アルゴンイオンの英語

このイオン流とプラズマ流とを合流させたときに、所定のエネルギー有するアルゴンイオンAr+を含むプラズマ流が得られる。例文帳に追加

When the ion flow and the plasma stream are joined, a plasma stream containing the argon ion Ar+ with a given energy is obtained. - 特許庁

酸素ガスにアルゴンガスが添加されて導入され、アルゴンイオンによるスパッタリングを行いながら、酸化珪素薄膜が作成される。例文帳に追加

The silicon oxide thin film is formed by introducing argon added oxygen, while performing argon-ion sputtering. - 特許庁

酸化防止膜は、酸素を含まない雰囲気中で熱処理を施すことにより、あるいはアルゴンイオン照射によりシリサイド化する。例文帳に追加

The oxidation preventing film is formed as the silicide film through heat treatment under the atmosphere not including oxygen or through radiation of argon ion. - 特許庁

これによって、プラズマが発生し、このプラズマ中のアルゴンイオンが被処理物３６の表面に照射され、当該表面が洗浄される。例文帳に追加

In this way, plasma is generated and the argon ion in this plasma is emitted against the surface of a treating material 36 to wash that surface. - 特許庁

ガリウムイオンビームによるエッチング後、アルゴンイオンを低角度で照射すると、エッチングの際のダメージ層が除去され、更に高分解能の観察が可能になる。例文帳に追加

After etching by gallium ion beam, when the sample is irradiated with argon ions at a low angle, the damaged layer at a time of etching is removed to enable observation of higher resolving power. - 特許庁

絶縁層上に半導体層が形成された基板を準備し、半導体層の表面にアルゴンイオン注入を行い、アルゴンイオン注入後の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、半導体層にソース領域およびドレイン領域を形成する。例文帳に追加

In this method of manufacturing a semiconductor device, a substrate formed with a semiconductor layer on an insulation layer is prepared; argon ions are implanted into the surface of the semiconductor layer; a gate insulation film is formed on the semiconductor layer after the argon ion implantation; a gate electrode is formed on the gate insulation film; and a source region and a drain region are formed in the semiconductor layer. - 特許庁

マイクロ波発振器１０１でマイクロ波を発振すると共に、ガス導入口１０２からアルゴンガスArを導入して、アルゴンイオンAr^+と電子e^−から成るプラズマを生成する。例文帳に追加

Microwaves are oscillated by a microwave oscillator 101, and at the same time, argon gas Ar is guided in from a gas guide-in port 102 to generate plasma consisting of argon ion Ar^+ and electron e^-. - 特許庁

その際に生じるシリコン酸化膜４４の上面とタングステンプラグ４８の上面との間の段差３０を、アルゴンイオンによるスパッタエッチングを行って平滑化する。例文帳に追加

A level difference 30 between the upper surface of the silicon oxide film 44 and the upper surface of the tungsten plug 48 produced at this time is smoothed by performing sputter etching using an argon ion. - 特許庁