| 意味 | 例文 (53件) |
もつれ形成の英語
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英訳・英語 tangle formation
「もつれ形成」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 53件
第2シリコン窒化膜17を形成し、素子形成領域3cに開口をもつレジストパターン19を形成する(E)。例文帳に追加
A second nitride film 17 is formed, and a resist pattern 19 having an opening in the device forming region 3c is formed (E). - 特許庁
ローズピンク花のために育てられた北半球の高い山の地域のからみついてもつれた草を形成する常緑の低木例文帳に追加
creeping mat-forming evergreen shrub of high mountain regions of northern hemisphere grown for its rose-pink flowers発音を聞く - 日本語WordNet
その後、化学増幅型レジストを用いたリソグラフィーにより、ビアホ−ル8が形成された領域を含むトレンチ形成領域に開口部を持つレジストパターン11aを形成する。例文帳に追加
After that, a resist pattern 11a having an opening at a trench forming region including a region formed with the via-hole 8 is formed by the lithography using the chemical amplification resist. - 特許庁
その後、化学増幅型レジストを用いたリソグラフィーにより、ビアホ−ル8が形成された領域を含むトレンチ形成領域に開口部を持つレジストパターン10aを形成する。例文帳に追加
After that, by means of lithography using the chemical amplification resist, a resist pattern 10a with an opening in a trench formation region including the region where the via-hole 8 is formed, is formed. - 特許庁
露光装置の解像限界以下のパターン寸法を持つレジストパターンを均一に形成することができるレジストパターン形成方法を得る。例文帳に追加
To provide a method for forming a resist pattern for uniformly forming a resist pattern having pattern dimensions which are not more than the limit of the resolution of an exposure device. - 特許庁
出力部4を形成する際の不純物を導入する際に、撮像部2にマスク層52を形成し、出力部4に不純物の導入のためのパターンをもつレジスト膜53を形成する。例文帳に追加
In introducing the impurities when forming the output section 4, a mask layer 52 is formed in the image sensing section 2, and then a resist film 53 with a pattern for introducing the impurities to the output section 4 is formed. - 特許庁
半導体基板11上に、2つの光導波路13,14を持つレーザ部12が形成されている。例文帳に追加
A laser section 12 having two optical waveguides 13, 14 is formed on a semiconductor substrate 11. - 特許庁
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「もつれ形成」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 53件
ビアホールが形成された低誘電率膜の上に、化学増幅型レジストを用いたリソグラフィーにより、所望のトレンチパターンを持つレジスト膜を形成できるようにする。例文帳に追加
To form a resist film with a desired trench pattern on a low dielectric constant film where a via-hole is formed, by means of lithography using a chemical amplification resist. - 特許庁
ビアホールが形成された低誘電率膜の上に、化学増幅型レジストを用いたリソグラフィーにより、所望のトレンチパターンを持つレジスト膜を形成できるようにする。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a semiconductor device whereby a resist film with a desired trench pattern can be formed on a low dielectric constant film formed with a via-hole by means of lithography using a chemical amplification resist. - 特許庁
ビアホールが形成された低誘電率膜の上に、化学増幅型レジストを用いたリソグラフィーにより、所望のトレンチパターンを持つレジスト膜を形成できるようにする。例文帳に追加
To form a resist film having a desired trench pattern on a low dielectric constant film, on which a via-hole is formed, by lithography employing a chemically amplified resist. - 特許庁
炭素含有シリコン酸化膜5にビアホ−ル8を形成した後、少なくともビアホ−ル8の壁面上に保護膜9を形成し、その後、化学増幅型レジストを用いたリソグラフィーにより、ビアホ−ル8が形成された領域を含むトレンチ形成領域に開口部を持つレジストパターン10aを形成する。例文帳に追加
The via-hole 8 is formed on a carbon containing silicone oxide film 5, thereafter, a protective film 9 is formed on at least the wall surface of the via-hole 8, and then, a resist pattern 10a, having an opening in a trench forming region including a region having the via-hole 8 therein, is formed by the lithography employing the chemically amplified resist. - 特許庁
光源であるレーザーの位置ずれの許容値を大きくできる構成を持つレーザープリンター等の画像形成装置である。例文帳に追加
To obtain an image forming device such as a laser printer having constitution by which the tolerance value of the positional deviation of a laser being a light source can be made large. - 特許庁
光源であるアレイレーザーの位置ずれの許容値を大きくできる構成を持つレーザープリンター等の画像形成装置である。例文帳に追加
To obtain an image forming device such as a laser printer having constitution by which the tolerance value of the positional deviation of an array laser being a light source can be made large. - 特許庁
少なくとも前記螺旋部を筒状に覆う筒部と、前記筒部の少なくとも一方の端部に形成され、前記金具部に着接するための止着部とを備える、もつれ防止具を提供する。例文帳に追加
The kinking prevention tool is provided with a tubular part covering at least a spiral part in a tubular form and an attachment part which is formed at at least one end of the tubular part and is used for attachment to a metal fitting part. - 特許庁
解像度と焦点深度とを同時に満たし、露光波長の(1/2)未満の最小サイズを持つレジストパターンを形成し得る方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for realizing a formation of a resist pattern having a minimum size of less than an exposure wavelength (1/2) by simultaneously satisfying a resolution and a focal depth. - 特許庁
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tangle formation
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