イオンビーム露光の英語

電子線やイオンビーム等の荷電粒子線転写露光に用いられるレチクルであって、メンブレン領域がレチクルの外周近傍に設けられている場合であっても破損しにくいレチクルを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a reticle hard to break even in the case that a membrane region is provided in the neighborhood of the outer periphery of the reticle in the reticle used for charged particle beam transfer exposure of an electron beam, an ion beam or the like. - 特許庁

露光するパタンと等倍のサイズを有する透過型等倍マスクを介して、レジストがコートされたウェハにイオンビームが照射され、一括してパタン転写できる簡単な構成となっている。例文帳に追加

An ion beam is applied to a wafer that is coated with resist via a transmission-type unmagnified mask having the same size as a pattern to be exposed to light for collective pattern transfer in a simple configuration. - 特許庁

また加速電圧として１０ｋＶ以下の低加速電圧を用いることで、高スループット、低損傷でかつ簡単な装置構成を実現し、低コストなイオンビーム露光装置を提供できる。例文帳に追加

Also, by using a low-acceleration voltage of 10 kV or less as an acceleration voltage, a high throughput, low-damage, and simple device configuration can be realized, thus providing a low-cost ion beam projection aligner. - 特許庁

薄膜磁気ヘッドの製造において、媒体対向面から集束イオンビームにより、磁極の加工を行う際に、高精度で且つ高速な位置決めと、媒体対向面から、電子ビーム露光を行う際に、高精度で且つ高速な露光位置決め方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for performing positioning with high accuracy and at high speed, when a magnetic pole is worked by a convergent ion beam from a medium-facing surface and to provide a method for performing exposure positioning with high accuracy and at a high speed, when electron beam exposure is performed from the medium facing surface, in the manufacture of a thin-film magnetic head. - 特許庁

本発明の課題は、電子ビーム露光用マスクにおける貫通構造のパターン欠陥を修正加工する際に、あらゆる方向を取り得るパターン面を無理無く正確に垂直に加工することができる集束イオンビーム装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a focusing ion beam device that is capable of working precisely perpendicularly without difficulty, the pattern face capable of taking all directions in the remody process case of the defects of patterns having a penetration structure in the electron beam exposure mask. - 特許庁

半導体素子の微細加工における性能向上技術における課題を解決することであり、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線又はイオンビームの使用に対して高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好な露光量マージンの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a negative resist composition which satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and a good margin for light exposure in microfabrication particularly when KrF excimer laser, X-radiation, an electron beam or an ion beam is used. - 特許庁

ホログラフィック露光法により基板１０上に格子溝に対応した正弦波状又は正弦半波状のレジストパターン２１を作製し、その後、ＣＦ_4をエッチングガスとしてブレーズ角と同じ角度で斜めからイオンビームを照射する第１エッチング工程によりレジストが約１／３の高さになるまで基板１０とレジスト２１とを削る。例文帳に追加

A sine-wave or sine-wave half-wave type resist pattern corresponding to grating grooves is formed on a substrate 10 by a holographic exposure method, and then the substrate 10 and resist 21 are etched until the resist reaches an approximately 1/3 height through a 1st etching stage of irradiating them with an ion beam obliquely at the same angle as a blaze angle while using CF_4 as etching gas. - 特許庁