いくつかの実施形態では、システムは、メモリ・ポインタをあるメモリ位置についての物理的なメモリ・アドレスに変換する命令を受領する。例文帳に追加

In some embodiments, the system receives an instruction to translate a memory point to a physical memory address about a certain memory position. - 特許庁

メモリモジュール１は、計時カウンタ部１３、メモリ制御部１４、メモリ部１５の他、無線タグ部１６を備える。例文帳に追加

A memory module 1 comprises a timer counter 13, a memory control part 14, a memory 15 and a radio tag 16. - 特許庁

係数メモリ１１０内に、所定の記憶容量を有するメモリモジュール１１１_1 〜１１１_n を設ける。例文帳に追加

A coefficient memory is provided with memory modules 1111-111n with a prescribed storage capacity. - 特許庁

第１のメモリ及び第２のメモリを選択する切り替え信号により、第１のメモリ或いは第２のメモリの何れかから、フィルタ係数の組が取り出される。例文帳に追加

A group of filter coefficients is taken out from one of the first memory and the second memory by a switching signal for selecting the first memory and the second memory. - 特許庁

一実施形態では、メモリデバイスは、不揮発性メモリアレイ(302)と、メモリアレイ(302)と共に基板上に集積された不揮発性バッファ化メモリインターフェースとを備えることができる。例文帳に追加

In an embodiment, the memory device is provided with a nonvolatile memory array 302 and a nonvolatile buffered memory interface integrated therewith on a substrate. - 特許庁

読出し制御回路３５はＦＩＦＯ３２からアドレス及びデータを読出し、他系メモリ交差バスあるいは自系メモリへのライトを行う。例文帳に追加

A reading control circuit 35 reads addresses and data from the FIFO 32, and writes them in the other system memory cross bus or its own system memory. - 特許庁

そして、本体メモリセル部２とリダンダンシメモリセル部１との間には、ａ＜ａｒ１、ｂ＝ｂｒ１及びｃ＜ｃｒ１で表される関係がある。例文帳に追加

The relationships a<ar1, b=br1, and c<cr1 exist between the main body memory cell part 2 and the redundancy memory cell part 1. - 特許庁

メモリカード１００は、箱状に形成される印刷回路基板を含む。例文帳に追加

A memory card 100 includes a box-shaped printed circuit board. - 特許庁

第１メモリは、画像形成装置による印字についてのデータを記憶する。例文帳に追加

A first memory stores data to be printed by the image formation apparatus. - 特許庁

メモリセルＰ型ウェル１３にトレンチ領域１４を形成する。例文帳に追加

A trench area 14 is formed on a memory cell P-type well 13. - 特許庁

乗算及び累算ユニットがデータメモリから入力信号を読取り且つ係数メモリから係数ベクトルを読取って畳込みを実施する。例文帳に追加

A multiplication and accumulation unit reads the input signal from the data memory and reads the coefficient vector from the coefficient memory to execute convolution. - 特許庁

多くのメモリカード形式を受け入れることのできる一体化したメモリカード読取装置を備えた情報入力装置を提供する。例文帳に追加

To provide an information input device provided with an integrated memory card reader capable of accepting many memory card formats. - 特許庁

メモリに記憶する全てデータ、全ての系統の系統データ、各系統毎のデータ、各系統における所定種類のデータ、個別種データの各系統毎のデータ、個別種データの全て、共有メモリ、共有メモリ内の複数系統共有メモリのいずれかの単位で外部記憶媒体に一括出力する。例文帳に追加

Also, the data are inputted in a batch from the external storage medium in the same way. - 特許庁

つまり、デジタルフィルタをチャネルデバイダ３として使用する場合は、左右の両系統の係数メモリであるＲｉｇｈｔ係数メモリ４およびＬｅｆｔ係数メモリ５に、同じ係数データを書込むことになる。例文帳に追加

In other words, when a digital filter is used as the channel divider 3, the same coefficient data is written in a right coefficient memory 4 and a left coefficient memory 5 being coefficient memories for both right and left systems. - 特許庁

楽音波形を記憶した波形メモリ２１と、波形メモリあるいは拡張波形ボード２０の特性（特にアクセスタイム）を記憶した特性メモリ２２とが搭載された拡張波形ボード２０を用意する。例文帳に追加

An extended wave board 20 in which waveform memory 21 with a stored musical sound waveform, and characteristic memory 22 storing a characteristic (especially, an access time) of the waveform memory or the extended waveform board 20 are mounted is prepared. - 特許庁

メモリ交差制御回路の書込み制御回路３１は自系メモリライトアクセスあるいは他系からのメモリ交差バス経由の転送データを内部バッファであるＦＩＦＯ３２に書込む。例文帳に追加

A writing control circuit 31 of a memory cross control circuit writes transfer data through its own system memory write access or the other system memory cross bus in an FIFO 32 being an inside buffer. - 特許庁

一方、データフラッシュメモリセルでは、コントロールゲート電極１４ｂの両側の側壁にメモリゲート電極２２ｂ、２２ｃを形成する。例文帳に追加

For the data flash memory cell, on the other hand, memory gate electrodes 22b, 22c are formed on sidewalls at both sides of the control gate electrode 14b. - 特許庁

本発明の実施の形態によるメモリ処理システムは、システムコントローラ１と複数のメモリモジュール１０００Ａ、…とを備える。例文帳に追加

The memory processing system in this invention is provided with a system controller 1 and a plurality of memory modules 1000A.... - 特許庁

種類の異なる複数のメモリを同一の基板上に形成することが容易な強誘電体メモリ装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device capable of easily forming a plurality of different types of memories on the same substrate, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

メモリの不良類型に相応する冗長セルに代替する冗長回路を備えた半導体メモリ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory having a redundancy circuit substituted for a redundancy cell corresponding to a defective type of a memory. - 特許庁

印刷管理装置は、ログメモリ２４ｄと、許容量メモリ２４ｅと、計数部と、算出部と、出力部とを有する。例文帳に追加

The printing managing apparatus includes a log memory 24d, an allowed amount memory 24e, a counting unit, a calculating unit, and an output unit. - 特許庁

報告を受け取った計算機のＦ／Ｗは、メモリミラーリングによって、ＯＳが参照できないメモリをＨｏｔ‐Ｒｅｍｏｖｅする。例文帳に追加

The F/W of the computer hot-removes, upon receipt of the report, a memory in accessible from the OS by memory mirroring. - 特許庁

１本のデータバスを複数の同型メモリユニットから構成される並列構成に接続するメモリインターフェースが提供される。例文帳に追加

A memory interface connecting a single data bus to a parallel configuration composed of a plurality of uniform memory units is provided. - 特許庁

被検者２９を通過したＸ線１２Ｂは異なるメモリ蛍光体Ｌ１，Ｌ２を含む２つのメモリ層７，１１により検出される。例文帳に追加

A X-ray 12B passing through the subject 29 is detected by the two memory layers 7, 11 containing the different memory fluorophores L1, L2. - 特許庁

形状変換アダプタを用いて複数の種類のメモリーカードのホスト装置で利用できる統合的なメモリーカードを作成する。例文帳に追加

To provide an integrated-type memory card which can be used on a host device for a plurality of kinds of memory cards with the use of a shape transformation adaptor. - 特許庁

本メモリ装置はメモリセルからなる複数個のコアバンク及び形態特定情報を格納している１組の格納要素を有している。例文帳に追加

The memory device has a plurality of core banks consisting of memory cells and a set of storage elements having stored therein configuration information. - 特許庁

一方のバッファメモリから波形メモリに波形データを転送している際においても、ハードディスク３６から他方のバッファメモリに他の波形データを転送することができる。例文帳に追加

Even when the waveform data are transferred from one buffer memory to the waveform memory, other waveform data can be transferred from the hard disk 36 to the other buffer memory. - 特許庁

メモリセル８０は、四角柱形状の素子形成領域１００にメモリトランジスタＴＲ１乃至３とＴＭＲ素子ＴＭＲ１が設けられた３Ｔ１Ｊ型の３次元構造のメモリセルである。例文帳に追加

A memory cell 80 has a 3T1J type three-dimensional structure in which memory transistors TR1 to TR3 and a TMR element TMR1 are provided in an element formation region 100 in a square-pole shape. - 特許庁

見た後で、あるいは再生した後で、ユーザは携帯電子デバイスのメモリカードスロットにメモリカードスロットを簡単に挿入して、メモリカードスロットが紛失したり、あるいはどこかに置き忘れたりすることを防止できる。例文帳に追加

After viewing or playing, the user can simply insert the remote controller into the memory card slot of a portable electronic device to prevent the remote controller from getting lost or being misplaced somewhere else. - 特許庁

形状および寸法が異なる第１のメモリーカードおよび第２のメモリーカードを互いに排他的に収容しても、本体内の第１接触部あるいは第２接触部により第１のメモリーカードあるいは第２のメモリーカードに傷が生じないカードコネクタを提供する。例文帳に追加

To provide a card connector which will not damage a first memory card or a second memory card with a first contact part or a second contact part in a main body, even when the first memory card and the second memory card of different shapes and sizes are housed mutually exclusively. - 特許庁

ダミーメモリセル１ａの書き込み所要時間が、メモリセル１への書き込み所要時間の最大値以上になるように、ダミーメモリセル１ａやその周辺回路を設計する。例文帳に追加

The dummy memory cell 1a and its peripheral circuit are designed so that a time required for writing of the dummy memory cell 1a becomes the maximum value or more of a time required for writing for the memory cell 1. - 特許庁

制御ゲートスペーサを有する一連の半導体メモリ浮動ゲートメモリセルを形成する自己調整方法及びそれにより形成されるメモリアレイ例文帳に追加

SELF ADJUSTMENT METHOD FOR FORMING A SERIES OF SEMICONDUCTOR MEMORY FLOATING GATE MEMORY CELLS WHICH HAVE GATE SPACER, AND MEMORY ARRAY FORMED BY THE METHOD - 特許庁

画像形成装置に、不揮発性メモリを装着できるインターフェイスを設けておき、不揮発性メモリが装着されると、不揮発性メモリにあらかじめ記憶されていた一連の操作手順が、画像形成装置に表示される。例文帳に追加

An interface capable of mounting the nonvolatile memory thereto is provided for the image formation device, and the series of operation procedures previously stored in the nonvolatile memory are displayed on the image formation device when the nonvolatile memory is mounted. - 特許庁

１単位の半導体チップ１にＮＯＲ型メモリセルトランジスタを含むＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域２とＤＩＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域３とが作り込まれている。例文帳に追加

On a semiconductor chip 1 as a unit, a NOR-type flash memory forming area 2, including NOR type memory cell transistors and a DINOR-type flash memory formation area 3 are formed. - 特許庁

POSIX 共有メモリは、より簡単で、うまく設計されたインタフェースを提供している。 一方で、POSIX 共有メモリは System V 共有メモリと比べると利用できるシステムが少ない (特に、古いシステムでは少ない)。例文帳に追加

POSIX shared memory provides a simpler, and better designed interface; on the other hand POSIX shared memory is somewhat less widely available (especially on older systems) than System V shared memory.発音を聞く  - JM

あるいは、設計データ内のメモリや参照データ内のメモリに書き込みイベントが発生する毎に、両メモリへの書き込みデータどうしを比較する。例文帳に追加

Alternatively, each time a writing event occurs in a memory in the design data and a memory in the reference data, written data to both the memories are compared. - 特許庁

ビット線対配線層１５に沿う方向に隣接して配置される第１，第２のメモリセル１，２がその方向に非対称のレイアウトを有しており、この第１，第２のメモリセル１，２で一つのメモリセル群を形成する。例文帳に追加

First and second memory cells 1 and 2, which are arranged adjacent to each other in the direction of a paired bit line interconnection layer 15, have an asymmetrical layout in the same direction, and form a single memory cell group. - 特許庁

また、累積度数分布の形状が概略直線であるＯＴＰメモリにおいては、この累積度数分布を用いてメモリ素子の書き込みに最適な電圧の値を推定し、メモリ素子の書き込みに最適な電圧を設定することにより、消費電力を低減させたＯＴＰメモリを提供することができる。例文帳に追加

In the OTP memory where a shape of the cumulative frequency distribution is substantially linear, the OPT memory of reduced power consumption is provided, by estimating the value of a voltage optimal for writing of the memory element by using the cumulative frequency distribution, and setting a voltage optimal for writing of the memory element. - 特許庁

本発明の実施の形態による半導体集積回路は、メモリアレイ、メモリアレイへのデータの書込みおよびメモリアレイからのデータの読出しを行なうための入力回路、出力回路、ならびにメモリアレイ、入力回路および出力回路を内包する１００個のピンを含むパッケージとを備える。例文帳に追加

This semiconductor integrated circuit is provided with a memory array, an input circuit and an output circuit for performing writing data in the memory array and reading out data from the memory array, and a package incorporating the memory array, the input circuit, and the output circuit and comprising 100 pins. - 特許庁

計算機システム上で動作するアプリケーションに対して、実行に必要なメモリの獲得を予約によって予め保証した場合、実行時にシステムのメモリに余裕があっても、予約分以上のメモリを利用できないため、メモリ使用効率が悪い。例文帳に追加

To provide a method and a system for managing memory, which can effectively utilize the unutilized capacity of more than a half of the memory during the execution of an application program when the memory is reserved and guaranteed for executing the application program run on a computer system. - 特許庁

一の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルを備えたメモリセルアレイと、選択メモリセルに読み出し電圧を印加するとともに、非選択メモリセルに読み出しパス電圧を印加して読み出し動作を実行する制御回路とを備える。例文帳に追加

A nonvolatile semiconductor storage device relating to one embodiment includes a memory cell array provided with a plurality of memory cells, and a control circuit for applying read-out voltage to a selected memory cell and also applying read-out pass voltage to a non-selected memory cell to execute read-out operation. - 特許庁

したがって、パソコン１によれば、メモリソケット１４にメモリモジュール１３が装着されていない場合でも、メモリコントローラ７とオンボードメモリ１２との間を伝送される信号の波形の乱れ、つまり信号の反射を極力抑えることができる。例文帳に追加

With such a PC therefore, even when the memory module 13 is not packaged in the memory socket 14, the disturbance of a signal, namely, the reflection of a signal to be transmitted/received between the memory controller 7 and the on-board memory 12 can be suppressed as much as possible. - 特許庁

メモリカセット２００がメモリ情報記録再生装置本体１００の挿入口１１０に挿入されると、挿入口１１０内に設けられた磁石３００がメモリカセット２００の光透過窓２２０形成面をメモリアクセス部１１３に近接する位置まで引き付ける。例文帳に追加

When a memory cassette 200 is inserted into an insertion port 110 of a memory information recording/reproducing device body 100, a magnet 300 provided in the insertion port 110 draws the formation surface of a light transmission window 220 of the memory cassette 200 up to a position which is close to a memory access part 113. - 特許庁

次に、メモリカード２に記憶されているデータの種類に基づく報知を行い、その報知から所定時間経過後に、メモリカードに記憶されているデータを外部装置内のメモリカード２に記憶されているデータをメモリカード挿入スロット１１を介して入力して記憶する。例文帳に追加

The data management system makes report based on a kind of data stored in a memory card 2 and receives and stores data stored in the memory card 2 in an external device via a memory card insertion slot 11 after a lapse of a prescribed time from the report. - 特許庁