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アニー2の英語
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英訳・英語 Annie: A Royal Adventure!
「アニー2」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 134件
レーザーアニール処理は250〜5000mJ/cm^2のエネルギー密度で行われる。例文帳に追加
The laser annealing is performed under the energy density of 250-5,000 ml/cm2. - 特許庁
アニールゾーン2においてウェーハ4は、アニール用放射源23からの放射エネルギーで改質する。例文帳に追加
In the annealing zone 2, the wafer 4 is modified by radiant energy from a radiation source 23 for annealing. - 特許庁
本発明に従って当該石英ガラス素材に第2のアニール処理をし、この第2のアニール処理では、350℃から800℃の範囲の低いアニール温度で、1時間以上加熱する。例文帳に追加
In accordance with the invention, second annealing is performed to the quartz glass stock, and, in the second annealing treatment, heating is performed at a low annealing temperature in the range of 350 to 800°C for one hour or more. - 特許庁
アニール処理によるレーザ光の照射の際に、被処理基板2へ転写用パターン9を転写して、位置合わせマークを形成するアニール処理方法及びアニール処理装置である。例文帳に追加
At the time of projecting laser light for performing annealing, alignment marks are formed by transferring the patterns 9 to the substrate 2. - 特許庁
タッチパネルシートは、製造工程においてアニール処理される場合の熱収縮を防ぐために、アニール処理をする前に予め第一、第二の樹脂フィルム1、2を熱収縮させてプレアニール処理が行われる。例文帳に追加
A touch panel sheet is pre-annealed by heat-shrinking first and second resin films 1 and 2 in advance before being annealed in order to prevent heat shrinkage when annealed in a manufacturing process. - 特許庁
層2の厚さを位置により異なるものとして、シリコンをレーザーアニールする。例文帳に追加
The thickness of the layer 2 varies with position, and silicon is subjected to laser annealing. - 特許庁
アニール室47で非晶質半導体薄膜2の全体を多結晶薄膜3とする。例文帳に追加
The entire of an amorphous semiconductor thin film 2 is formed as a polysilicon thin film 3 in an anneal chamber 47. - 特許庁
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「アニー2」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 134件
薄膜2は、パルスレーザ堆積法を用いて室温下で成長させ、大気中でアニールする。例文帳に追加
The thin film 2 is grown by using pulsed laser deposition at room temperature and is annealed in atmosphere. - 特許庁
次に、図2の(b)でSi基板1を高温状態で表面が酸化しない状態でアニールを行う。例文帳に追加
In Fig. 2 (b), the Si substrate 1 is annealed in a high-temperature state so that the surface is not oxidized. - 特許庁
成膜ゾーン1とアニールゾーン2を障壁3を隔てて同一の反応容器9内に水平に隣接して設置し、ウェーハ4は成膜ゾーン1とアニールゾーン2の間で往復移動することにより成膜とアニールを交互に行う。例文帳に追加
A film forming zone 1 and an annealing zone 2 are adjacently set horizontally in the same reaction vessel 9 at intervals with a barrier 3, and a wafer 4 reciprocates between the film forming zone 1 and the annealing zone 2, by which film formation and annealing are alternately executed. - 特許庁
線状に成形されたレーザー光を線に直角な方向にスキャンしながら半導体材料に対してアニールを行った場合、線方向であるビーム横方向に対するアニール効果とスキャン方向に対するアニール効果とでは、その均一性において2倍以上の違いがある。例文帳に追加
When a semiconductor material is annealed while scanned with a generated linear laser light at right angles to a line, the annealing effect in a beam lateral direction as the line direction and the annealing effect in the scanning direction are ≥2 times different in uniformity. - 特許庁
半導体基板1上に形成したBPSG膜2に、N_2ガスを0.5slm以上3.0slm以下供給してアニール処理を施し、このアニール処理後のBPSG膜に接続孔6を形成する。例文帳に追加
N2 gas is fed at 0.5-3.0 slm to a BPSG film 2 formed on a semiconductor substrate 1, thereby annealing it and then connection holes 6 are formed in the annealed BPSG film. - 特許庁
1×10^−5≦P(Pa)≦5×10^−4 ・・・(1)、 100≦T(℃)≦300 ・・・(2) (式中、Pは前記スパッタ成膜における背圧,Tは前記アニール処理におけるアニール温度)例文帳に追加
Here, 1×10^-5≤P(Pa)≤5×10^-4 (1), and 100≤T(°C)≤300 (2), where P represents a back pressure of the sputter film formation, and T represents annealing temperature of the annealing processing. - 特許庁
第1工程後、1200℃以上n^-エピタキシャル層2の融点以下の温度でn^-エピタキシャル層2をアニールする(第2工程)。例文帳に追加
After the first process, the n^- epitaxial layer 2 is annealed at a temperature of 1,200°C or more and a melting point of the n^- epitaxial layer 2 or less (the second process). - 特許庁
第3工程後、1200℃以上n^-エピタキシャル層2の融点以下の温度でn^-エピタキシャル層2をアニールする(第4工程)。例文帳に追加
After the third process, the n^- epitaxial layer 2 is annealed at a temperature of 1,200°C or more and a melting point of the n^- epitaxial layer 2 or less (the fourth process). - 特許庁
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