その場エッチングの英語

過酸化水素水を含むエッチング液により銅を含む金属層を有する基板をエッチング処理する場合に、エッチング液中の過酸化水素の異常分解が原因となってエッチング液の漏洩や飛散が起こり装置が破損することを防止できる装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus which can be prevented from being broken by the leakage or the splashing of an etchant caused by abnormal decomposition of hydrogen peroxide in the etchant when etching a substrate having a metallic layer containing copper by the etchant containing hydrogen peroxide solution. - 特許庁

エッチングによってこの構造を基板から取り出すことができ、またはその場で使用することができる。例文帳に追加

The structure can be taken out of the substrate by etching, or can be used in a site. - 特許庁

残存フォトレジスト及び残留側壁パッシベーションを除去する、その場でのポストエッチング工程例文帳に追加

IN-SITU POST ETCH PROCESS TO REMOVE REMAINING PHOTORESIST AND RESIDUAL SIDEWALL PASSIVATION - 特許庁

それらが一致した場合には、その判断時をエッチング処理の終点とする。例文帳に追加

When they agree with each other, the time when the judgement is performed is adopted as the end point of the etching. - 特許庁

半導体基板上に被エッチング層を形成し、その被エッチング層上に非晶質炭素膜を形成するとき、被エッチング層に引張応力が発生している場合は非晶質炭素膜に圧縮応力が発生するようにしてその非晶質炭素膜を形成する。例文帳に追加

In forming an etched layer on a semiconductor substrate and forming the amorphous carbon film on the etched layer, when the etched layer has a tensile stress, the amorphous carbon film is formed so that a compressive stress may be generated in the amorphous carbon film. - 特許庁

リン酸及びヘキサフルオロケイ酸塩を含んでなる窒化ケイ素のエッチング用組成物、或いはリン酸、アンモニア、ヘキサフルオロ珪酸及び／又はその塩を含んでなるエッチング用組成物では、高温で用いた場合、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が長期間安定に維持される。例文帳に追加

Regarding the etching composition of silicon nitride containing phosphoric acid and hexafluorosilicate or the etching composition containing phosphoric acid, ammonia, hexafluorosilicic acid or its salt, when it is used at the high temperature; the etching selection ratio of silicon nitride to silicon oxide is maintained stably for a long time. - 特許庁

熱反応型レジスト材料として銅の酸化物を用いてレーザー光で露光した場合、特に、ＣｕＯ(ＩＩ)を熱反応型レジスト材料として、その露光・未露光部を選択的にエッチングすることのできる酸化銅用エッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an etchant for copper oxide and an etching method, wherein when copper oxide, particularly CuO (II), as a thermal reaction type resist material is exposed to a laser beam, the etchant can selectively etch the exposed and unexposed parts thereof. - 特許庁

Ｚ板からなる水晶基板にＺ軸方向へウェットエッチングを施す場合、その異方性により、水晶基板の結晶面で、ウェットエッチングの進行具合が極端に遅くなるが、さらにウェットエッチングをしても溝部に貫通しせずに、所望の形状である溝部を得ること。例文帳に追加

To provide a piezoelectric vibration piece which has a groove of a desired shape without penetrating the groove in wet-etching, even though when wet-etching a crystal substrate made of a Z plate in the Z-axis direction the progress of wet-etching can be extremely slow on the crystal surface of the crystal substrate because of the anisotropy. - 特許庁