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なめし6ちょうめの英語
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基板2上に超微粒子10によって構成される連続的な超微細パターン12を形成してなるナノパターン構造体において、かかる超微細パターン12が、前記基板2上に配置された、該パターンを与える細隙6を有するターゲット材からなるマスク4への高エネルギービームの斜め照射によって離脱した、該マスクの構成原子又は構成分子からなる超微粒子10により形成されるようにした。例文帳に追加
In the nano-pattern structure formed with the continuous ultrafine patterns 12 composed of the ultrafine particles 10, on the substrate 2, the ultrafine patterns 12 are formed of the ultrafine particles 10 composed of mask constitutive atoms or constitutive molecules detached by the oblique irradiation of high energy beams to a mask 4 arranged on the substrate 2 and formed of a target material with fine clearances 6 for providing the patterns. - 特許庁
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