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とつぶかんひまくあつさの英語
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「とつぶかんひまくあつさ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 77件
層間絶縁膜の膜厚分布を小さくして安定したセル厚を得ることができ、さらに該層間絶縁膜の厚膜化を容易に行うことができる液晶表示装置の製造方法を実現する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device capable of obtaining a stable cell thickness by reducing the distribution of film thickness of an interlayer insulating film and easily thickening the thickness of the interlayer insulating film. - 特許庁
セルウェル電圧Vsub、ゲート電圧Vg、ソース電圧Vs、ドレイン電圧Vdの関係をVsub≧Vg>Vs>Vdとし、Vg−Vdがバント間トンネル電流の発生電位差以上となり、且つ、Vsub−Vdがトンネル絶縁膜の障壁電位と比べてほぼ同等以上となるようにする。例文帳に追加
Following relation is set among cell well voltage Vsub, gate voltage Vg, source voltage Vs, and drain voltage Vd; Vsub≥Vg>Vs>Vd, so that Vg-Vd becomes larger than a potential difference generated by the tunnel current between bands, and Vsub-Vd becomes equal to or larger than the barrier potential of a tunnel insulating film. - 特許庁
その後、膜厚分布情報に基づいて設定された設定時間だけ、ターゲット20にレーザ光を照射して、基板20上に成膜する。例文帳に追加
Thereafter, laser light is emitted to the target 40 by a time set based on the film thickness distribution information, so as to deposit a film on a substrate 20. - 特許庁
各有機EL素子が、下部電極の一部が層間絶縁膜33bによって被覆されずに露出した露出部の中央部近傍に配置された膜厚が相対的に大きな厚膜部33acと、露出部上であって当該露出部の端部近傍に配置された膜厚が相対的に小さな薄膜部33aeとを有する。例文帳に追加
Each organic EL element has a thick film 33ac of relatively large film thickness provided nearby the center of an exposed part where a portion of a lower electrode is not covered with an interlayer insulating film 33b to be exposed, and a thin film 33ae of relatively small film thickness arranged on the exposed part and nearby an end of the exposed part. - 特許庁
ついで、それを乾燥あるいは化学的反応等により固化させことによって所望の均一分布、均一厚さの極薄の固体皮膜を形成できる。例文帳に追加
Next, the very thin solid coating film having the desired uniform distribution and uniform thickness is formed by solidifying by drying, chemical reaction or the like. - 特許庁
基板11上に厚い膜厚の第1のアルミニウム膜12を成膜し、第1のアルミニウム膜12の表面に酸素や窒素等の吸着分子15を吸着させ、薄いAlの酸化物や窒化物の膜をAlの粒界エッチングを緩和するエッチング緩和層13として形成する。例文帳に追加
A first aluminum film 12 with large thickness is formed on a substrate 11, and adsorbing molecules such as oxygen or nitrogen is made to adsorb in the surface of the first aluminum film 12, and a thin oxide or nitride film is formed as an etching relaxation layer 13 that relaxes the grain- boundary etching of aluminum. - 特許庁
下層被膜20と上層被膜30とを合わせた被膜の平均厚みがTである場合、分散粒子50の平均粒径Rは、10nm<R≦2Tの関係を満たす。例文帳に追加
Here, when representing as T the average thickness of the sum of the lower-layer and upper-layer coats 20, 30, an average grain size R of the dispersing grains 50 satisfies a relation of 10 nm<R≤2T. - 特許庁
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「とつぶかんひまくあつさ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 77件
被印刷物に厚膜のペースト層をより短い印刷時間で形成し得るスクリーン印刷機を提供する。例文帳に追加
To provide a screen printing machine which can form a paste layer in a thick film on a printed object in shorter printing time. - 特許庁
CMP加工後、膜厚を計測する際、試料を移動し、移動中の試料からの反射光の分光波形を連続的に検出することにより、短時間で比較的詳細な試料面内の膜厚分布を求める。例文帳に追加
At the time of measuring the film thickness of the sample after CMP processing, the relatively detailed in-plane film thickness distribution of the sample is found in a short time by moving the sample and continuously detecting the spectroscopic waveform of reflected light from the moving sample. - 特許庁
光が、半導体層の膜面と垂直方向から入射されることにより、光が膜厚深いところまで進入しなくともpn接合面に十分な強度で到達することができるため、効率の高い光電変換が実現できる。例文帳に追加
Since the light is incident in a direction perpendicular to a film plane of a semiconductor layer, the light reaches a pn-junction plane with sufficient intensity even if it does not advance deep into the film, hence realizing high-efficiency photoelectric conversion. - 特許庁
この方法によると、凸部4を除去した後の平坦な面を研磨するときの研磨レートRさえ実測すれば、層間絶縁膜3を所望の膜厚にするのに必要な時間を求めることができる。例文帳に追加
If the polishing rate R is measured when the flat face is polished after the convex 4 is removed, a time required for making the interlayer insulating film 3 into a desired film thickness can be obtained by the method. - 特許庁
本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、高いスループットで膜厚分布の均一性の高い薄膜を成膜する方法を用いて自発光装置を作製する技術を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a technique for manufacturing a self-light emitting device by a method of forming a thin film having high uniformity of film thickness distribution in a high throughput. - 特許庁
酸化皮膜の厚みが15nm以上、酸化皮膜中のAlの濃度がAl,Si,Mn,Cr,Feの原子比率において50原子%以上であるとともに、酸化皮膜の欠陥率が3.0%以下であることを特徴とする、溶接部熱影響部の耐食性が改善されたステンレス鋼板。例文帳に追加
The stainless steel sheet having improved corrosion resistance in the weld heat affected zone is characterized in that the thickness of an oxide film is ≥15 nm, the concentration of Al in the oxide film is ≥50 atomic% in the atomic ratio of Al, Si, Mn, Cr and Fe, and further the defect rate of the oxide film is ≤3.0%. - 特許庁
ニューラルネットワークを利用して酸化膜の膜厚を高精度に管理して微細凹凸部を高精度に形成することの可能なレーザー光照射による酸化膜形成方法および装置を提供する。例文帳に追加
To provide a method and a device for forming an oxide film by laser light irradiation where, utilizing a neutral network, the film thickness of an oxide film is controlled at high precision, and a fine rugged part can be formed at high precision. - 特許庁
光電面を構成する薄膜の膜厚分布を均一化し、X線イメージ管の輝度一様性を向上させた光電面形成用蒸発源およびX線イメージ管の製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method for producing a photoelectric surface forming evaporation source and X-ray image tube which unifies a film thickness distribution of a thin film forming a photoelectric surface and enhances a brightness maintenance of a X-ray image tube. - 特許庁
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