りらてぃぶはいぷそぐらふぃーの英語

続いて、上部ギャップ層上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィ技術により媒体対向面となる端面から所定のスロートハイトが得られる位置までレジスト層を除去する。例文帳に追加

Subsequently, a resist layer is formed on the upper gap layer and the resist layer is removed to the position where a predetermined throat height is obtained from an end face which becomes a face opposed to a medium by a photolithographic technology. - 特許庁

本発明は、極紫外線の放電プラズマソースあるいはレーザー生成プラズマソースとの使用に適し、かつ、ソース内のあるいはソース付近のガスが、装置のさらに別の部分に入り込むのを制限するリソグラフィ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a lithography apparatus which is suitable for use in a discharge plasma source of extreme ultraviolet ray or a laser generation plasma source and restricts that gas in the source or near the source enters the other portion of the apparatus. - 特許庁

電子線またはＥＵＶ（極紫外光）によるリソグラフィプロセスにおいて、装置内の汚染を防ぐことができるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a resist composition and resist pattern forming method which can prevent contamination in a device in a lithography process by an electron beam or EUV(extreme-ultraviolet radiation). - 特許庁

放射線ビームを生成する放射線ソースを含む放射線システム、および放射線ビームの経路に配置構成された汚染物質トラップを含むリソグラフィ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a lithographic device having a radiological system including a radiation source for generating a radiation beam, and a contaminated material trap arranged and constituted on the path of the radiation beam. - 特許庁

フォトリソグラフィーとドライエッチングとによって第１の層間絶縁膜２０４と第１の金属層２０３と絶縁膜２０２の一部とを選択的に除去して、第１の配線を形成した後、プラズマＣＶＤ装置を使用して第２の層間絶縁膜２１２を形成する。例文帳に追加

After a first wiring is formed by selectively removing a part of the first interlayer insulating film 204, the first metal layer 203, and the insulating film 202 by photolithography and dry- etching, a second interlayer insulating film 212 is formed using a plasma CVD apparatus. - 特許庁

フォトリソグラフィーとドライエッチングとによって第１の層間絶縁膜２０４と第１の金属層２０３と絶縁膜２０２の一部とを選択的に除去して、第１の配線を形成した後、プラズマＣＶＤ装置を使用して第２の層間絶縁膜２１２を形成する。例文帳に追加

After a first wiring is formed by selectively removing a part of the first interlayer insulating film 204, the first metal layer 203, and the insulating film 202 through photolithography and dry-etching, a second interlayer insulating film 212 is formed using a plasma CVD device. - 特許庁

インプリント・テンプレート又はインプリント・テンプレートを保持するように構成されたテンプレート・ホルダと、基板を受けるように構成された基板テーブルとを有し、さらに、基板テーブル及びインプリント・テンプレート又はテンプレート・ホルダと共に、周囲の領域から実質的に密閉された密閉空間を形成するように構成された壁を備えたリソグラフィ装置が開示される。例文帳に追加

The lithographic device has an imprint template or a template holder configured to hold an imprint template, and a substrate table constituted to receive a substrate, the device further including walls which together with the substrate table and the imprint template or the template holder, are configured to form an enclosed space which is substantially sealed from a surrounding space. - 特許庁

プラズマの形態であるＥＵＶ放射源は、ＥＵＶリソグラフィ装置内の放射源コレクタモジュールの出口アパーチャを通過するように仮想放射源点に合焦される。例文帳に追加

An EUV radiation source in the form of a plasma is focused at a virtual source point so as to pass through an exit aperture of a source collector module in an EUV lithographic apparatus. - 特許庁