インジウム原子の英語

インジウム−ゲルマニウム系蒸着ターゲットにおいて、該ゲルマニウムの含有量をゲルマニウム量とインジウム量の合計量に対して２〜１２原子％の範囲とし、インジウム−ゲルマニウム複合酸化物相の平均結晶粒径を３０ミクロン以下とする。例文帳に追加

In an indium-germanium vapor depositing target, the content of germanium is controlled to the range of 2 to 12 atomic % to the total content of germanium and indium, and the average crystal grain size of indium- germanium multiple oxide phases 1 is controlled to ≤30 micron. - 特許庁

本発明に係る透明導電膜（画素電極９）は、インジウム錫酸化物を主成分とし、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度が異なる複数の部位（第１の導電層９ａ、第２の導電層９ｂ）を有している。例文帳に追加

The transparent conductive film (pixel electrode 9) has indium tin oxide as a principal component and has a plurality of portions (a first conductive layer 9a, a second conductive layer 9b) having different tin concentration which is a ratio of tin atomic number against the total atomic number of indium atom and tin atom. - 特許庁

アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。例文帳に追加

A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and one or more group-III atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises lithium, copper, silver, or gold as an additive. - 特許庁

導電性無機酸化物粒子は、例えば、酸化インジウムと、前記酸化インジウムに添加されたスズ、亜鉛およびアルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の原子とを含む。例文帳に追加

The conductive inorganic oxide particle contains, for example indium oxide, and at least one kind of atom selected from a group of tin added to the indium oxide, zinc, and aluminum. - 特許庁

インジウムとモリブデンと酸素とからなる焼結体であり、モリブデンがインジウムに対して原子数比で０．００３〜０．２０の割合で存在し、焼結体相対密度が９０％以上のものである。例文帳に追加

This target is a sintered body consisting of indium and molybdenum, in which molybdenum exists at the rate of 0.003-0.20 by atomic ratio against indium, and of which the relative density of the sintered body is 90% or more. - 特許庁

タングステンを固溶したインジウム酸化物を含有し、タングステンがインジウムに対する原子数比で０．００１以上０．０３４以下含まれ、密度が４．０ｇ／ｃｍ^3以上６．５ｇ／ｃｍ^3以下である酸化物焼結体とする。例文帳に追加

The oxide sintered compact contains an indium oxide formed by solutionizing tungsten, in which the tungsten is contained at ≥0.001 to ≤0.034 in the ratio of tungsten atoms to indium, and the density is ≥4.0 to ≤6.5 g/cm^3. - 特許庁

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。例文帳に追加

The thin film transistor uses an oxide thin film in which gallium is dissolved in indium oxide as a solid solution; the atomic ratio Ga/(Ga+In) is 0.001 to 0.12; the content of indium and gallium to the whole metal atom is ≥80 atom%; and the oxide thin film has a bixbyite structure of In_2O_3. - 特許庁

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．０５〜０．０８であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有することを特徴とする酸化物焼結体。例文帳に追加

An oxide sintered body is characterized in that gallium is solid-solved in indium oxide, the atomic ratio of Ga/(Ga+In) is 0.05-0.08, the content ratio of indium and gallium to the total metal atoms is ≥80 atom%, and the oxide sintered body has an In_2O_3 bixbyite structure. - 特許庁