エッチング針の英語

チップネックの幅を一定にエッチングすることによって、チップの高さが一定である半導体探針を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor probe whose chip has a constant height by etching so that a chip neck has a constant width. - 特許庁

気相エッチング工程Ｐ４において気相エッチングが施されると、その気相エッチングはコンタクト層２６およびＡｌについて中間的な割合を有する中間層２４を通過してウインドウ層２２に到達するので、十分な高さで高アスペクト比の多数の針山状の微小突起４０が得られて、高い光取り出し効率が得られる。例文帳に追加

When gas phase etching is performed in a gas phase etching process P4, since the gas etching passes through the contact layer 26 and the intermediate layer 24 having the intermediate ratio for Al to reach the window layer 22, many pincushion-like minute projections 40 with sufficient height and high aspect ratio are obtained, and the high light extraction efficiency is obtained. - 特許庁

ストッパパターン上とこれに隣接したストッパパターン外にエッチングパターンを設け、探針でこれらのエッチパターンの深さを計測・比較することによって、オーバーエッチ量を計測し、エッチングの条件だし、条件のモニターに用いる。例文帳に追加

An etching pattern is provided on a stopper pattern and a region that is adjacent to and outside the stopper pattern, the depths of the etching patterns provided to the stopper pattern and the region respectively are measured with a probe and compared with each other to measure the amount of overetching, and the etching conditions are specified and monitored by the use of the amount of over etching. - 特許庁

本発明の構成によれば、等方性エッチング処理による全面エッチングを行うことにより、島状構造体を針状に形状調整すると同時に異物の除去を行うため、レジストなどの異物が残留しにくいという効果を奏する。例文帳に追加

By this constitution, since whole surface etching is performed by isotropic etching processing not only to adjust the island-like structure to a needle-like shape but also to remove the foreign matter, an effect of hardly leaving foreign matter such as a resist or the like is brought about. - 特許庁

それによって、エッチング工程において、帯電した酸化膜１３の表面で跳ね返されたエッチングイオンを可動部２０の裏面側に当てたとしても、可動部２０の裏面側には針状の突起が形成されず、可動部２０と酸化膜１３とのスティッキングを抑制することができる。例文帳に追加

In this way, in an etching process, even if the etching ions repelled on the surface of a charged oxide film 13 collide with the rear surface of the portion 20, needle-like projections can be prevented from being formed on the rear surface of the portion 20, and the sticking between the section 20 and the film 13 can be suppressed. - 特許庁

このポリイミド樹脂２０１上に針状突起物５０１を形成できるドライエッチング条件は、ドライエッチング装置の反応ガスにフッ素系ガスを使用しないことおよび、酸素ガス流量に対するアルゴンガス流量比を２０％以下にすることが重要である。例文帳に追加

It is important for a dry etching condition, which can form the needlelike projection 501 on the polyimide resin 201, not to use fluorine system gas for a reactant gas of a dry etching system, and to make a ratio of argon gas flowing rate with respect to that of oxygen gas be 20% or less. - 特許庁

黒欠陥修正の場合も同様に、走査プローブ顕微鏡の探針から液体状のエッチング原料をＤｉｐ−Ｐｅｎ Ｎａｎｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙと同様な方法で黒欠陥領域上のみに供給し、イオンビームや電子ビームを供給してエッチングを行い黒欠陥を修正する。例文帳に追加

Similarly in correcting a black defect, an etching source material in a liquid state is supplied from the probe of a scanning probe microscope onto only the black defect region by a similar method to Dip-Pen Nanolithography, and an ion beam or an electron beam is supplied to etch to correct the black defect. - 特許庁

針状体製造方法は、単結晶シリコン基板１０に針状体形状１１を形成し、針状体形状が形成された単結晶シリコン基板に結晶異方性ウェットエッチング処理を施す。例文帳に追加

The method of manufacturing the needle-shaped material includes the steps of forming a needle shape 11 on a monocrystal silicon substrate 10 and crystal-anisotropic-wet-etching the silicon substrate having the needle shape formed. - 特許庁