アルゴン18の英語

非晶質半導体膜に希ガス元素（代表的には、アルゴン）を１×１０^18〜１×１０^22/cm^3の濃度になるように添加し、さらに触媒元素（代表的には、ニッケル）を添加する。例文帳に追加

A rare gas element (argon, for example) is added to an amorphous semiconductor film, so that concentration is 1×10^18 to 1×10^22/cm^3, and a catalyst element (nickel, for example) is added. - 特許庁

そして、環状の窓１８から取り出された各Ｘ線は、Ｘ線管１５の中心方向に進行し、電極間に存在するアルゴン分子を照射する。例文帳に追加

Then, each X ray taken out from an annular window 18 advances in a center direction of an X ray tube 15 and irradiates an argon molecule existing between electrodes. - 特許庁

原料ガスのメチルトリクロロシラン（ＭＴＳ）１０、キャリアガスのアルゴン２０、水素ガス２４、および窒素ガス２８をそれぞれ流量コントロールして混合１８し、ＣＶＤ装置に供給３２される。例文帳に追加

Methyltrichlorosilane(MTS) 10 as a raw gas, and argon 20, a hydrogen gas 24 and a nitrogen gas 28 that are a carrier gas, are mixed 18 by controlling a flow rate, respectively (18) and fed to the CVD apparatus (32). - 特許庁

スパッタリング室１１内にボンベ１８からアルゴンなどのプラズマガスを流し、スパッタリング室１１内に配置されたターゲット１２からガラス基板１５に酸化物透明導電膜材料をスパッタリングする。例文帳に追加

A plasma gas such as argon is made to flow from a bomb 18 into a sputtering room 11, and an oxide transparent conductive film material is sputtered on a glass substrate 15 from a target 12 arranged in the sputtering room 11. - 特許庁

素子孔１２ａ内にレジスト層１６をマスクとし且つ酸化膜１４ａを介してアルゴン（又はフッ素）イオンを１又は複数回の注入処理により注入してイオン注入層１８を形成する。例文帳に追加

A resist layer 16 is used as a mask in an element hole 12a, and argon (or fluorine) ions are implanted via the oxide film 14a by means of an implantation treatment of one time or multiple times, to form an ion implantation layer 18. - 特許庁

これはステージ１４で半導体基板１５を冷却するために、ステージ１４上に刻まれたチャネル１７にガス配管１８を通して冷却媒介用のガス、例えばヘリウム、アルゴン等の不活性ガスを流す。例文帳に追加

In order to cool a semiconductor substrate 15 with the stage 14, inert gas for cooling medium such as helium and argon is made to flow through a gas piping 18 to a channel 17 notched on the stage 14. - 特許庁

溶接は、アルゴンが約９０％と炭酸ガスが約１０％との混合ガスＧを使用したタンデム直流方式によるＭＩＧ溶接により、外面溶接機１８による外面溶接７と、内面溶接機２１による内面溶接８との２回の溶接施工により行う。例文帳に追加

Welding is performed twice, in other words, an outer side welding 7 by an outer side welding machine 18 and an inner side welding 8 by an inner side welding machine 21 are performed by using MIG welding by the tandem DC system using mixed gas G of argon of about 90% and carbon dioxide of about 10%. - 特許庁