だけおんせん３ちょうめの英語

空気環境測定機材４ａで得られた測定データをメディア媒体、あるいはケーブルを介して、空調装置７ａに供給するとともに、この測定データと温度センサ３で得られる測定温度との差分を算出し、その差分だけ温度センサ３の測定温度を補正して空調を実行する。例文帳に追加

Measurement data obtained by an air environment measuring instrument 4a are supplied to an air conditioning apparatus 7a through a medium or a cable, and a difference between the measurement data and a measured temperature obtained by the temperature sensor 3 is calculated to correct the measured temperature of the temperature sensor 3 by only an amount of the difference and perform air conditioning. - 特許庁

ＭＢＥを用いて清浄な（０００１）表面を持つ基板１上に低温ＩｎＮバッファ層２を堆積し、このバッファ層２の上に結晶成長軸が基板１の法線方向に対し数度だけ傾いたＩｎＮ層３を成長させ、このＩｎＮ層３に基板１の法線方向からイオン注入する。例文帳に追加

A low-temperature InN buffer layer 2 is deposited on a substrate 1 having a clean surface (0001) employing MBE, and an InN layer 3 with crystal growing axis slanted by several degrees with respect to the normal line direction of the substrate 1 is grown on the buffer layer 2 while the ion is implanted into the InN layer 3 from the normal line direction of the substrate 1. - 特許庁

嵩密度が０．７ｇ／ｃｍ^３以上となるように黒鉛シート１１の嵩密度を調整した上でめっきを施した場合には、黒鉛粉末間に浸透しためっき液の膨張等の悪影響を除去でき、高温における剥離やボイドの発生が抑止できる。例文帳に追加

An adverse influence such as expansion of plating liquid infiltrating among the graphite powders can be eliminated and the generation of peeling or voids at high temperatures can be prevented in the case of applying plating upon adjusting the bulk density of the graphite sheet 11 such that the bulk density becomes 0.7 g/cm^3 or more. - 特許庁

御影石（花崗岩）を粉砕粒子とした骨材に耐水圧強度６００ｋｇｆ／ｃｍ^２以上で、嵩比重０．３〜０．５ｇ／ｃｍ^３、且つ融点１５００℃以上のセラミック微細中空粒子と合成樹脂エマルジョンを主構成組成物として石目調マイナスイオン発生断熱塗材を作製する例文帳に追加

The thermally insulative coating material giving stone grain pattern and generating negative ion mainly comprises a synthetic resin emulsion, ceramic fine hollow particles of a water resistant strength of ≥600 kgf/cm^2, a bulk density of 0.3-0.5 g/cm^3 and a melting point of ≥1,500 °C and finely ground particles of granite. - 特許庁

予めシリコンウェーハＢ、Ｃの内部に１×１０^３個／ｃｍ^２以上のバルク積層欠陥ｃを形成させるので、後のウェーハ製造工程での各高温熱処理時に発生するスリップｂだけでなく、デバイス工程における各高温熱処理中のスリップｂに対する伸長も抑制できる。例文帳に追加

Since bulk stacking faults c of at least 1×10^3 piece/cm^2 are previously formed in silicon wafers B, C, not only slip b generated at the time of each high temperature thermal treatment in the later wafer manufacturing process, but also expansion to slip b in each high temperature thermal treatment in the device process, can be restrained. - 特許庁

アセチレンブラック原粉をイオン交換水で造粒されたものであり、灰分が１００ｐｐｍ以下、ＪＩＳ Ｋ ６２２１による粒硬度が５ｇ／個以上、嵩密度が０．２ｇ／ｃｍ^３ 以上、粗粒分が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする、粉だちの少ない粒子状アセチレンブラック。例文帳に追加

The granulated acetylene black with reduced dusting is obtained by granulating an acetylene black raw powder with ion-exchanged water, and has an ash content of ≤100 ppm, a particle hardness according to JIS K 6221 of ≥5 g/particle, a bulk density of ≥0.2 g/cm^3, and a coarse particle content of ≤10 ppm. - 特許庁

御影石（花崗岩）を粉砕した細骨材に耐水圧強度６００ｋｇｆ／ｃｍ^２以上で、嵩比重０．３〜０．５ｇ／ｃｍ^３、且つ融点１５００℃以上のセラミック微細中空粒子と合成樹脂エマルジョンから構成される組成物をパネル状に加圧成形して軽量石目調マイナスイオン発生パネルを作製する。例文帳に追加

The panel is manufactured by press-molding a composition comprising fine aggregate prepared by grinding granite, ceramic fine hollow particles having water pressure resistance of ≥600kgf/cm^2, a bulk density of 0.3-0.5g/cm^3, and a melting point of ≥1,500°C, and a synthetic resin emulsion. - 特許庁