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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > JST科学技術用語日英対訳辞書 > イオンビームスパッタ法の英語・英訳 

イオンビームスパッタ法の英語

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英訳・英語 ion beam sputtering technique


JST科学技術用語日英対訳辞書での「イオンビームスパッタ法」の英訳

イオンビームスパッタ法


「イオンビームスパッタ法」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 24



例文

イオンビームスパッタ装置およびイオンビームスパッタ例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR ION BEAM SPUTTERING - 特許庁

イオンビームスパッタ装置、イオンビームスパッタ及びイオンガン例文帳に追加

ION BEAM SPUTTERING APPARATUS, ION BEAM SPUTTERING METHOD, AND ION GUN - 特許庁

イオンビームスパッタリング装置および該装置を用いたイオンビームスパッタリング方例文帳に追加

ION-BEAM SPUTTERING APPARATUS AND ION-BEAM SPUTTERING METHOD USING THE SAME - 特許庁

二重イオンビームスパッタリングを用いる薄膜ガスセンサの製造方例文帳に追加

MANUFACTURE OF THIN-FILM GAS SENSOR USING DOUBLE ION BEAM SPUTTERING - 特許庁

イオンビームスパッタ用ターゲット、酸化物超電導導体用基材の製造方および酸化物超電導線材の製造方例文帳に追加

TARGET FOR ION BEAM SPUTTERING, METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE FOR OXIDE SUPERCONDUCTOR, AND METHOD FOR PRODUCING WIRE ROD OF OXIDE SUPERCONDUCTOR - 特許庁

電極膜33の成膜時のイオンビームスパッタリングの角度を基板面の線に対して30゜以下とする。例文帳に追加

The angle of ion beam sputtering when the electrode film 33 is film-deposited is specified to be 30° or less to the normal of the substrate. - 特許庁

例文

また成膜開始直後と成膜終了直前でイオンビームスパッタ法のみを適用して緻密度の高い層を膜の境界に形成する。例文帳に追加

Or, only the ion beam sputtering method is adopted just after starting deposition and just before completing the deposition so as to form layers of high denseness on the interfaces of the film. - 特許庁

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Weblio専門用語対訳辞書での「イオンビームスパッタ法」の英訳

イオンビームスパッタ法

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「イオンビームスパッタ法」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 24



例文

蒸着イオンビームスパッタ法とを同時に適用して、蒸着によって形成された緻密度の低い構造の隙間にイオンビームスパッタ法によって形成された緻密度の高い構造のものを埋めた膜を形成する。例文帳に追加

A vapor deposition method and an ion beam sputtering method are adopted at a time so as to form a film in which a structure of low denseness is formed by the vapor deposition method and vacancies of this structure are filled with a structure of high denseness formed by the ion beam sputtering method. - 特許庁

カーボン膜を堆積する工程はECRスパッタ、RFスパッタ、DCスパッタ、およびイオンビームスパッタ法のうちのいずれかの方を用いてカーボン膜を堆積すること。例文帳に追加

In the process of depositing the carbon film, the carbon film is deposited using one of an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering method, an RF sputtering method, a DC sputtering method, and an ion beam sputtering method. - 特許庁

イオン化蒸着、イオンプレーティング、レーザアブレションイオンビームスパッタ法から選択される少なくとも1種によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する態様等が好ましい。例文帳に追加

A mode of forming a thin film made of the fluorine-based resin by means of at least one of methods of ionization deposition, ion plating, laser ablation and ion beam sputtering is preferable. - 特許庁

レーザーアブレーションイオンビームスパッタ法などのターゲットからの放出粒子による薄膜作製において、均一な膜厚分布を有する薄膜を堆積可能とする方の提供。例文帳に追加

To provide a method capable of depositing a thin film having a uniform film thickness distribution in a thin film production method by emitted particles from a target by a laser abrasion method, an ion beam sputtering method or the like. - 特許庁

イオンビームスパッタ法を用いてシード層であるクロム薄膜2と、副キャリア層であるタンタル薄膜3を形成し、マグネトロンスパッタを用いて主キャリア層であるタンタル薄膜4を形成する。例文帳に追加

A chromium thin film 2 being the seed layer and a tantalum thin film 3 being a sub-carrier layer are formed by using an ion beam sputtering method and the tantalum thin film 4 being a principal carrier layer is formed by using a magnetron sputtering method. - 特許庁

この装置10を用いて、陽極3上に蒸着により有機EL層と、この有機EL層上にイオンビームスパッタリングにより陰極とを連続して成膜することができる。例文帳に追加

The film-forming method comprises continuously forming an organic EL layer on the anode 3 with a vacuum deposition method, and forming a cathode on the organic EL layer with an ion beam sputtering method, by using the apparatus 10. - 特許庁

イオンビームスパッタ法により光学薄膜を形成するに際し、反射率低下を招く拡散層の形成を抑制し、光吸収の低減化を図ることが可能となる光学薄膜の製造方および製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for manufacturing optical thin film capable of suppressing the formation of a diffusion layer that brings about the degradation of reflectance, and reducing light absorption when forming an optical thin film according to an ion beam sputtering method. - 特許庁

例文

保護膜34は、イオンビームスパッタ法により、初期には、相対的に小さいイオンビーム投入電力密度で成膜し、その後、相対的に大きいイオンビーム投入電力密度で成膜することを特徴とする。例文帳に追加

The protective film 34 is, in an ion beam sputter method, deposited in relatively small ion beam input power density in the initial stages, and then deposited in relatively large ion beam input power density. - 特許庁

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「イオンビームスパッタ法」の英訳に関連した単語・英語表現

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