よりきちょうあきばの英語

自立基板の製造にあたり、種結晶基板としてＳｉＣ基板６の表面上に昇華法により成長材料としてＡｌＮを成長させるとともに、成長材料の成長時に種結晶基板を昇華させる。例文帳に追加

When a self-standing substrate is produced, AlN is grown as a growth material by a sublimation method on the surface of an SiC substrate 6 serving as a seed crystal substrate, and at the same time, the seed crystal substrate is sublimated during growth of the growth material. - 特許庁

次に、第１基板および第２基板を一対の基板保持手段によりそれぞれ保持しつつ、これらの基板の貼り合わせ位置を調整する（ＳＴ８）。例文帳に追加

Then, while the first substrate and the second substrate are respectively held by a pair of substrate holding means, the lamination position of the substrates is adjusted (ST8). - 特許庁

成長基板の除去により製造される共振キャビティＩＩＩ族窒化物発光装置例文帳に追加

RESONANCE CAVITY GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURED BY REMOVING GROWTH SUBSTRATE - 特許庁

スピンコーティング法を用いて所定の塗液が塗布された基板を載置して該基板を加熱する加熱プレートを有する基板加熱装置であって、基板外周部の基板温度を、基板外周部より内側の基板内部の基板温度より低くする手段を有することを特徴とする基板加熱装置である。例文帳に追加

A substrate heating apparatus having a heating plate on which a substrate on which a predetermined applied liquid is applied using a spin coating method is mounted to heat the substrate, has a means of lowering a substrate temperature of a substrate outer periphery below a substrate temperature of a substrate interior inside the substrate outer periphery. - 特許庁

接続端子５ｂ，５ｃの基板本体５ａからの基板厚み方向の突出長は、他の電子部品の突出長より長い。例文帳に追加

The projection length of the connection terminals 5b, 5c from the board body 5a is longer than that of the other electronic component. - 特許庁

この選択成長により得られる窒化物半導体基板は横方向成長を利用した低欠陥基板である。例文帳に追加

The nitride semiconductor substrate, that is obtained by the selective growth, is a low-defect substrate utilizing lateral growth. - 特許庁

さらにサファイア基板の裏面より、例えば高出力短波長パルスレーザであるＹＡＧレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）を照射する。例文帳に追加

Furthermore, third harmonics (wavelength is 355nm) of a YAG laser are emitted from the rear side of the sapphire substrate. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。例文帳に追加

A base film 2 comprising a group III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor-phase growth method. - 特許庁