| 意味 | 例文 (12件) |
ひずみ層状の英語
追加できません
(登録数上限)
単語を追加
英訳・英語 strained layer
「ひずみ層状」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
圧電／電歪性を有する多数の結晶粒子３１からなる膜状又は１以上の層を持つ層状の圧電／電歪体３０である。例文帳に追加
A layer piezo-electricity/electrostrictive element 30 has a film or a plurality of layers consisting of many crystal grains 31 having a piezo-electricity/electrostrictive characteristics. - 特許庁
圧電／電歪デバイス１０は、先ず、後に前記薄板部１２を構成する薄板体の平面上に層状の電極及び圧電／電歪層からなる圧電／電歪層積層体を形成し、次いで、前記薄板体と前記圧電／電歪層積層体とを切断することにより製造される。例文帳に追加
The piezoelectric/electrostrictive device 10 is manufactured by forming a piezoelectric/electrostrictive layer laminated body formed of the layered electrodes and the piezoelectric/electrostrictive layers on a plane of a sheet body constituting the sheet part 12, and cutting the sheet body and the piezoelectric/electrostrictive layer laminated body. - 特許庁
セル駆動型圧電／電歪アクチュエータ１は、圧電／電歪素子４が、複数の層状の圧電／電歪体１４と層状の電極１８，１９とが交互に積層されてなるとともに、電極１８，１９の端部が、少なくともセル３内側において圧電／電歪体１４内に埋設されていることを特徴とする。例文帳に追加
In the cell driving piezoelectric/elctrostrictive actuator 1, the piezoelectric/elctrostrictive element 4 is formed by laying a plurality of layer piezoelectric/elctrostrictive bodies 14 and layer electrodes 18, 19 alternately and the end parts of the electrodes 18, 19 are buried in the piezoelectric/elctrostrictive bodies 14 at least on the inside of the cell 3. - 特許庁
ビスマス層状構造強誘電体、その製造方法、これを用いたメモリ素子および圧電・電歪素子例文帳に追加
BISMUTH LAYER STRUCTURE FERROELECTRIC, METHOD OF PRODUCING THE SAME, MEMORY ELEMENT AND DIELECTRIC/ ELECTROSTRICTIVE ELEMENT USING THE FERROELECTRIC - 特許庁
これにより、層状の電極は電極の層面内に引き延ばされながら切断されるから、圧電／電歪層の端面を覆う程度が小さくなる。例文帳に追加
Thus, a degree that covers the end face of the piezoelectric/electrostrictive layer becomes small since the layered electrodes are cut by extending in a layered plane. - 特許庁
セル駆動型圧電／電歪アクチュエータ１は、圧電／電歪素子４が、複数の層状の圧電／電歪体１４と膜状の電極１８，１９とが交互に積層されてなるとともに、電極１８，１９の端部が、少なくともセル３内側において圧電／電歪体１４内に埋設されていることを特徴とする。例文帳に追加
In the cell driving piezoelectric/elctrostrictive actuator 1, the piezoelectric/elctrostrictive element 4 is formed by laying a plurality of layer piezoelectric/elctrostrictive bodies 14 and film-like electrodes 18, 19 alternately and the end parts of the electrodes 18, 19 are buried in the piezoelectric/elctrostrictive bodies 14 at least on the inside of the cell 3. - 特許庁
圧電／電歪デバイス１０は、先ず、後に前記薄板部１２を構成する薄板体の平面上に層状の電極及び圧電／電歪層からなる圧電／電歪層積層体を形成し、次いで、前記薄板体と前記圧電／電歪層積層体とを切断した後、この切断面（側端面）を研磨して表面粗さを算術平均粗さで０．０５μｍ以下に仕上げることにより製造される。例文帳に追加
The piezoelectric/electrostrictive device 10 is manufactured by forming a piezoelectric/electrostrictive layer laminated body formed of the stratified electrodes and the piezoelectric/electrostrictive layers on the flat surface of a sheet body constituting the sheet part 12, cutting the sheet body and the piezoelectric/electrostrictive layer laminated body, polishing a cutting face (side end face) and finishing surface roughness to be not more than 0.05μm at arithmetic average roughness. - 特許庁
-
履歴機能
過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断
診断回数が
増える! -
マイ単語帳
便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳
文章で
単語を理解! -
「ひずみ層状」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
本発明の形状記憶材料は、結合異方性を示す層状構造が集合して形成される略等方的な固体材料であって、蓄積されたひずみが原子の拡散を伴って解放されることで形状回復することを特徴とする。例文帳に追加
The shape memory material is a nearly isotropic solid material formed by aggregation of layer structures exhibiting binding anisotropy, and recovers its shape by releasing an accumulated strain with accompanying diffusion of atoms. - 特許庁
抗電界を所望の値に制御することができ、用途に応じた作動電圧で動作し得るビスマス層状構造強誘電体（ＢＬＳＦ）、その製造方法およびこれを用いた圧電・電歪素子をを提供すること。例文帳に追加
To provide a bismuth layer structure ferroelectric (BLSF) which is capable of controlling a coercive electric field to a desired value and operat ing under an operation voltage corresponding to each application, to provide a method of producing the same and a dielectric/electrostrictive element using the ferroelectric. - 特許庁
半導体基板上に複数の半導体層と、より高いバリアまたはより深い閉じ込め量子井戸を有し、相補型ＭＯＤＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴのための非常に高い正孔移動度を有する圧縮ひずみエピタキシャルＧｅ層のチャネル構造を取り込み、層状ヘテロ構造をもつ高移動度Ｇｅチャネル電界効果トランジスタを形成する。例文帳に追加
A high-mobility Ge channel field effect transistor with a layered heterostructure incorporates multiple semiconductor layers on a semiconductor substrate, and a channel structure of a compressively strained epitaxial Ge layer having a higher barrier or a deeper confining quantum well and having an extremely high hole mobility for complementary MODFETs and MOSFETs. - 特許庁
遷移金属酸化物、ペロブスカイト並びに層状ペロブスカイト酸化物、超ＬＳＩ、高温超伝導、スイッチング、強誘電体メモリーなどに利用することができる結晶構造歪による固体電子物性の制御方法、及び該方法により得られた酸化物を提供する。例文帳に追加
To provide a method for controlling solid electronic physical properties of transition metal oxide, perovskite and laminar perovskite oxide by their crystal structure distortion which can be utilized for VLSI (Very Large Scale Integration), high-temperature superconduction, switching, ferroelectric memory, etc., and the oxide obtained by this method. - 特許庁
伸長粘度の測定により得られる歪硬化度（λｍａｘ）が２．０以上であるポリマーを製造するプロピレン系重合体の製造方法であって、 特定の二種以上の遷移金属化合物からなる成分［Ａ］、イオン交換性層状珪酸塩［Ｂ−４］等からなる成分［Ｂ］及び有機アルミニウムである成分［Ｃ］を含む触媒の存在下にプロピレン重合を行うことを特徴とするプロピレン系重合体の製造方法。例文帳に追加
This method of producing the propylenic polymer having ≥2.0 strain-hardening degree (λmax) determined by the measurement of elongational viscosity is characterized by conducting propylene polymerization in the presence of a component [A] comprising two or more specific transition metal compounds, a component [B] comprising an ion-exchangeable layered silicate [B-4] or the like, and a component [C] being an organoaluminum. - 特許庁
| 意味 | 例文 (12件) |
|
|
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
みんなの検索ランキング
閲覧履歴
weblioのその他のサービス
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
