アバランシ降伏の英語

ベース拡散領域１７ａ底面下でアバランシェ降伏が生じ、ベース拡散領域１７ａのソース拡散領域２１直下の高抵抗部分をアバランシェ電流が流れないので、破壊耐量が高い。例文帳に追加

Avalanche breakdown arises under the bottom faces of the base diffusion regions 17a, however, avalanche current does not flow in a high-resistance portion immediately below source diffusion regions 21 of the base diffusion regions 17a, resulting in a high breakdown voltage. - 特許庁

アバランシェ降伏時の電流集中を緩和することができ、耐圧およびアバランシェ耐量をともに向上させることができる、ＳｉＣ半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a SiC semiconductor device capable of relaxing current concentration during avalanche breakdown and capable of improving breakdown voltage and avalanche resistance. - 特許庁

従来の構成ではドレイン電位が急峻に上昇してドレイン領域とゲート領域間でアバランシェ降伏が起こると、誘導負荷に蓄えられたエネルギーを消費するまで、ゲート駆動回路にアバランシェ降伏電流が流れていたが、本発明ではチャネルが開いてドレイン領域とソース領域間で電流が流れることで誘導負荷に蓄えられたエネルギーを消費する。例文帳に追加

A current flows between the drain region and the source region by opening the channel, and energy accumulated in an inductive load is consumed. - 特許庁

このため、曲線部Ｂ１上の降伏箇所から、アバランシェ電流が、高抵抗の非拡散コーナー領域１６を回り込んで流れると、曲線部Ｂ１に沿って電圧降下が生じることにより、降伏箇所を直線部Ｂ２へ移動させることができる。例文帳に追加

Thus, when an avalanche current flows from a breakdown spot on the curved part B1 by turning round the high resistance non-diffused corner region 16, a voltage drop occurs along the curved part B1 to move the breakdown spot to the linear part B2. - 特許庁

Ｕ字型の絶縁電極を有する電流制御型パワー素子において、従来の素子の性能を保持しながら、本質的にゲート／ドレイン間にアバランシェ降伏電流が流れない半導体装置を提供する。例文帳に追加

To essentially prevent flow of an avalanche breakdown current between the gate and drain without deteriorating performance of an element, in a current controlled power element having U-shaped insulating electrodes. - 特許庁

半導体基板の表面近傍に存在するイオンの影響を受ける事なく、ブレークダウン電圧が安定し且つ高耐圧が可能なアバランシェ降伏型の定電圧ダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide an avalanche breakdown-type constant voltage diode with a stable and high breakdown voltage without being affected by ions which exist in the vicinity of a semiconductor substrate surface. - 特許庁

アバランシェ降伏電流は主に低抵抗層２を介して流れるため、半導体層３の電位ムラが低減され、電荷注入量がセル間で均一化する。例文帳に追加

Since an avalanche yield current flows mainly through the low-resistance layer 2, the potential unevenness in the semiconductor layer 3 is reduced, and the injecting amounts of the change into cells becomes equal to each other. - 特許庁

すなわち、受光領域３Ａ，３Ｂ，３Ｃの間隔を狭くしても、分離領域２Ｂとの間にアバランシェ降伏が生じにくくなり、これらの間の耐圧が上昇する。例文帳に追加

In short, even if the interval is narrowed among the light receiving regions 3A, 3B, and 3C, the avalanche breakdown is hard to occur with the separation region 2B, resulting in raising breakdown strength among them. - 特許庁