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イオン再結合の英語

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英訳・英語 ion recombination


JST科学技術用語日英対訳辞書での「イオン再結合」の英訳

イオン再結合


「イオン再結合」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 29



例文

イオンと負イオンが発生してから混合されるまでの間に、正イオンと負イオン結合してイオン数が減少し、除電時間が長くなるのを防止する。例文帳に追加

To provide an ion type static eliminator wherein it is prevented that positive ions and negative ions are bonded again, the number of ions are thereby reduced during the time from when the positive ions and the negative ions are generated until they are mixed, and a time for static elimination becomes long. - 特許庁

アノード3でイオン化した水素は、負電位のカソードに到達し、電子と結合して水素となる。例文帳に追加

Hydrogen ionized in the anode 3 reaches a cathode having negative potential, and is re-combined with an electron to form hydrogen. - 特許庁

当該小衝突室36では、追加のガスを導入することなく、その内部の圧力が高められるので、イオンと電子の衝突・結合によってアルゴンイオンが中和されプラズマのイオン密度が低減される。例文帳に追加

In the small collision chamber 36, since its interior pressure is raised without introducing additional gas, argon ion is neutralized by collision/recombination of ion and electron, so that the ion density of the plasma is reduced. - 特許庁

金属イオン結合部位を有するタンパク質の安定性を高めるべくタンパク質を設計する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for enhancing the stability of a serine protease by correlating a metal ion-binding site of a protease to a protease stability parameter, and by enhancing the electrostatic attraction to the metal ion by the mutation of the sequence. - 特許庁

結合領域7は、ベース領域4の表面側に、不純物の熱拡散、もしくは、不純物のイオン注入とイオン注入後のアニールとにより不純物をドーピングすることで形成してある。例文帳に追加

The reconnection region 7 is formed at the surface side of the base region 4, by doping impurity through thermal diffusion of the impurity or the ion asymmetric implantation of the impurity and annealing, after ion implantation. - 特許庁

対象となる分析物よりもプロトンと結合し易い添加剤を分析物に添加し、前記分析物由来のイオンがプロトンと結合することを抑制し、検出器まで到達する前記分析物由来のイオンの量を増加させることを特徴とする、質量分析法における分析感度増加方法。例文帳に追加

In the analytical sensitivity increasing method in mass analysis, a additive easy to bond to a proton as compared with a target analyte is added to the analyte to suppress the re-bonding ions originating from the analyte to the proton and an amount of ions originating from the analyte reaching a detector is increased. - 特許庁

例文

ケース1が、プラス及びマイナスのイオンが夫々放出される開口1a,1aへ空気を導風し、導風された空気に放出されたプラス及びマイナスのイオンが、例えば異なる方向K3c,K3dへの気流と共に夫々通流してイオン結合の抑制及びイオンの拡散が促進される。例文帳に追加

The case 1 wind-guides the air to the openings 1a, 1a released respectively with the positive and negative ions, and the positive and negative ions released into the wind-guided air flow respectively together with air flows, for example, to the different directions K3c, K3d, to restrain the ions from being recoupled and to promote the diffusion of the ions. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「イオン再結合」の英訳

イオン再結合


クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「イオン再結合」の英訳

イオン再結合


「イオン再結合」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 29



例文

発生したイオン結合、正放電部及び負放電部間を遮る仕切り部材との衝突等に起因してイオン量が減少することなく放電部間の距離を短くし、装置の小型化を図ることが出来ると共に、送風ファンを用いずに、効率的にイオンの放出を行うことが出来るイオン発生装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion generator, which can efficiently release ions without using a blowing fan while reducing the device size by reducing the distance between a positive discharge part and a negative discharge part without a reduction in ion quantity resulting from recombination of generated ions, collision thereof to a partition member dividing both the discharge parts, or the like. - 特許庁

プラス及びマイナスのイオン発生部2,3が夫々発生させたプラス及びマイナスのイオンを外部へ放出する開口1a,1aを、正四角錐形状をなすケース(導風部材)1の異なる斜面に形成し、プラス及びマイナスのイオンを異なる方向に放出させてイオン結合を抑制する。例文帳に追加

Openings 1a, 1a for releasing the positive and negative ions generated respectively by the positive and negative ions generating parts 2, 3 to an outside are formed in different sloped faces of a case (wind guide member) 1 of a quadrangular prism shape, to restrain the ions from being recoupled by releasing the positive and negative ions along different directions. - 特許庁

イオン注入剥離法によって結合ウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハを生処理する方法において、前記剥離ウエーハの少なくとも面取り部のイオン注入層を除去した後、ウエーハ表面を研磨する。例文帳に追加

In the regeneration processing method of flaked wafer as byproduct in an ion implantation flaking method, in which a joint wafer is obtained, the surface of the wafer is polished after an ion implantation layer of at least a chamfered part of the flaked wafer is removed. - 特許庁

この水素イオンが籠状ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサンに入り込んだ後、電子と結合することによって原子状水素が包接された包接化合物が得られるものと考えられる。例文帳に追加

It is considered that the hydrogen ion is permeated into the cage polyhedral oligomeric silsesquioxane, and recombined with an electron to give an inclusion compound including atomic hydrogen. - 特許庁

ガラス基板中にイオン交換法により形成される導波路型の光方向性結合器の作製トレランスを向上させて、性能の現性あるいは歩留まりを高める。例文帳に追加

To improve the manufacturing tolerance of a waveguide type optical oriented coupler which is formed in a glass substrate by an ion-exchange method and to improve the reproducibility of performance or yield. - 特許庁

ロングスロースパッタリング、自己イオン化プラズマ(SIP)スパッタリング、誘導結合プラズマ(ICP)スパッタリング及びコイルスパッタリングを1つのチャンバ内で組み合わせたリアクタ150を使う。例文帳に追加

The method uses a reactor 150 in which long throw sputtering, self-ionized plasma (SIP) sputtering, induction coupling plasma (ICP) resputtering and coil sputtering are combined in one chamber. - 特許庁

湿度・抵抗率・結合イオン流密度およびデバイスの静電気耐性・許容静電気の上限等の適値決定方法およびそれを利用した静電気管理例文帳に追加

METHOD FOR DECIDING OPTIMAL VALUE OF HUMIDITY/RESISTIVITY/RECOMBINATION ION FLOW DENSITY AND HIGH LIMIT AND THE LIKE OF DEVICE STATIC RESISTANCE/ALLOWABLE STATIC ELECTRICITY - 特許庁

例文

基板表面で均一・高濃度のイオンフラックスを形成し、またターゲットへの堆積を生じる事のない、スパッタ成膜用の容量結合型プラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a capacity-coupling type plasma treatment device for sputtering film deposition in which ion flux is uniformly deposited on a surface of a substrate at high concentration, but not re-deposited on a target. - 特許庁

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