ていぐろぶりんけっしょうの英語

低コストで作業効率に優れた製造方法により、磁性層を構成する微細な磁性結晶粒の均一化を図り、結晶粒間の粒界幅（磁化遷移領域幅Ｗ）を精度良く調整し、Ｓ／Ｎの向上を図ることが可能な磁気記録媒体を作製すること。例文帳に追加

To manufacture a magnetic recording medium wherein fine magnetic crystal grains constituting a magnetic layer are made uniform, a grain boundary width between grains (the width W of a magnetization transition region) is accurately adjusted and an S/N can be enhanced by a manufacturing method having excellent operation efficiency at low costs. - 特許庁

次に、レジストパターンを用い、かつバイアス電力を１００Ｗ以上としたドライエッチングを行うことにより、露出した低抵抗多結晶シリコン膜の部分を除去してゲート電極を形成する。例文帳に追加

Then, dry etching is performed at a bias power of 100 W or above using the resist pattern to remove the exposed portion of the low-resistance polycrystalline silicon film, thus forming the gate electrode. - 特許庁

サル血漿の存在下でヒト化抗体等のヒトイムノグロブリン（ヒトIg）の定常領域を含む蛋白質の検出および定量をするのに用いることができる、抗体が求められている。例文帳に追加

To provide an antibody usable for the detection and determination of a protein containing the constant region of human immunoglobulin (human Ig) such as humanized antibody in the presence of simian plasma. - 特許庁

次に、多結晶シリコン４０を、ＳｉＨ_4 （シラン）を用いたＣＶＤ法により成長させ、その上に、ＷＳｉ５０を形成すると、１５００Å程度の段差が発生する。例文帳に追加

Subsequently, polysilicon 40 is grown by CVD using SiH4 (silane) and Wsi 50 is deposited thereon to produce a level difference on the order of 1500 Å. - 特許庁

本発明の第１側面は、１００μｍ以上の厚みを有し、厚さ方向に上部領域２２ｂ及び下部領域２２ａに区分され、上部領域２２ｂのドーピング濃度は、下部領域２２ａのドーピング濃度の５倍以上であることを特徴とする窒化物単結晶基板２２を提供する。例文帳に追加

In a nitride single crystal substrate 22, a first side surface has a thickness of 100 μm or more, is defined into an upper region 22b and a lower region 22a in the direction of thickness, and the doping concentration of the upper region 22b is five times or more the doping concentration of the lower region 22a. - 特許庁

また、Ｂｉ２２２３相よりなる超電導結晶のＸＲＤロッキングカーブで測定された（０．０．２４）ピークのＦＷＨＭが１８°以下である。例文帳に追加

Furthermore, a full width at half maximum (FWHM) of a peak (0.0.24) measured by an XRD rocking curve of the superconductive crystal of the Bi2223 phase is 18° or less. - 特許庁

マイクロ波発生器１により発生されるマイクロ波のＶｐ−ｐが極小になるようにマイクロ波パワーを設定し、ウェハＷ上に形成された多結晶シリコン層をエッチングする。例文帳に追加

A polycrystalline silicon layer formed on a wafer W is etched by setting microwave power so that the Vp-p of a microwave generated from a microwave generator 1 becomes extremely small. - 特許庁

血液又は血漿中の有用タンパク質を吸着することなく、β_２−ミクログロブリン等の病因物質を選択的に吸着除去することができる生体物質吸着剤を提供すること。例文帳に追加

To provide a biological substance adsorbing agent capable of selectively adsorbing and removing an etiologic substance such as β_2-microglobulin without adsorbing useful protein in blood or blood plasma. - 特許庁