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ばんだいちょう4ちょうめの英語
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「ばんだいちょう4ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 78件
学研都市キャンパス(〒619-0225京都府木津川市木津川台4丁目1-1)例文帳に追加
Kansai Science City Campus (4-1-1 Kizugawadai, Kizugawa City, Kyoto Prefecture, 619-0225)発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
各分極性電極を、集電体となる基板3, 4 とその片面に成長させたブラシ状カーボンナノチューブ5, 6 とから構成した。例文帳に追加
The polarizable electrodes 1, 2 comprise substrates 3, 4 serving as power collectors and carbon nano-tubes 5, 6 grown into a brush shape on one side of each of the substrates 3, 4. - 特許庁
対向する基板4の間に原料ガスを流して、対向する基板4における互いの対向面上に半導体膜を成長させる。例文帳に追加
Material gas is fed between opposite substrates 4 and a semiconductor film is grown on the opposite surfaces of the opposite substrates 4. - 特許庁
明治12年(1879年)(神田区西小川町、麹町区富士見を経て)麹町紀尾井町4番地に転居例文帳に追加
In 1879, (After relocation to the Nisi Ogawa-Machi in Kanda Ward and then Fujimi in Kojimachi Ward) Imperial Prince Fushimi Sadanaru moved into this house address, at Kioi-cho 4, Kojimachi, Tokyo.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
半導体結晶2は所謂ドーム型の断面形状を有するELOマスク3がマスキングされた結晶成長基板1の結晶成長面1a上に成長したものであり、転位4はELOマスク3の上面略中央から半導体結晶2の結晶成長面2aまで伸びている。例文帳に追加
The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁
秀吉死後の慶長4年(1599年)秀吉の晩年の側室だった三の丸殿(織田信長の六女)を娶った。例文帳に追加
In 1599, after Hideyoshi died, he married San no maru dono (Nobunaga ODA's sixth daughter), who was Hideyoshi's concubine in his late years.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
文禄4年(1595年)には摂津国茨木城主、慶長3年(1598年)には大坂城番となり、城詰めとなる。例文帳に追加
He became the lord of Ibraki Castle in Settsu no Kuni (Settsu Province) in 1595 and became the shirodume (samurai that served a castle) when assigned with the Osaka Castle guard duty in 1598.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
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「ばんだいちょう4ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 78件
次に、窒化ガリウム基板2の表面とアライメントマーク4を覆うようにn型の第1の窒化ガリウム層6を結晶成長させる。例文帳に追加
Then, an n-type first nitride gallium layer 6 is so crystal-grown as to cover the surface of the nitride gallium substrate 2 and the alignment mark 4. - 特許庁
シリコン基板2の表面にたとえばシリコンの酸化物による第1の無機膜4を形成し、つづいてシリコン基板2をシリコン・エピタキシャル成長炉に導入してエピタキシャル成長によりシリコン層6を形成する。例文帳に追加
A first inorganic film 4 of, e.g. silicon oxide is formed on a surface of a silicon substrate 2, then, the silicon substrate 2 is introduced into an epitaxial growth chamber to form a silicon layer 6 by epitaxial growth. - 特許庁
このようなGaNまたはSiC基板(1101)において、(4 4 −8 m)(ただしmは1または−1)面上に結晶を成長させることによって、良質な結晶を安定して成長させることができる。例文帳に追加
A good crystal is stably grown by growing a crystal on the (4 4-8 m) (wherein m is 1 or -1) plane in the GaN or SiC substrates (1101). - 特許庁
P型高濃度半導体基板2の一表面上にP型低濃度エピタキシャル成長層4が形成されている。例文帳に追加
A p-type low density epitaxial growth layer 4 is formed on one surface of a p-type high density semiconductor substrate 2. - 特許庁
半導体基板1上に半導体層2を介して、磁性混晶半導体3をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子/半導体複合材料4を形成する。例文帳に追加
On a semiconductor substrate 1, a magnetic mixed crystal semiconductor 3 is formed through epitaxial growth across a semiconductor layer 2, and a heat treatment is carried out in or after the epitaxial growth to form a magnetic body particulate/semiconductor compound material 4, having ferromagnetic particulates embedded in the semiconductor. - 特許庁
享保大判は慶長大判の品位に復帰するものであったが、通用が停止されていた慶長大判が両替商に持ち込まれた際の扱いについて、享保11年(1726年)4月に大岡忠相は通用を認めず潰金扱いの裁定を下した。例文帳に追加
Kyoho-Oban was supposed to have it's gold content equivalent to that of the Keicho-Oban, but due to the money-handler's dealing of the Keicho-Oban, which was no longer in circulation, Tadasuke OOKA did not approve it's circulation and made the decision to melt it on April 1726.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
このようにして、第1GaN層4にオフ面が形成されたGaNオフ基板25を作製し、第1GaN層4のオフ面に第2GaN層を成長させる。例文帳に追加
Thus, a GaN off substrate 25 with an off surface formed on the first GaN layer 4 is produced, and a second GaN layer is grown on the off surface of the first GaN layer 4. - 特許庁
サファイア基板1のC面上に、AlGaN第1バッファ層2、GaN第2バッファ層3および第1GaN層4を順に成長させ、図中のA−A線上の第1GaN層4を研磨する。例文帳に追加
On a side C of a sapphire substrate 1, an AlGaN first buffer layer 2, a GaN second buffer layer 3 and a first GaN layer 4 are grown sequentially, and the first GaN layer 4 on a line A-A in the figure is polished. - 特許庁
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