イオン打込の英語

この酸化は自己整合した酸素のイオン打ち込みまたは他種のイオン打ち込みを用いることにより、容易にすることができる。例文帳に追加

This oxidation can be performed easily by means of implantation of self-aligned oxygen ions or other ions. - 特許庁

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。例文帳に追加

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed. - 特許庁

イオン打込み装置及びこれを用いた半導体製造方法例文帳に追加

ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR USING THE SAME - 特許庁

１０ｍＡから１００ｍＡ領域のイオン打込み装置を使い３００℃を越える温度でシリコンウエハにイオン打込みを行うときに発生していたウエハ裏面放電痕のないイオン打込み装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus which can avoid discharge tracks on the rear surface of a silicon wafer which has been generated, when ion implantation is carried out over the wafer at a temperature exceeding 300°C with use of a 10 mA-100 mA region ion implantation apparatus. - 特許庁

酸素用イオン打込み装置及びこれを用いて作製された埋込み酸化膜付シリコンウエハ例文帳に追加

OXYGEN ION IMPLANTATION DEVICE AND SILICON WAFER WITH IMPLANTED OXIDE FILM MANUFACTURED BY USING THE DEVICE - 特許庁

そして、不純物イオンを打ち込み、セルアレイ領域に埋込型不純物拡散領域を形成する。例文帳に追加

Then, impurity ions are implanted, and the embedded type impurity diffused region is formed in the cell array region. - 特許庁

低コストで、かつ、効率よく負イオンビームを生成できる負イオンビーム生成方法及びその方法を利用した、負イオンビーム生成装置、負イオンビーム打込み装置及び宇宙空間移動用推進装置を提供する。例文帳に追加

To provide a negative ion beam forming method efficiently forming negative ion beams at a low cost, a negative ion beam forming device utilizing the method, a negative ion beam implanting device, and a propulsion unit for space movement. - 特許庁

引き出し電圧変調部１２ａにて引き出し電圧を振幅変調しながらイオン源１からイオンを引き出し、イオン源１から引き出されたイオンビームをウェハＷに打ち込む。例文帳に追加

While amplitude-modulating a draw-out voltage in a draw-out voltage modulation part 12a, ions are drawn out from an ion source 1, and ion beams drawn out from the ion source 1 are driven into a wafer W. - 特許庁