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ふじおか３ちょうめの英語
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「ふじおか３ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 95件
ｐ型シリコン基板１に、約３〜５μｍ程度の深さを有する約３×１０^15〜１×１０^16ｃｍ^-3の濃度のｎ型不純物からなる延長ドレイン領域２及び、ｎ型不純物からなるソース領域３を形成する。例文帳に追加
An extended drain region 2 formed of n-type impurity and a source region 3, formed of n-type impurity in a concentration of about 3×10^15 to 1×10^16cm^-3 having the depth of about 3 to 5 μm, are formed on a p-type silicon substrate 1. - 特許庁
地震時において、張出し体延長領域２Ｂを浮上抑制体３に接触させることで、浮上抑制体３の重量及び浮上抑制体上の埋め戻し土の重量によって、マンホール１の浮き上がりを抑止する。例文帳に追加
On the occurrence of an earthquake, the overhanging body extension area 2B is allowed to come in contact with the lift preventer 3, at which the weight of the lift preventer 3 and of backfill soil on the lift preventer 3 prevents the manhole 1 from lifting. - 特許庁
同陵は大阪府藤井寺市青山3丁目の野中ボケ山古墳（前方後円墳・全長120m）に治定される。例文帳に追加
The authorized location of the misasagi is Nonaka Bokeyama-kofun Tumulus (a keyhole-shaped mound of 120 meters in the total length) located at 3-chome, Aoyama, Fujiidera City, Osaka Prefecture.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
上記の方法により製造され、不純物として１×１０^20ｃｍ^-3のＡｌおよび２×１０^18〜７×１０^18ｃｍ^-3のＮを含有することを特徴とするｐ型ＳｉＣ半導体単結晶。例文帳に追加
A p-SiC semiconductor single crystal containing as impurities 1×10^20 cm^-3 Al and 2×10^18 to 7×10^18 cm^-3 N is also provided. - 特許庁
浮上物３の回収量及び／又は厚さは、液面調整手段７を用いたスラリー４の液面４ａの高さの調整、または、掻き取り羽根８の回転速度の調整によって調整することができる。例文帳に追加
The recovery amount and/or thickness of the floater 3 can be regulated by the adjustment of the height of a liquid level 4a of slurry 4 using a liquid level adjusting means 7 or the adjustment of rotary velocity of a scraping blade 8. - 特許庁
浮上式鉄道用超電導磁石の真空層に設置される内槽３において、前記内槽３の表面から内部への熱伝導を小さくするため内槽３に熱絶縁層４を施す。例文帳に追加
An inner tank 3 is provided inside the vacuum tank of a levitated vehicle superconductive magnet, and a thermal insulating layer 4 is provided to the inner tank 3 to reduce heat conduction from the surface to the inside of the tank 3. - 特許庁
窒化物半導体単結晶基板は、ＡｌＮの組成と、１×１０^17ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、３５０〜７８０ｎｍの全波長範囲における５０ｃｍ^-1以下の吸収係数とを有することを特徴としている。例文帳に追加
The nitride semiconductor single crystal substrate has a composition of AlN, a total impurity density of not more than 1×10^17 cm^-3, and an absorption coefficient of not more than 50 cm^-1 in the full wavelength range from 350 to 780 nm. - 特許庁
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「ふじおか３ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 95件
貼付状態検出用センサ３が移動する過程において検査実施すべき複数の検査エリアを示す検査エリア検出信号を生成する。例文帳に追加
An inspection area detection signal showing a plurality of inspection areas to be inspected is formed in the moving process of the bonded state detection sensor 3. - 特許庁
西園寺嬉子（さいおんじきし、藤原嬉子（ふじわらのきし）、中宮嬉子、建長4年（1252年）-文保2年4月25日(旧暦)（1318年5月26日））は、鎌倉時代の亀山天皇の中宮。例文帳に追加
Kishi SAIONJI (also known as FUJIWARA no Kishi and Empress Kishi, 1252 - June 3, 1318) was a chugu (the second consort of an emperor) of Emperor Kameyama during the Kamakura period.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
空気調和機は、正負両イオンを発生するためのイオン発生素子１２と、床面に向かって正負両イオンを噴出するためのイオン噴出手段および床面に落ちている抗原性物質を浮上させるための浮上手段として、送風ファン３および横ルーバ１４を備える。例文帳に追加
This air conditioner is provided with an ion generating element 12 for generating both positive and negative ions, and a blower fan 3 and a horizontal louver 14 serving as an ion jetting means for jetting both positive and negative ions toward the floor face and as a floating means for floating the antigenic substance fallen on the floor. - 特許庁
超音波探触子中の強磁性体不純物が３×１０^-7ｍｏｌ／ｃｍ^3以下であり、漏洩電磁波フリーズ入力手段３１と、これによって超音波撮像装置のデジタル制御部と探触子の信号線及びグランド線を切り離すスイッチ３２を備える。例文帳に追加
The subject device has the ultrasonic search unit containing ferromagnetic impurity not higher than 3×10^-7 mol/cm^3 and is equipped with a leakage electromagnetic wave freeze inputting means 31 and a switch 32 which cuts off a digital control part of the ultrasonic imaging device from a signal line and a ground line of the search unit. - 特許庁
妹が中村玉緒で、夫人が元宝塚スターで参議院議長だった扇千景、長男に中村翫雀(5代目)、次男に中村扇雀(3代目)がいる。例文帳に追加
He has a younger sister, Tamao NAKAMURA; a wife who was an ex-star actress of Takarazuka and an ex-president of the House of Councilors; the first son, who is Ganjaku NAKAMURA (V); and the second son, who is Senjaku NAKAMURA (III).発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
元永3年（1120年）左兵衛佐、保安(元号)元年（1120年）丹後守、従五位上、天治3年（1126年）従四位上、長承3年（1134年）正四位下となるが、異母妹藤原得子が鳥羽上皇の寵愛を受けたことに怒った崇徳天皇によって昇殿を止められる。例文帳に追加
He became Sahyoe no suke (Assistant Captain of the Left Division of the Middle Palace Guards) in 1120, Tango no kami (Governor of Tango Province) and Jugoinojo (Junior Fifth Rank, Upper Grade) in 1120, Jushiijo (Junior Fourth Rank, Upper Grade) in 1126, and Seihiinoge (Senior Fourth Rank, Lower Grade) in 1134, but he was prohibited from having access to the Imperial Court by Emperor Sutoku, who was angry about his half-sister FUJIWARA no Nariko being a favorite of the Retired Emperor Toba.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
元弘3年（1333年）に鎌倉幕府を滅ぼした後醍醐天皇が、洞院実世・万里小路藤房・九条光経の3名を上卿として恩賞業務の審議・調査のために設置した。例文帳に追加
Emperor Godaigo overthrew the Kamakura bakufu in 1333 and set up the Onshogata to deliberate, investigate, and administer Onsho awards, appointing three people, Saneyo TOIN, Fujifusa MADENOKOJI and Mitsutsune KUJO, as the Shokei (a high rank portfolio).発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
基板１上に結晶成長法として分子線エピタキシを用い、不純物としてＡｌを用い、前記ＺｎＴｅの成長条件の最適化を行うことによって、１×１０^17ｃｍ^-3以上の高濃度ｎ型ＺｎＴｅ層２の成長を行う。例文帳に追加
An n-type ZnTh layer 2 doped at a high concentration of 1×10^17 cm^-3 or higher is grown on a substrate 1 by using molecular-beam epitaxy for the crystal growth method, wherein Al is used for the dopant, and growth condition for the ZnTh is optimized. - 特許庁
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