せきさんたいせきけいの英語

高−ｋ材料の触媒補助ケイ酸塩の堆積方法例文帳に追加

METHOD FOR DEPOSITING CATALYST AUXILIARY SILICATE OF HIGH-k MATERIAL - 特許庁

基板２３上に形成した堆積膜３３を剥離する方法において、カーボン薄膜３４を介して、堆積膜３３を基板２３上に形成する。例文帳に追加

In the method for peeling the deposited film 33 formed on the substrate 23, the deposited film 33 is formed on the substrate 23 across a carbon thin film 34. - 特許庁

測距モジュール３には、距離の加算、好適には、距離の減算、面積計算、体積計算を含む他の計算機能を有する計算手段４を設ける。例文帳に追加

Also the ranging module 3 is provided with a computing means 4 which contains other computing functions including addition of metric, preferably subtraction of metric, area calculation and volume calculation. - 特許庁

より好ましくは、パッド３０は、５〜３５体積％の炭化ケイ素を含む。例文帳に追加

Preferably, the pad 30 contains 5 to 35 volume % of silicon carbide. - 特許庁

そして，堆積絶縁層２３の上部に導体を堆積することでゲート電極２２を形成する。例文帳に追加

A conductor is deposited on the deposited insulating layer 23 to form a gate electrode 22. - 特許庁

変形形状Ｔと変形前後の排除体積Ｖを算出し、（直前の排除体積Ｖ）／（１つ前の変形処理における排除体積Ｗ）の比を求める。例文帳に追加

A deformed shape T and excluded volume V before and after the deformation are calculated to find the ratio of (preceding excluded volume V)/(excluded volume W in one previous deformation processing). - 特許庁

中間層１０の体積Ｖ２とカバー６の体積Ｖ３との合計（Ｖ２＋Ｖ３）は、１０．０ｃｍ^３以下である。例文帳に追加

The total (V2+V3) of the volume V2 of the intermediate layer 10 and the volume V3 of the cover 6 is 10.0 cm^3 or less. - 特許庁

体積値テーブル演算部３２は、サンプル点の座標などに基づいて、三次元極座標系における１フレーム分のサンプル点の体積を算出して体積値テーブル３４に保存する。例文帳に追加

A volume value table computing section 32 stores the volumes of sample points of one frame in the three-dimensional polar coordinate system based on the coordinates of the sample points. - 特許庁