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だてマスクの英語
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英訳・英語 Date face mask
「だてマスク」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
マスクステージが、ウエハからある間隔を隔ててマスクを保持する。例文帳に追加
A mask stage holds a mask by having a certain spacing from the wafer. - 特許庁
伊達直人は漫画シリーズ｢タイガーマスク｣の主人公の名前だ。例文帳に追加
Date Naoto is the name of the main character in the comic series "Tiger Mask." - 浜島書店 Catch a Wave
第１フォトマスク２９及び第２フォトマスク６５は、帯状ワーク１１に対してプロキシミティギャップを隔てて配置されており、それぞれのマスクパターンが周期的なパターンとして帯状ワーク１１に露光される。例文帳に追加
The first photomask 29 and the second photomask 65 are disposed leaving a proximity gap from the belt-like work 11, and the respective mask patterns are transferred as a periodical pattern by exposure onto the belt-like work. - 特許庁
マスク基板１上に形成された遮光パターン２の両側に、マスク基板１を掘り込むことにより形成された幅Ｗ１の溝３ａ、３ｂを間隔Ｈ１だけ隔てて設ける。例文帳に追加
Grooves 3a and 3b each having a width W1 and formed by digging in a mask substrate 1 are provided on both sides of a light shielding pattern 2 formed on the mask substrate 1 by leaving an interval H1 from the pattern 2. - 特許庁
フォトマスク２９は、帯状ワーク１１に対してプロキシミティギャップを隔てて配置されており、マスクパターン３３が周期的なパターンとして帯状ワーク１１に露光される。例文帳に追加
The photomask 29 is disposed leaving a proximity gap with respect to the belt-like work 11, and a mask pattern 33 is transferred by exposure as a periodical pattern onto the belt-like work 11. - 特許庁
正孔輸送層、発光層および電子輸送層のうち少なくとも１つの層を形成する工程は、層の膜材料層を形成する工程と、膜材料層と間隔を隔てて所定のパターンが形成されたマスクを配置して、マスクと膜材料層との間に活性ガスを導入しながら、マスクを介して膜材料層に活性化エネルギーを付与する工程と、を有する。例文帳に追加
A process of forming at least one of a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer includes a process of forming a film material layer of the layer and a process of arranging a mask having a predetermined pattern formed thereon at an interval between the mask and the film material layer, and imparting activation energy to the film material layer through the mask while introducing active gas to between the mask and film material layer. - 特許庁
この窒化物系半導体素子は、第１ＧａＮ層３上に第１ＧａＮ層３の一部を露出するように所定の間隔を隔てて形成され、還元雰囲気下で変質されにくいＳｉＣＮからなる複数のマスク層４と、マスク層４間に露出された第１ＧａＮ層３の上面上およびマスク層４上に形成された第２ＧａＮ層６とを備えている。例文帳に追加
The nitride series semiconductor element comprises: a plurality of mask layers 4 formed on a first GaN layer 3 at prescribed intervals so as to expose part of the first GaN layers 3 and SiCN hard to be transubstantiated under reduction atmosphere; and a second GaN layer 6 formed on the top face of the first GaN layer 3 and on the mask layer 4. - 特許庁
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「だてマスク」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
通常の透視像をベースに、間欠的にマスク血管像が重ね合わされて表示されるので、カテーテル操作のための見易い透視像と、マスク血管像の重ね合わせによる血管の分枝点の確認性を両立させることができる。例文帳に追加
Since the mask vascular image is superimposed intermittently on the normal fluoroscopic image and the superimposed image is displayed, easy-to-see fluoroscopic image for a catheter operation can be made compatible with the confirming performance of the vascular branch point, through superposition of the masked vascular image and the fluoroscopic image. - 特許庁
感光材料に対し７０〜２００μｍのプロキシミティギャップを隔てて配置されたフォトマスクを介して、プロキシミティ露光を行い、マスクパターンを搬送方向に周期的な周期パターンとして感光材料に露光することで導電膜１０を得る。例文帳に追加
The conductive film 10 is obtained by subjecting a photosensitive material to proximity exposure through a photomask disposed away from the photosensitive material via a proximity gap of 70 to 200 μm, and transferring the mask pattern onto the photosensitive material as a periodical pattern periodical in a conveyance direction. - 特許庁
下地１の上面に接触するとともに、下地１の一部を露出するように、所定の間隔を隔てて形成された複数のマスク層２と、下地１の上面上およびマスク層２の上に形成された窒化物系半導体層３とを備えている。例文帳に追加
The nitride-based semiconductor device has pluralities of mask layers 2 that are brought into contact with the upper surface of the foundation 1 and at the same time are formed at specific intervals so that one portion of the foundation 1 is exposed, and the nitride-based semiconductor layer 3 that is formed on the upper surface of the foundation 1 and the mask layer 2. - 特許庁
本方法は、複数の実質的に透明な領域と複数の実質的に不透明な領域を含むパターンを有する位相シフトマスクを用いたリソグラフィー法であって、マスクパターンが少なくとも入射光の一部の位相をシフトし、かつ位相が実質的に等しく隔てられ、それによって与えられたリソグラフィーシステムの解像力が増加する。例文帳に追加
This method is for manufacturing of semiconductor devices by using the phase shift mask. - 特許庁
樹脂組成物を吐出するノズル、およびその前方にノズル先端と間隔を隔てて設けられ、ノズルから吐出される樹脂組成物を案内する開口を有するマスクを具備する塗布装置を用い、前記マスクを基板表面に接触させて前記ノズルから吐出させた樹脂組成物を前記開口を通して基板表面に塗布する。例文帳に追加
The resin composition discharged from the nozzle is applied on the surface of a substrate through an opening by using the coating device possessing the nozzle discharging the resin composition and a mask, which is provided in front thereof to be apart from the tip of the nozzle at a certain interval and has the opening for guiding the resin composition discharged from the nozzle and bringing the mask into contact with the surface of the substrate. - 特許庁
映画『スター・ウォーズ』のダース・ベイダーのマスクは仙台市博物館所蔵の「黒漆五枚胴具足伊達政宗所用」の兜をモチーフにデザインされた。例文帳に追加
The mask of Darth Vader appeared in the movie "Star Wars" was modeled after the kabuto (a headpiece of a Japanese warrior) of "the black-lacquered armor with 5 pieced cuirass used by Masamune DATE," which is currently owned by Sendai City Museum.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
溝加工対象となる部材１４の表面（被加工面）に予めマスクを被覆することなく、該被加工面と噴射ノズル２２とを所定距離ｄを隔てて対向配置する。例文帳に追加
The surface (working surface) of a member 14 to be grooved is arranged opposite to the injection nozzle 22 with a prescribed distance d without preliminarily masking the working surface. - 特許庁
ウエハと、表面に入射光を散乱させる散乱源が形成されたマスクとを、両者がある間隔を隔ててほぼ平行になるように配置する。例文帳に追加
A wafer 11 and a mask 12 carrying a scattering source formed on its surface to scatter incident light are arranged in parallel with each other at a certain interval. - 特許庁
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Date face mask
英和対訳
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