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イオンビームの発生の英語
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「イオンビームの発生」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 187件
イオンビーム発生装置のイオンビーム位置検出板例文帳に追加
ION BEAM POSITION DETECTION PLATE OF ION BEAM GENERATION DEVICE - 特許庁
イオンビーム発生方法とそれを実施する為のイオンビーム発生装置例文帳に追加
ION BEAM GENERATING METHOD, AND ION BEAM GENERATING DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION - 特許庁
イオンビーム発生装置、イオンビーム発生方法および機能素子の製造方法例文帳に追加
ION BEAM GENERATOR, ION BEAM GENERATION METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR FUNCTION ELEMENT - 特許庁
偏極イオンビーム発生方法とその実施に使用する偏極イオンビーム発生装置例文帳に追加
POLARIZED ION BEAM GENERATING METHOD, AND POLARIZED ION BEAM GENERATING DEVICE USED FOR ITS IMPLEMENTATION - 特許庁
イオンビーム発生装置及びそれのクリーニング方法例文帳に追加
ION BEAM GENERATING DEVICE AND ITS CLEANING METHOD - 特許庁
低速多価イオンビームの発生装置例文帳に追加
LOW SPEED POLYVALENT ION BEAM GENERATOR - 特許庁
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「イオンビームの発生」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 187件
質量分離装置、イオンビーム発生装置、機能素子、機能素子の製造方法およびイオンビーム発生方法例文帳に追加
MASS SEPARATION DEVICE, ION BEAM GENERATING DEVICE, FUNCTION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD OF FUNCTION ELEMENT, AND ION BEAM GENERATION METHOD - 特許庁
より低出力の電力で効率的に負イオンビームを発生させる。例文帳に追加
To efficiently generate a negative ion beam with lower output power. - 特許庁
所望のイオン電流のイオンビームを安定して発生できる集束イオンビーム装置を提供する。例文帳に追加
To provide a focusing ion beam device capable of stably generating an ion beam of the desired ion current. - 特許庁
このイオンビーム照射装置は、プラズマ発生装置24と、その下流側に設けられたイオンビーム電流測定装置30とを備えている。例文帳に追加
The ion beam irradiation device is provided with a plasma generating device 24 and an ion beam current measurement device 30 fitted at its downstream side. - 特許庁
装置全体を大きくすることなく、基板への入射イオンビームの均一性を図ったイオンビーム発生装置を提供する。例文帳に追加
To provide an ion beam generator which achieves uniformity of incident ion beam on a substrate without increasing the size of the whole generator. - 特許庁
電磁界を発生させずにイオンビームの軌道を制御するイオンビーム軌道制御装置を提供する。例文帳に追加
To provide an ion beam path control device capable of controlling the path of ion beams without generating an electromagnetic field. - 特許庁
イオンビーム1がプラテン2上のウエハ3に照射される前に、最適なイオンビーム電流値を直流電流発生器6により発生した電流値(積算値)のみを、イオンビーム電流計測部4で計測する。例文帳に追加
Optimized ion beam current and the current (accumulated value) generated by the direct current generator are measured in an ion beam current measuring part 4 before radiation of the ion beam 1 upon the wafer 3 placed on the platen 2. - 特許庁
したがって、イオンビーム発生部8からのイオンビームIBは開閉機構11で遮断されるため、イオンビームIBがターゲットチャンバ16内のビームストップ20に打ち込まれてパーティクルが発生することは無い。例文帳に追加
Since an ion beam IB from an ion generation part 8 is thus blocked by the open-close mechanism 11, the ion beam IB is implanted into a beam stop 20 in a target chamber 16, so that no particle is produced. - 特許庁
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