にしまつやまちょう４ちょうめの英語

広面積に形成された厚膜の耐圧絶縁膜４は、その様な結晶成長によって積層された半導体結晶層であり、膜厚約２０μｍの真性ＧａＮ結晶から形成されている。例文帳に追加

A thick high-breakdown-voltage insulating film 4, formed over a wide area is a semiconductor crystal layer laminated by such a crystal growth, and is formed of an intrinsic GaN crystal whose film thickness is about 20 μm. - 特許庁

武蔵松山城(武蔵国)を攻め落とし、永禄4年（1561年）3月に関東管領・上杉憲政を擁して長野業正、小山秀綱、小田氏治、那須資胤、佐竹義重(十八代当主)、太田資正、三田綱秀、成田長泰ら旧上杉家家臣団10万の大軍で小田原城を包囲する。例文帳に追加

Kagetora captured Musashi Matsuyama-jo Castle (Musashi Province), and in March 1561, supported Norimasa UESUGI, Kanto Kanrei, and besieged Odawara-jo Castle with a large force consisting of 100,000 vassals of old Uesugi clan such as Narimasa NAGANO, Hidetsuna OYAMA, Ujiharu ODA, Suketane NASU, Yoshishige SATAKE (the 18th family head), Sukemasa OTA, Tsunahide MITA, Nagayasu NARITA and so on.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス