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らせん抵抗素子の英語

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日英・英日専門用語辞書での「らせん抵抗素子」の英訳

らせん抵抗素子


「らせん抵抗素子」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 13



例文

抵抗素子を用いた力センサおよび加速度センサならびにその製造方法例文帳に追加

FORCE SENSOR AND ACCELERATION SENSOR USING RESISTANCE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

特に上記負荷素子は、誘導抵抗若しくはシリコン抵抗から選択され、又は、周波数に反比例するノイズを最適化するように選択されたサイズの抵抗によって構成される。例文帳に追加

Specially, the load element is selected between an induction resistance and a silicon resistance or composed of a resistance of size selected so as to optimize the noise in inverse proportion to the frequency. - 特許庁

マイコン20は、濃度検出のためにセンサ素子部11に印加した電圧を素子抵抗検出用の電圧に所定の時定数を持たせて変化させ、その時の電圧変化とそれに伴う電流変化とからセンサ素子部の抵抗値を検出する。例文帳に追加

The microcomputer 20 changes the voltage applied to the sensor element part 11 while imparting a prescribed time constant to the element detecting voltage, and detects the resistance value of the sensor element part from the voltage change at that time and the current change accompanying it. - 特許庁

マイコン200は、電圧変化量と電流変化量との比からセンサ素子抵抗値を算出すると共に、素子抵抗の算出時に計測した、印加電圧の変化に応答する電流値をモニタし、該モニタした電流値に基づいてセンサ制御系の異常を検出する。例文帳に追加

A micro-computer 200 calculates a resistance value of the sensor element, based on a ratio of the voltage variation to the current variation, and monitors the current value responding to the variation of the impressed voltage measured in the calculation of element resistance to detect the abnormality in the sensor control system, based on the monitored current value. - 特許庁

また、センサ素子11にバイアス電圧が与えられると、センサ素子11からセンサ素子11の抵抗値に応じた温度測定信号が出力され、信号処理部41で増幅される。例文帳に追加

When a bias voltage is applied to the sensor element 11, the temperature measurement signal matching the resistance value of the sensor element 11 is output from the sensor element 11 and amplified by the signal processing unit 41. - 特許庁

本発明は、抵抗素子、容量素子及び整流素子から選択された1個又は複数個が具備された保護手段を各画素に設けた半導体装置を提供する。例文帳に追加

A semiconductor device is provided with a protective means having one or more pieces selected from a resistance element, a capacitive element, and a rectifying element in each pixel. - 特許庁

例文

そして、前記ヒーターの通電を制御するヒーター回路65bからヒーター電圧,ヒーター電流を測定し、該ヒーター電圧,ヒーター電流からヒーターの抵抗値を求め、更に、前記抵抗値からセンサ素子61の内部温度を推定する。例文帳に追加

A heater voltage and a heater current are measured from a heater circuit 65b for controlling energization of the heater, and a resistance value of the heater is acquired from the heater voltage and the heater current, and the internal temperature of the sensor element 61 is estimated from the resistance value. - 特許庁

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「らせん抵抗素子」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 13



例文

パワースイッチング素子Swに電流が流れる場合にはダイオード54に順方向電流が流れることから、センス端子ST及びエミッタ間の電気経路の抵抗値は抵抗体52,56の並列接続に応じたものとなる。例文帳に追加

When a current flows in the power switching element Sw, a forward current flows in the diode 54, and so a resistance value of an electric path between the sense terminal ST and the emitter E is the one complying with a parallel connection between the resistors 52 and 56. - 特許庁

半導体記憶装置は、相変化素子、金属酸化物抵抗素子、及び、固体電解質素子のいずれかを有する複数のメモリセル及び参照セルを含むメモリアレイと、複数のメモリセルのうちから選択された選択セルのデータを読み出す読み出し回路とを具備する。例文帳に追加

The semiconductor memory device is provided with a memory array including a plurality of memory cells having any of phase change elements, metal oxide resistance elements, and solid electrolytic elements, and a reference cell, and a reading circuit for reading data of a cell selected from the plurality of memory cells. - 特許庁

可変抵抗素子が、負荷回路の負荷抵抗特性又は前記電圧発生回路からの発生電圧条件の何れか一方、又は双方を変更することで設定された遷移条件の下で電圧発生回路14からの発生電圧が印加されると、少なくとも3つの異なる抵抗特性の中から選択される一の抵抗特性に対して選択的に遷移され、少なくとも3値の情報の記憶が可能に構成されている。例文帳に追加

When a voltage generated by the voltage generation circuit 17 is applied under a transition condition determined by changing any one or both of the load resistance characteristic of load circuit and the condition of the generated voltage from the voltage generation circuit, the resistance characteristic is selectively changed to one of at least three different resistance characteristics, and at least ternary information can be stored in the variable resistance element. - 特許庁

磁気抵抗素子を有する複数のメモリセル及び参照セルを含むメモリアレイと、複数のメモリセルのうちから選択された選択セルのデータを読み出す読み出し回路9とを具備する半導体記憶装置を用いる。例文帳に追加

The semiconductor storage device is provided with; a memory array which includes a plurality of memory cells which have magnetoresistive elements and reference cells; and a reading circuit 9 which reads out the data of selection cells selected from among the plurality of memory cells. - 特許庁

第1領域RAには、能動素子(トランジスタなど)および受動素子抵抗、容量など)の少なくともいずれかの電気的評価を行うための第1モニター、寸法管理を行うための第2モニター、および、膜厚測定を行うための第3モニターから選択された少なくとも1つのモニターが配置されている。例文帳に追加

In the first region RA, at least one monitor selected from among a first monitor for electrically evaluating at least one of active elements (transistors etc.) and passive elements (resistances, capacitors etc.), a second monitor for size management and a third monitor for film thickness measurement is arranged. - 特許庁

例文

下部電極21と、下部電極上に形成されたHfO、ZnO、InZnOまたはITOのうちから選択されたいずれか一つの物質から形成された中間層22と、中間層上に形成されたNiO層23と、NiO層上に形成された上部電極24とを備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。例文帳に追加

The non-volatile memory element contains a variable resistance substance and includes a lower electrode 21, an intermediate layer 22 which is formed on the lower electrode and is composed of one substance selected among HfO, ZnO, InZnO or ITO, an NiO layer 23 formed on the intermediate layer, and an upper electrode 24 formed on the NiO layer. - 特許庁

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「らせん抵抗素子」の英訳に関連した単語・英語表現
1
helical resistive element 日英・英日専門用語

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