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英訳・英語 Annie: A Royal Adventure!


Weblio英和対訳辞書での「アニー2」の英訳

アニー2

Annie: A Royal Adventure!
アニー2』(Annie: A Royal Adventure!)は、1995アメリカ合衆国のミュージカルテレビ映画
Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「アニー2」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 134



例文

レーザーアニール処理は250〜5000mJ/cm^2のエネルギー密度で行われる。例文帳に追加

The laser annealing is performed under the energy density of 250-5,000 ml/cm2. - 特許庁

アニールゾーン2においてウェーハ4は、アニール用放射源23からの放射エネルギーで改質する。例文帳に追加

In the annealing zone 2, the wafer 4 is modified by radiant energy from a radiation source 23 for annealing. - 特許庁

本発明に従って当該石英ガラス素材に第2アニール処理をし、この第2アニール処理では、350℃から800℃の範囲の低いアニール温度で、1時間以上加熱する。例文帳に追加

In accordance with the invention, second annealing is performed to the quartz glass stock, and, in the second annealing treatment, heating is performed at a low annealing temperature in the range of 350 to 800°C for one hour or more. - 特許庁

アニール処理によるレーザ光の照射の際に、被処理基板2へ転写用パターン9を転写して、位置合わせマークを形成するアニール処理方法及びアニール処理装置である。例文帳に追加

At the time of projecting laser light for performing annealing, alignment marks are formed by transferring the patterns 9 to the substrate 2. - 特許庁

タッチパネルシートは、製造工程においてアニール処理される場合の熱収縮を防ぐために、アニール処理をする前に予め第一、第二の樹脂フィルム1、2を熱収縮させてプレアニール処理が行われる。例文帳に追加

A touch panel sheet is pre-annealed by heat-shrinking first and second resin films 1 and 2 in advance before being annealed in order to prevent heat shrinkage when annealed in a manufacturing process. - 特許庁

層2の厚さを位置により異なるものとして、シリコンをレーザーアニールする。例文帳に追加

The thickness of the layer 2 varies with position, and silicon is subjected to laser annealing. - 特許庁

例文

アニール室47で非晶質半導体薄膜2の全体を多結晶薄膜3とする。例文帳に追加

The entire of an amorphous semiconductor thin film 2 is formed as a polysilicon thin film 3 in an anneal chamber 47. - 特許庁

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「アニー2」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 134



例文

薄膜2は、パルスレーザ堆積法を用いて室温下で成長させ、大気中でアニールする。例文帳に追加

The thin film 2 is grown by using pulsed laser deposition at room temperature and is annealed in atmosphere. - 特許庁

次に、図2の(b)でSi基板1を高温状態で表面が酸化しない状態でアニールを行う。例文帳に追加

In Fig. 2 (b), the Si substrate 1 is annealed in a high-temperature state so that the surface is not oxidized. - 特許庁

成膜ゾーン1とアニールゾーン2を障壁3を隔てて同一の反応容器9内に水平に隣接して設置し、ウェーハ4は成膜ゾーン1とアニールゾーン2の間で往復移動することにより成膜とアニールを交互に行う。例文帳に追加

A film forming zone 1 and an annealing zone 2 are adjacently set horizontally in the same reaction vessel 9 at intervals with a barrier 3, and a wafer 4 reciprocates between the film forming zone 1 and the annealing zone 2, by which film formation and annealing are alternately executed. - 特許庁

線状に成形されたレーザー光を線に直角な方向にスキャンしながら半導体材料に対してアニールを行った場合、線方向であるビーム横方向に対するアニール効果とスキャン方向に対するアニール効果とでは、その均一性において2倍以上の違いがある。例文帳に追加

When a semiconductor material is annealed while scanned with a generated linear laser light at right angles to a line, the annealing effect in a beam lateral direction as the line direction and the annealing effect in the scanning direction are ≥2 times different in uniformity. - 特許庁

半導体基板1上に形成したBPSG膜2に、N_2ガスを0.5slm以上3.0slm以下供給してアニール処理を施し、このアニール処理後のBPSG膜に接続孔6を形成する。例文帳に追加

N2 gas is fed at 0.5-3.0 slm to a BPSG film 2 formed on a semiconductor substrate 1, thereby annealing it and then connection holes 6 are formed in the annealed BPSG film. - 特許庁

1×10^−5≦P(Pa)≦5×10^−4 ・・・(1)、 100≦T(℃)≦300 ・・・(2) (式中、Pは前記スパッタ成膜における背圧,Tは前記アニール処理におけるアニール温度)例文帳に追加

Here, 1×10^-5≤P(Pa)≤5×10^-4 (1), and 100≤T(°C)≤300 (2), where P represents a back pressure of the sputter film formation, and T represents annealing temperature of the annealing processing. - 特許庁

第1工程後、1200℃以上n^-エピタキシャル層2の融点以下の温度でn^-エピタキシャル層2をアニールする(第2工程)。例文帳に追加

After the first process, the n^- epitaxial layer 2 is annealed at a temperature of 1,200°C or more and a melting point of the n^- epitaxial layer 2 or less (the second process). - 特許庁

例文

第3工程後、1200℃以上n^-エピタキシャル層2の融点以下の温度でn^-エピタキシャル層2をアニールする(第4工程)。例文帳に追加

After the third process, the n^- epitaxial layer 2 is annealed at a temperature of 1,200°C or more and a melting point of the n^- epitaxial layer 2 or less (the fourth process). - 特許庁

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