ウォールの相関の英語

ゲート長及びオフセットサイドウォール長のそれぞれの設計値からのズレ量と、トランジスタの特性を設計値に設定するためのソース／ドレイン・エクステンション領域のドーズ量との相関関係を予め求めておく。例文帳に追加

A correlation between a shift amount from each of design values of a gate length and an offset side wall length and a dosage of a source/drain extension region to set transistor characteristics as design values is determined in advance. - 特許庁

ゲート長及びオフセットサイドウォール長を実測した後、ゲート長及びオフセットサイドウォール長のそれぞれの実測値の設計値からのズレ量、並びに前記相関関係に基づいて、ソース／ドレイン・エクステンション領域のドーズ量を、トランジスタの特性の設計値からのズレ量が所定の範囲内に収まるように調整する。例文帳に追加

After the gate length and the offset side wall length are actually measured, on the basis of the shift amounts of the actual measurement values of the gate length and the offset side wall length from the design values thereof and the predetermined correlation, the dosage of the source/drain extension region is adjusted so that the shift amounts of the transistor characteristics from the design values are within a predetermined range. - 特許庁