表面のトポグラフィーの英語

表面特性のトポグラフィー決定のためのデバイスおよび方法例文帳に追加

DEVICE AND METHOD FOR DETERMINING TOPOGRAPHY OF SURFACE CHARACTERISTIC - 特許庁

半導体ウエーハ表面のナノトポグラフィーの評価方法及び評価装置並びに表面のナノトポグラフィーが良好な半導体ウエーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an evaluation method of nano topography on the surface of a semiconductor wafer, an evaluation system, and a manufacturing method of a semiconductor wafer wherein the surface of the nano topography is favorable. - 特許庁

少なくとも１つのインク受容表面を備え、該インク受容表面が第１の表面トポグラフィーを備える媒体基材を設け、前記インク受容表面をプラズマ処理することによって、該プラズマ処理が前記第１の表面トポグラフィーを変更して第２の表面トログラフィーを作成し、該第２の表面トポグラフィーが前記第１の表面トポグラフィーと比較して改善された接着力を有することを含む、基材の接着力を変化させる方法。例文帳に追加

This method for changing an adhesive force of a base material comprises the steps of providing a medium base material with at least one ink receiving surface and a first surface topography formed on the ink receiving face and applying plasma treatment on the ink receiving surface to turn the first surface topography into a second surface topography so that the second topography has an improved adhesive force compared with the first surface topography. - 特許庁

本発明は、表面特性の決定のための携帯用デバイス（１）であって、直接に検査中の表面（８）のトポグラフィーを局所的に決定し、この局所的なトポグラフィーに特徴的な少なくとも１つの測定された値を提供する測定装置（１０）と、複数の第１の測定された値を考慮し、該表面の全体的なトポグラフィーに特徴的な少なくとも１つの第１の結果値を提供するプロセッサ装置とを備えている、携帯用デバイスに関する。例文帳に追加

The portable device 1 for determining the surface characteristic comprises a measuring device 10 for directly and locally determining the topography of the surface 8 under inspection and providing at least one measured value characteristic of this local topography, and a processor device for considering a plurality of first measured values and providing at least one first result value characteristic of the whole topography of the surface. - 特許庁

単結晶引上法により得られたシリコンミラーウエハを、還元性または不活性ガス雰囲気中、１１００℃以上の温度で１乃至２４時間熱処理することにより、ウエハ表面のナノトポグラフィー平坦性を改善する。例文帳に追加

A silicon wafer obtained by the single crystal pulling method is heat-treated in reducing or inert gas atmosphere at 1100°C or more for 1 to 24 hours, thus improving the nanotopography flatness on the surface of the wafer. - 特許庁

該歯科インプラントは、ジルコニアをベースとするセラミック材料、あるいはイットリア安定化ジルコニアであるセラミック材料製の歯科インプラントであって、表面をエッチングすることにより製造し得る１μｍ未満のコア粗さ深さＳ_kで特定されるトポグラフィーを有する表面であることを特徴とする。例文帳に追加

The surface has a topography specified by a core roughness depth S_k of less than 1 μm which can be manufactured by etching the surface. - 特許庁

表面不完全性、並びに磨きおよび平坦化の間の下地となる構造へのダメージおよびトポグラフィー等の欠陥性を最小化する一方で、磨きおよび貴金属を含む基材の平坦化の間の望ましい平坦化効率、均一性、および除去速度を示す磨き系および磨き方法を提供する。例文帳に追加

To provide a grinding system and a grinding method for minimizing surface imperfection, damages to a structure forming a base during grinding and flattening, and topography failures, and showing desirable flattening efficiency, uniformity, and removing speed during grinding and flattening the base including precious metal. - 特許庁