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イオン注入されたの英語
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英訳・英語 ion-implantated
「イオン注入された」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1377件
注入部１３には、例えばＣｅイオンがイオン注入によって注入される。例文帳に追加
Ce ion, for example, is implanted into the implanted part 13 by ion implantation. - 特許庁
また、注入イオンは炭素イオン、フッ素イオンまたは塩素イオンのいずれかにより構成されている。例文帳に追加
Alternatively, the injection ion is constituted of one of a carbon ion, a fluoride ion and a chloride ion. - 特許庁
ダミーウエハを使用せずにイオン注入可能なイオン注入装置、及びこれを用いてイオン注入されたウエハを低コストで提供する。例文帳に追加
To provide an ion implanting device without using a dummy wafer, and a wafer ion-implanted using the same inexpensively. - 特許庁
イオン注入工程では、注入阻止層が形成された炭化珪素基板に注入阻止層をマスクとしてイオンを注入する。例文帳に追加
In the ion implantation process, the ions are implanted to the silicon carbide substrate where the implantation inhibition layer is formed with the implantation inhibition layer as the mask. - 特許庁
注入阻止層除去工程では、イオン注入工程においてイオンが注入された炭化珪素基板から注入阻止層を除去する。例文帳に追加
In the implantation inhibition layer removing process, the implantation inhibition layer is removed from the silicon carbide substrate to which the ions are implanted in the ion implantation process. - 特許庁
イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。例文帳に追加
The ion implantation step implants ions into the thin film processed into the prescribed shape. - 特許庁
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Weblio例文辞書での「イオン注入された」に類似した例文 |
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イオン注入された
an ion with a positive charge
an ion with an electric charge of 1
of or relating to or characteristic of thermions
spectroscope for obtaining a mass spectrum by deflecting ions into a thin slit and measuring the ion current with an electrometer
the condition of being dissociated into ions (as by heat or radiation or chemical reaction or electrical discharge)
a combining of charges or transfer of electrons in a gas that results in the neutralization of ions
an ionic compound that resists changes in its pH
a serial arrangement of metallic elements or ions according to their electrode potentials determined under specified conditions
electron that is not attached to an atom or ion or molecule but is free to move under the influence of an electric field
a high-speed flow of positive ions, which flow from the anode to the cathode in a vacuum discharge tube, called canal ray
「イオン注入された」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1377件
イオンビームをリフレクター５側を通過させイオン注入を行う。例文帳に追加
Then the ion beam is forced to pass in the reflector 5 and ion implantation is performed. - 特許庁
第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。例文帳に追加
A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'. - 特許庁
本イオン注入装置は、被イオン注入基板Ｗを保持する基板保持部２２を内部に備えたイオン注入室を有し、イオン注入室にイオンビームを導いて、基板保持部に保持された基板にイオンを注入する装置である。例文帳に追加
This ion implantation apparatus has an ion implantation chamber in which a substrate support 22 for supporting nonionic implantation plate W is provided, and leads an ion beam into the ion implantation chamber and implants ions into the substrate supported by the substrate support. - 特許庁
このイオン注入方法によれば、まず、注入しようとする不純物イオンの全体ドーズの一部である第１ドーズの不純物イオンを、垂直イオン注入により注入し（５２０）、続いて、全体ドーズから第１ドーズを除外した残りドーズの不純物イオンをチルトイオン注入する（５３０）。例文帳に追加
In the ion implanting method, contaminant ions of first dose as a part of whole dose of the contaminant ions planed to be implanted is implanted by a perpendicular ion implantation (520), and contaminant ions of remaining dose formed by removing the first dose from the whole dose is processed in the tilt ion implantation (530). - 特許庁
イオン注入装置と注入された特性測定部とを備えるイオン注入システムにおいて、ウェハ２０面内の特性を均一にする。例文帳に追加
To provide an ion injection system that equalizes characteristics within the surface of a wafer 20, in an ion injection system provided with an ion injection device and injected characteristic measuring part. - 特許庁
これにより、イオン注入面からｈ≒１００ｎｍ前後の深さの一帯に、イオン濃度が局所的に高いイオン注入層が形成される。例文帳に追加
Thereby, an ion injected layer having locally high ionic concentration is formed over an area to a depth (h) of about 100 nm from the ion injected surface. - 特許庁
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