モデル拡散長の英語

それぞれの拡散層に対応する拡散層長依存パラメータが反映されるトランジスタモデルを容易に作成するトランジスタモデル生成装置、トランジスタモデル生成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a transistor model generation device and a transistor model generation method, easily creating a transistor model reflecting a diffusion layer length-dependent parameter corresponding to each diffusion layer. - 特許庁

トランジスタモデル登録部は、拡散層長依存パラメータに基づいてトランジスタモデルを登録する。例文帳に追加

A transistor model registration part registers the transistor model on the basis of the diffusion layer length-dependent parameter. - 特許庁

トランジスタの拡散層長依存性を組み込んだ回路シミュレーション装置およびトランジスタモデル作成方法例文帳に追加

CIRCUIT SIMULATION DEVICE INTEGRATED WITH DIFFUSED LAYER LENGTH DEPENDENCY OF TRANSISTOR AND TRANSISTOR MODEL CREATION METHOD - 特許庁

最小寸法（ＣＤ）の計算で使用するレジスト・モデルの較正におけるガウシアン拡散カーネルが異なる方向に同じ拡散長を有する制限をなくしたシミュレーション・プロセスの提供。例文帳に追加

To provide a simulation process in which limitations are eliminated, the limitation being that Gaussian diffusion kernels have the same diffusion length in the different directions in calibration of a resist model used in critical dimension (CD) calculation. - 特許庁

拡散層依存パラメータ補正手段４は、ＭＯＳトランジスタのトランジスタモデル２および種々の拡散層長のトランジスタから抽出した拡散層長依存パラメータのデータからこれらのパラメータの拡散層長依存性の近似式を作成し、作成した近似式を用いて元のパラメータの値と置き換えるパラメータの補正値を計算する。例文帳に追加

A diffused layer dependency parameter correcting means 4 creates the diffused layer length dependent approximate formula of parameters from a transistor model 2 of an MOS transistor and the data of diffused layer length dependency parameters extracted from various diffused layer length transistors, and calculates the correction value of a parameter to be replaced with the value of the original parameter by using the created approximate formula. - 特許庁

拡散層長が異なるＭＯＳトランジスタのモデルを短時間に容易に作成できる回路シミュレーション装置およびモデル作成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a circuit simulation device and a model creation method capable of quickly and easily creating the models of MOS transistors whose diffused layer length is different. - 特許庁

これにより補正値を元のパラメータの値と容易に置き換えでき、拡散層長ＤＬの異なるＭＯＳトランジスタのトランジスタモデルを作成できる。例文帳に追加

Thus, it is possible to easily replace the correction value with the value of the original parameter, and to create the transistor models of MOS transistors whose diffused layer length DL is different. - 特許庁