たいせきざひょうの英語

この発明による３次元ＣＡＤシステムにおいては、直線座標、面積座標又は体積座標パラメータを用いて基本図形要素（ＰＬ，ＬＬ，ＳＬ，ＶＬ）が設定され、設定された複数の基本図形要素を連続的に繋ぎ合わせて基本図形が生成される。例文帳に追加

This three-dimensional CAD system sets basic figure elements (PL, LL, SL, and VL) by using straight line coordinates, area coordinates, or volume coordinate parameters and connects the set basic figure elements continuously to generate a basic figure. - 特許庁

グルーブが形成された光学機材は、光学機材の上部に配置された拡散板と光学機材が形成する間隔をより狭くしてバックライトアセンブリー及び表示装置の体積を大きく減少させ、光学機材から出射された光の輝度均一性を向上させ、表示装置から発生された画像の表示品質を向上させる。例文帳に追加

The optical equipment with the grooves formed greatly reduces volumes of the backlight assembly and the display device by further narrowing spaces formed by the diffusion plate arranged at the upper part of the optical equipment and the optical equipment, improves the uniformity of the brightness of light irradiated from the optical equipment, and improves the display quality of images generated by the display device. - 特許庁

ねじ軸の外周面およびナットの内周面は、表層部の残留オーステナイト量が２０体積％以上４５体積％以下であり、表層部のビッカース硬さ（Ｈｖ）が前記残留オーステナイト量（γ_R 、単位：体積％）との関係で下記の（１）式を満たす。例文帳に追加

In an outer periphery surface of a screw shaft and an inner periphery surface of a nut, the amount of remaining austenite at a surface portion is at least 20 volume% and not more than 45 volume%. - 特許庁

有機電子デバイスの形成方法は、溶融生成物を形成するために堆積材料を加熱、加圧する工程と、溶融した堆積材料を相変化印刷技術あるいはスプレイ技術を用いて表面に堆積する工程とを含む。例文帳に追加

The forming method of the organic electronic device includes a process in which the deposition materials are heated and pressurized in order to form molten products and a process in which the molten deposition materials are layered on the surface using a phase-change printing technology or spraying technology. - 特許庁

プラズマを利用した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品において，半導体製造装置用部品１は，カーボン材料よりなる基材１１と，基材１１の表面にＣＶＤ法により形成された炭化珪素よりなる皮膜１２とからなる。例文帳に追加

The parts 1 for the semiconductor manufacturing apparatus making use of the plasma comprises a base member 11 formed of carbon and a film 12 made of silicon carbide formed by a CVD method on the surface of the base member 11. - 特許庁

プラズマを利用した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品１において，半導体製造装置用部品１は，カーボン材料よりなる基材１１と，基材１１の表面にＣＶＤ法により形成された炭化珪素よりなる皮膜１２とからなる。例文帳に追加

A part 1 which is used for a semiconductor manufacturing machine that uses a plasma comprises a base material 11 of carbon material, and a coat 12 of silicon carbon formed on the surface of base material 11 by a CVD method. - 特許庁

プラズマを利用した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品において，半導体製造装置用部品１は，炭化珪素焼結体よりなる基材１１と，基材１１の表面にＣＶＤ法により形成された炭化珪素よりなる皮膜１２とからなる。例文帳に追加

A component 1 which is used for a semiconductor manufacturing machine that used plasma comprises a base material 11 comprising silicon carbide sintered body, and a coat 12 of silicon carbide formed on the surface of base material 11 by a CVD method. - 特許庁

プラズマを利用した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品１において，半導体製造装置用部品１は，カーボン材料よりなる基材１１と，基材１１の表面にＣＶＤ法により形成された炭化珪素よりなる皮膜１２とからなる。例文帳に追加

A part 1 used for a semiconductor manufacturing machine that uses plasma comprises a base material 11 of carbon material, and a coat 12 of silicon carbide formed on the surface of base material 11 by a CVD method. - 特許庁