を絶縁体で覆うの英語

半導体装置構造を半導体基材１０内及び上に形成し絶縁層１８で覆う。例文帳に追加

A semiconductor device structure is formed in and on semiconductor base material 10 to be covered with an insulation layer 18. - 特許庁

また、クサビ導体５を絶縁層の貫通穴より大きく形成し端部を絶縁層で覆う構造とすることにより導体と絶縁層の接する面積を大きくし接続強度の確保が可能になる。例文帳に追加

Furthermore, a wedge conductor 5 is formed larger than the through hole in the insulation layer so as to cover its end with the insulation layer, thereby enlarging an area where the conductor is in contact with the insulation layer and securing connection strength. - 特許庁

絶縁性を有する板状の絶縁板本体２１に、電解液が挿通可能な注入孔２１ａを貫通して設けるとともに、絶縁板本体２１の片面に注入孔２１ａを覆うようにフィルタ部材２２を設けた。例文帳に追加

A pouring hole 21a capable of pouring the electrolyte is pierced in a plate-like insulating plate body 21, and a filter member 22 is installed so as to cover the pouring hole 21a on one surface of the insulating plate body 21. - 特許庁

さらに、半導体装置が電気的接続された基板に半導体装置を覆う第２の絶縁樹脂層を形成し、第２の絶縁樹脂層を加熱するとともに第１の絶縁樹脂層を硬化させる。例文帳に追加

In addition, a second insulating resin layer for covering the semiconductor device is formed on the board where the semiconductor device is electrically connected to heat the second insulating resin layer, and at the same time the first insulating resin layer is cured. - 特許庁

次いで、半導体層４ａ、４ｂを覆うパッシベーション絶縁膜７を成膜する。例文帳に追加

Then, a passivation insulation film 7, covering the semiconductor layers 4a and 4b, is formed. - 特許庁

コア基材６の上に半導体素子７を接着し、その上を絶縁層８で覆う。例文帳に追加

A semiconductor element 7 is bonded on a core base material 6 and the upper part thereof is covered with an insulation layer 8. - 特許庁

絶縁電線３と光ケーブル４とを一体モールドによる樹脂シース１６で覆う。例文帳に追加

Insulated wires 3 and the optical cable 4 are covered with a resin sheath 16 by integral molding. - 特許庁

ゲート電極の側壁部を覆う絶縁体からなるサイドウォールを形成する。例文帳に追加

Sidewalls consisting of insulators to cover sidewalls of the gate electrode are formed. - 特許庁