light and does not have pn junction by impurity doping. - 特許庁

不純物を高い加速電圧で低濃度にイオンドーピングして、活性層5のLDD領域14,15となる部分のみをドーピングする。例文帳に追加

Only the regions of the active layer 5 that are to be the LDD regions are doped by ion-doping an impurity at a low concentration with a high acceleration voltage. - 特許庁

アモルファスカーボンは、水素濃度が5〜30%(atm)であり、ドーピング元素を含有している。例文帳に追加

Amorphous carbon has a hydrogen concentration of 5 to 30% (atm) and contains a doping element. - 特許庁

ある別の実施の形態において、ODドープトシリカガラスが約5000質量ppm未満のフッ素を含む。例文帳に追加

In another embodiment, the OD-doped silica glass contains fluorine of less than about 5,000 mass ppm. - 特許庁

RRAMに適用出来るドープされたPCMO薄膜層の形成方法であって、その中に遷移金属添加物を有するPCMO前躯体溶液を準備する工程と、ドープされたPCMOスピンコーティング溶液をウェハ表面上にスピンコーティングし焼成後アニーリングする工程と、前記スピンコーティングを複数回繰り返す工程と、さらにアニーリングする工程とを含む。例文帳に追加

The forming method of the doped PCMO thin-film layer which can be applied to RRAM and includes a process that prepares a PCMO precursor solution having a transition metal additive in it, a process that spin-coats a doped PCMO spin coating solution onto a wafer surface and anneals the same after sintered, a process that repeats spin coating several number of times and a process that further performs annealing. - 特許庁

さらにある別の実施の形態において、ODドープトシリカガラスが約50質量ppb未満のNaを含む。例文帳に追加

Furthermore, in another embodiment, the OD-doped silica glass contains Na of less than about 50 mass ppb. - 特許庁

例文

フィルムの外層を形成する支持体面用ドープ59及びエアー面用ドープ64の流延温度(34℃)における粘度V1,V2が45Pa・s,45Pa・sとなるように調整する。例文帳に追加

The viscosities V1 and V2 at a casting temperature (34°C) of the dope 59 and the dope 64 forming the outer layer of the film are adjusted to be 45 Pa s and 45 Pa s, respectively. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「すふぃんごりぴどーしす」の英訳

スフィンゴリピドーシス


「すふぃんごりぴどーしす」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 87



例文

BCl_3(三塩化ボロン)などのボロンを含有する化合物を含んだ材料ガス中でのCVD成長により、ボロンを含んだドープトポリシリコン層PS2を形成することで、領域PRにおけるゲート電極11が除去された後の開口部にドープトポリシリコン層PS2を充填する。例文帳に追加

By CVD growth performed in material gas containing such a compound containing boron as BCl_3 (boron trichloride), a doped polysilicon layer PS2 containing boron is so formed as to fill the doped polysilicon layer PS2 into an opening obtained after removing a gate electrode 11 in a region PR therefrom. - 特許庁

DPF1の触媒層7に、Ce酸化物及びPr酸化物各々の少なくとも一部が互いに固溶し、Ptの一部が粒子表面に分散して露出しているPtドープCePr系複合酸化物粒子を含有せしめる。例文帳に追加

Pt-doped CePr-based composite oxide particles are contained in the catalyst layer 7 of DPF1, in which at least part of each of a Ce oxide and a Pr oxide is incorporated into solid solution with each other, and in which one part of Pt is dispersed and exposed on the surface of the particles. - 特許庁

カイコのシルクフィブロインのドープと、ポリオキシ酸及び多糖類から選ばれた少なくとも1種の生分解性素材のドープとからなるシルク複合ドープを用いてエレクトロスピニングすることにより製造する。例文帳に追加

The composite nanofiber is produced by electrospinning by using a silk-composite dope comprising a dope of the silkworm silk fibroin, and a dope of at least one kind of the biodegradable material selected from the polyoxy acid and the polysaccharides. - 特許庁

ZnにY_2O_3をドーピングしてZnメタルターゲットを作製し、このZnメタルターゲットを用いて、ArとN_2の混合ガス雰囲気中で、RFマグネトロンスパッタによりサファイア基板上にZnO膜を成膜する。例文帳に追加

The ZnO film is formed on the sapphire substrate by magnetron sputtering in an atmosphere of Ar and N_2 mixed gas using a Zn metal target which is obtained by doping Zn with Y_2O_3. - 特許庁

本発明による窒素ドープメソポーラスカーボン(N−KIT−6)は、空間群が、立方晶Ia3dであり、sp2炭素に結合する窒素原子と、グラファイトメソポーラスカーボンに結合する窒素原子とを有することを特徴とする。例文帳に追加

The nitrogen-doped mesoporous carbon (N-KIT-6) has a space group being cubic Ia3d and contains nitrogen atom bound to sp2 carbon and nitrogen atom bound to graphite mesoporous carbon. - 特許庁

キースイッチ実装部10は、FPC13と、FPC13の端部上に搭載されたLED12と、FPC13の上方に配置され、上方に凸のドーム部Rdを有するドーム支持シート19と、ドーム支持シート19に付設されたメタルドーム18と、入力キー11を支持するラバーシート15と、各部材を支持する固定支持板21とを備えている。例文帳に追加

A key switch mounting section 10 comprises an FPC 13, an LED 12 mounted on an end of the FPC 13, a dome support sheet 19 arranged above the FPC 13 and having a convex dome section Rd at an upper part, a metal dome 18 attached on the dome support sheet 19, a rubber sheet 15 for supporting input keys 11, and a fixed support plate 21 for supporting respective members. - 特許庁

内部に電極が設けられ、封入物を含有するアーク放電容器は、Y_2O_3、Sc_2O_3、Dy_2O_3、Tb_2O_3又はこれらの混合物を5ppm以上含有することを条件として、以下のドーパントを以下の比率(ppm)で含有するアルミナからなる。例文帳に追加

An arc discharge container in which an electrode is installed inside, and which contains encapsuled material is composed of alumina to contain following dopants in the following ratios (ppm) under conditions that it contains Y2O3, Sc2O3, Dy2O3, Tb2O3 or these mixture in 5 ppm or more. - 特許庁

例文

増幅器10は、光信号を伝送する光導波路11と、伝送される光信号を増幅するための、導波路内の希土類ドープ増幅領域12と、増幅領域を光ポンピングするポンピング源13と、温度依存性損失フィルタ14とを有する。例文帳に追加

The amplifier 10 includes an optical waveguide 11 for transmitting an optical signal, rare-earth doped amplifying regions 12A and 12B in the optical waveguide 11 for amplifying the transmitted optical signal, pumping sources 13a and 13B for carrying out the optical pumping of the amplifying regions 12A and 12B, and the temperature-dependent loss filter 14. - 特許庁

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