アルゴンふん囲気の英語

ホウ素、酸化ホウ素及び炭素をアルゴン雰囲気中で１０００℃〜２１００℃の高温下に反応させる。例文帳に追加

Boron, boron oxide and carbon are reacted in an argon atmosphere at 1,000-2,100°C. - 特許庁

また、弁１９、２０、２１により、前記チャンバに用いられる雰囲気ガスを純化したアルゴンか通常アルゴンどちらかに選択してもよい。例文帳に追加

The atmospheric gas used in the chamber 1 may be selected as the purified argon or usual argon by valves 19, 20 and 21. - 特許庁

この酸化物ターゲットは導電性を有し、酸素ガス雰囲気下、或いは、酸素ガスとアルゴンなどの希ガスとの混合雰囲気下でスパッタリングを行う。例文帳に追加

The oxide target has conductivity, and sputtering is performed under an oxygen gas atmosphere or a mixed atmosphere of an oxygen gas and a rare gas such as argon. - 特許庁

金属を含むタンパク質を、窒素雰囲気中、又はアルゴン雰囲気中、水素等の還元性ガスを含む還元性雰囲気中、若しくは、不活性ガスに水蒸気や二酸化炭素を加えた雰囲気中で加熱することで炭化させて得られる一酸化炭素触媒。例文帳に追加

The carbon monoxide catalyst is obtained by carbonization through heating protein containing metal in a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, a reducing atmosphere containing reducing gas such as hydrogen, or an atmosphere of inert gas mixed with water vapor or carbon dioxide. - 特許庁

ＤＬＣの成膜工程では、アルゴン雰囲気中で、アルゴン・エッチング工程と、カーボン・スパッタリング工程とを、繰り返し行うことにより、ＤＬＣのコーティングを行う。例文帳に追加

In the process for forming the DLC film, an argon etching step and a carbon sputtering step are repeated in an argon atmosphere to obtain a DLC coating. - 特許庁

下地層１６は、アルゴンガス雰囲気中でスパッタリングによって形成され、サーミスタ薄膜１３は、アルゴンと酸素との混合ガス雰囲気中でスパッタリングによって形成される。例文帳に追加

The base material layer 16 is formed by sputtering in argon gas atmosphere, while the thermistor thin-film 13 is formed by the sputtering in the mixed gas atmosphere comprising argon and oxygen. - 特許庁

トンネル状の連続炉を用い、この炉内雰囲気をアルゴンとし、このアルゴン雰囲気による所望の炉内圧下で、上記した種類の蒸発し易い金属の蒸発を抑えて、ろう付けや焼結等の熱処理を行なう。例文帳に追加

The heat-treatment for brazing, sintering, etc., is performed while restraining the vaporization of the metal easily vaporized, such as the abovementioned metals, by using the tunnel type continuous furnace and argon gas as the atmosphere in the furnace under desirable pressure of the argon atmosphere in the furnace. - 特許庁

ボロンドープされたシリコンウエハをアルゴン雰囲気下で熱処理をするにあたって、当該熱処理の初期段階において、当該アルゴン雰囲気を適宜水素雰囲気或いは「アルゴンガスと水素ガスの混合気」に切り換えることによって、前記ボロンドープされたシリコンウエハのウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の均一化を図る。例文帳に追加

In heat-treating a boron-doped silicon wafer in argon atmosphere, the argon atmosphere is switched arbitrarily to hydrogen atmosphere or a mixed gas of argon and hydrogen in the initial stage, to make the boron concentration uniform along the depth direction in the surface layer of the boron-doped silicon wafer. - 特許庁