ぴえぞぽーらろんの英語

ＭＩＢ管理部２２は設定内容をＭＩＢに保存するとともに、応答メッセージをＳＮＭＰ−ＳＥＴレスポンス形式に変換し、ＳＮＭＰ接続制御部２１からＳＮＭＰコマンドレスポンス監視ポート２０に返信する。例文帳に追加

The MIB management part 22 stores the setting content in an MIB, converts the response message into an SNMP-SET response form and returns the response message from the SNMP connection control part 21 to an NMP command response monitoring port 20. - 特許庁

Ｅｉｍｅｒｉａ ｔｅｎｅｌｌａ、Ｔｏｘｏｐｌａｓｍａ ｇｏｎｄｉｉ由来、新規原虫ｃＧＭＰ依存性プロテインキナーゼ（ＰＫＧ）、および該ＰＫＧポリペプチドをコードするポリヌクレオチド配列。例文帳に追加

A new protozoal cGMP-dependent protein kinase (PKG) from Eimeria tenella, Toxoplasma gondii and a polynucleotide sequence encoding the PKG polypeptide are provided. - 特許庁

また、第１ポートＰ１と第３ポートＰ３との間にはλ／４伝送線路ＳＬとコンデンサＣ２とからなる並列回路が接続される。例文帳に追加

Between the first port P1 and the third port P3, a parallel circuit consisting of the λ/4 transmission line SL and the capacitor C2 is connected. - 特許庁

液晶カラーフィルター製造工程用離型用ポリプロピレンフィルム例文帳に追加

RELEASING POLYPROPYLENE FILM FOR PRODUCTION PROCESS OF LIQUID CRYSTAL COLOR FILTER - 特許庁

２５℃において６ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であり、（ａ）金属イオン性不純物の濃度が１０ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ以下である金属水酸化物、（ｂ）ノボラック型エポキシ樹脂を含み、かつ、実質的にハロゲン化されていないエポキシ樹脂を含有することを特徴とする絶縁樹脂組成物。例文帳に追加

This insulation resin composition is characterized by having ≥6 and ≤50 ppm/°C linear expansion coefficient at 25°C, containing (a) a metal hydroxide having ≥10 and ≤500 ppm concentration of metal ionic impurities and (b) a novolac type epoxy resin and also containing a not substantially halogenated epoxy resin. - 特許庁

このような金属を含むポリシランにおいて、金属（ａ）の割合は、重量換算で、ポリシラン全体に対して１０００ｐｐｍ以上である。例文帳に追加

The proportion of the metal (a) in such the polysilane containing the metal is ≥1,000 ppm expressed in terms of weight based on the whole polysilane. - 特許庁

主として芳香族ジカルボン酸成分とグリコール成分とからなる繰り返し単位を有する芳香族系ポリエステルとトリエチレングリコールが０．０１ｐｐｍから１００００ｐｐｍでなおかつアセトアルデヒドの含有量が３０ｐｐｍ以下であることを特徴とするポリエステル樹脂組成物。例文帳に追加

The polyester resin composition comprises an aromatic polyester which has a repeating unit comprising an aromatic dicarboxylic acid component and a glycol component as principal components, and triethylene glycol of 0.01-10,000 ppm, the composition containing an acetaldehyde content of ≤30 ppm. - 特許庁

半導体エピタキシャルウェハの製造方法およびヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND EPITAXIAL WAFER FOR HETERO BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁