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だけおんせん1ちょうめの英語
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該当件数 : 5件
センサ取り付け凹部10a,10bには、超音波の送受信面2ap,2bpの全部が流路1から少なくとも距離Hだけ離れたところに位置するように超音波センサ2a,2bが取り付けられている。例文帳に追加
Ultrasonic sensors 2a, 2b are attached to the sensor attaching recesses 10a, 10b to be positioned in a place where all of ultrasonic transmitting and receiving faces 2ap, 2bp are separated by at least a distance H from the flow passage 1. - 特許庁
室温での熱膨張係数の絶対値が6×10^-7/K以下、嵩密度95%以上、体積抵抗率が1×10^12Ωcm以上1×10^14Ωcm未満であり、実質的に単相からなる材料を誘電体部とすることを特徴とする静電チャックである。例文帳に追加
The electrostatic chuck has a dielectric part composed of a material which is substantially a single-phase material and has the absolute value of the thermal expansion coefficient at room temperature of 6×10^-7/K or lower, bulk density of 95% or higher, and volume resistivity of 1×10^12 Ωcm or higher and lower than 1×10^14 Ωcm. - 特許庁
MBEを用いて清浄な(0001)表面を持つ基板1上に低温InNバッファ層2を堆積し、このバッファ層2の上に結晶成長軸が基板1の法線方向に対し数度だけ傾いたInN層3を成長させ、このInN層3に基板1の法線方向からイオン注入する。例文帳に追加
A low-temperature InN buffer layer 2 is deposited on a substrate 1 having a clean surface (0001) employing MBE, and an InN layer 3 with crystal growing axis slanted by several degrees with respect to the normal line direction of the substrate 1 is grown on the buffer layer 2 while the ion is implanted into the InN layer 3 from the normal line direction of the substrate 1. - 特許庁
予めシリコンウェーハB、Cの内部に1×10^3個/cm^2以上のバルク積層欠陥cを形成させるので、後のウェーハ製造工程での各高温熱処理時に発生するスリップbだけでなく、デバイス工程における各高温熱処理中のスリップbに対する伸長も抑制できる。例文帳に追加
Since bulk stacking faults c of at least 1×10^3 piece/cm^2 are previously formed in silicon wafers B, C, not only slip b generated at the time of each high temperature thermal treatment in the later wafer manufacturing process, but also expansion to slip b in each high temperature thermal treatment in the device process, can be restrained. - 特許庁
水素吸蔵合金粉末100質量部と、結着剤としてのポリエチレンオキサイド(PEO)1質量%と水とを混合してスラリーを調製した後、ニッケルメッキを施したパンチングメタルからなる芯体の両面に所定量だけ塗着し、室温で乾燥した後、所定の寸法に切断して、スラリー充填極板Xを作製した。例文帳に追加
100 wt part of the powders of hydrogen absorbing metal alloys and 1 wt.% of polyethylene oxide as a binder, with water are mixed into a slurry, then coated on both sides of core body of a punched metal plated with nickel, dried, and cut to make the slurry filling electrode plate X. - 特許庁
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