イオン打込みの英語

低コストで、かつ、効率よく負イオンビームを生成できる負イオンビーム生成方法及びその方法を利用した、負イオンビーム生成装置、負イオンビーム打込み装置及び宇宙空間移動用推進装置を提供する。例文帳に追加

To provide a negative ion beam forming method efficiently forming negative ion beams at a low cost, a negative ion beam forming device utilizing the method, a negative ion beam implanting device, and a propulsion unit for space movement. - 特許庁

電荷検知プローブのアレー及び電子発生器アレーは、ワークピースのイオン打込み領域を瞬時に覆うことができるように構成することができる。例文帳に追加

Arrays of charge-sensing probes and electron generator arrays can be configured for rapid coverage of the implanted areas of the workpiece. - 特許庁

単結晶シリコン片６内に水素イオンを打込み、その単結晶シリコン片６を基板２に貼合わせた後、熱処理することで、前記水素イオンの打込み面で水素脆化させて単結晶シリコン薄膜を得るようにした、いわゆるスマートカット法を用いるＳＯＩ基板１において、低コスト化を図る。例文帳に追加

To reduce costs in an SOI substrate 1 which uses so-called smart cutting to obtain a single crystal silicon thin film by implanting hydrogen ions into a single crystal silicon piece 6, sticking the single crystal silicon piece 6 onto a substrate 2 and then performing heat treatment to embrittle hydrogen on the surface where the hydrogen ions are implanted. - 特許庁

単結晶シリコン片６内に水素イオンを打込み、その単結晶シリコン片６を基板２に貼合わせた後、熱処理することで、前記水素イオンの打込み面で水素脆化させて単結晶シリコン薄膜を得るようにした、いわゆるスマートカット法を用いるＳＯＩ基板１において、低コスト化を図る。例文帳に追加

To attain cost reduction in an SOI substrate 1 using, so-called a smart cut method, constituted so as to perform hydrogen embrittlement on an implantation surface of hydrogen ion to obtain a single-crystal silicon thin film by implanting the hydrogen ion in a single-crystal silicon strip 6, and performing heat treatment after having stuck the single-crystal silicon strip 6 to a substrate 2. - 特許庁

本発明の方法は、以下の素子領域、すなわちコレクタ領域、サブコレクタ領域、外部ベース領域、およびコレクタ−ベース接合領域の１つへの、炭素、Ｃのイオン打込みを含む。例文帳に追加

The present method includes ion implantation of carbon C into one of the following element regions i.e. a collector region, subcollector region, external base region, and collector-base junction region. - 特許庁

また、半導体基板をエッチングしてトレンチゲートの導体層の上面を半導体基板の主面と同等若しくはそれよりも高く形成した後、チャネル領域及びソース領域をイオン打込みで形成する。例文帳に追加

Moreover, the top of the conductor layer of the trench gate 4 is made equal to or slightly higher than the main face of the semiconductor substrate by etching the semiconductor substrate, and then a channel region and a source region are formed through ion implantation. - 特許庁

固体材料のＴＥＭ ＦＩＢ試料は、汚染および破壊されることなく、後続処理のステップのイオンビームを用いた試料表面の交互の側での打込みによって、非常に薄くされる。例文帳に追加

This TEM FIB sample of a solid material is made very thin by irradiation of a sample surface alternately on its both sides with an ion beam in a step of a post-treatment, without being contaminated and destructed. - 特許庁