アルゴン系の英語

工程Ｓ２２では、炭化ケイ素単結晶の成長中期において、基準流量Ａのアルゴンガスが反応系内に導入される。例文帳に追加

In the middle stage (step S22) of the growth of the silicon carbide single crystal, the argon gas is introduced in the reaction system at the standard flow rate A. - 特許庁

炭化ケイ素単結晶の成長初期において、基準流量Ａよりも多い流量のアルゴンガスが反応系内に導入される。例文帳に追加

In the early stage (step S21) of the growth of the silicon carbide single crystal, the argon gas is introduced in the reaction system at a higher flow rate than the standard flow rate A. - 特許庁

可視域に、特にアルゴンレーザー光（４８８ｎｍ又は５１４ｎｍ）に分光感度を持ち、作業性を向上できる化学増幅系フォトレジストの一成分系光酸発生剤を提供するものである。例文帳に追加

To provide a photo acid generator, one component of a chemical amplification photo resist which has spectral sensitivity in the visible light region, especially argon laser light (488 nm or 514 nm) and can improve workability. - 特許庁

下地材料にフルオロカーボン系の側鎖を含まなければ、下地材料はアルゴンイオンでエッチングされることはなく、フルオロカーボン系の側鎖を含むシリコン酸化膜のエッチング選択比が顕著に向上できる。例文帳に追加

When the substrate material of the silicon oxide film does not contain any fluorocarbon-based side chain, the substrate material is not etched by the argon ions and the etch selectivity of the silicon oxide film containing the fluorocarbon-base side chain is remarkably improved. - 特許庁

ニッケルナノ粒子が担持された高配向性のグラファイト基板または六方晶系窒化ホウ素基板を触媒として、ホウ素と二酸化ケイ素の混合物を窒素気流中または窒素とアルゴン気流中もしくはアンモニアとアルゴン気流中において、高温で反応させることにより、窒化ホウ素で被覆された炭化珪素ナノワイヤーまたは窒化珪素ナノワイヤーを提供する。例文帳に追加

A mixture of boron and silicon dioxide is reacted at a high temperature in a nitrogen gas flow, a nitrogen-argon gas flow or an ammonia-argon gas flow with a highly oriented graphite substrate or a hexagonal boron nitride substrate on which nickel nanoparticles are carried as a catalyst, so that the silicon carbide nanowire or a silicon nitride nanowire coated with boron nitride is provided. - 特許庁

また、アセチレンなどの炭化水素系ガスと酸素とアルゴンなどの不活性ガスとの混合比率を調整して、得られるナノサイズカーボンにおける炭素原子の結合数を調整する。例文帳に追加

Also, the number of the bonded carbon atoms of the obtained nanosize carbon material is controlled by adjusting the mixing ratio among the hydrocarbon gas such as acetylene, the oxygen and the inert gas such as argon. - 特許庁

消耗ワイヤは銅系であり、ガス混合物は、４０乃至６０％の酸素と、アルゴン、窒素及びヘリウムから選ばれる残部としての少なくとも１つのガスとを含んでいる。例文帳に追加

The consumable wire is copper based while the gas mixture contains 40-60% of oxygen and, as the remainder, at least one gas selected from argon, nitrogen and helium. - 特許庁

真空雰囲気下で、ヘキサメチルジシラザンガスとアンモニアガスとアルゴンガスとをチャンバ１２内に供給し、ウェハＷ表面にＳｉＣＮ系膜の厚さ１〜１０ｎｍ程度の薄膜を形成する。例文帳に追加

An SiCN based thin film of an order of 1 to 10 nm thickness is formed on a surface of a wafer W by supplying hexamethyldisilazane gas, ammonia gas, and argon gas to a chamber 12 under vacuum atmosphere. - 特許庁