エミッタ接地の英語

第１のエミッタ接地アンプが、高域の周波数でゲインを上げ、第２のエミッタ接地アンプが、高域の周波数でゲインを下げ、混合回路１８が、第１のエミッタ接地アンプ、および第２のエミッタ接地アンプの出力を混合比可変に混合する。例文帳に追加

The 1st grounded emitter amplifier increases the gain at a high frequency, the 2nd grounded emitter amplifier decreases the gain at the high frequency and the mixer circuit 18 mixes the output of the 1st grounded emitter amplifier and the output of the 2nd grounded emitter amplifier with a variable mixing ratio. - 特許庁

高域の周波数でゲインを上げる第１のエミッタ接地アンプと、高域の周波数でゲインを下げる第２のエミッタ接地アンプと、第１のエミッタ接地アンプ、および第２のエミッタ接地アンプの出力を混合比可変に混合する混合回路１８と、備えている。例文帳に追加

The waveform correction circuit is provided with a 1st grounded emitter amplifier that increases a gain at a high frequency, a 2nd grounded emitter amplifier that decreases the gain at a high frequency, and a mixer circuit 18 that mixes an output of the 1st grounded emitter amplifier and the output of the 2nd grounded emitter amplifier at a variable mixing rate. - 特許庁

各ＨＢＴ４０のエミッタは、並列接続された第１のエミッタバラスト抵抗体４１及び第２のエミッタバラスト抵抗体４２を介して、エミッタ（接地）端子３にそれぞれ接続される。例文帳に追加

The emitter of each HBT (heterojunction bipolar transistor) 40 is connected to an emitter (ground) terminal 3 via a first emitter ballast resistance 41 and a second emitter ballast resistance 42 connected in parallel. - 特許庁

また、必要に応じて第１の接地電極、エミッタ、第２の接地電極をダクト内に配置する。例文帳に追加

The first ground electrode, the emitter and the second ground electrode may be mounted in a duct when necessary. - 特許庁

そして、エミッタ電極４を、エミッタ電極４ａ〜４ｄに分割し、これら分割したエミッタ電極４ａ〜４ｄ各々を、それぞれボンディングワイヤ（インダクタンス素子）１２ａ〜１２ｄを介して接地導体９に接地する。例文帳に追加

Then each emitter electrode 4 is split into emitter electrodes 4a-4d and each of the division emitter electrodes 4a-4d is grounded to a ground conductor 9 via bonding wires (inductive elements) 12a-12d. - 特許庁

好適な実施形態では、増幅器80は、ベース電極に入力抵抗83が接続され、コレクタ電極にＶccが印加され、エミッタ電極がエミッタ抵抗を介して接地されたトランジスタ84を有するエミッタフォロワ増幅器である。例文帳に追加

In a preferred embodiment, the amplifier 80 is an emitter follower amplifier with a transistor 84, in which the input resistor 83 is connected to a base electrode, Vcc is applied to the collector electrode, and the emitter electrode is grounded via an emitter resistor. - 特許庁

トランジスタＱ１がエミッタ接地、トランジスタＱ２がエミッタフォロアとなっており、抵抗Ｒ１、Ｒ２が直流的にはトランジスタＱ１の負荷になるとともに、トランジスタＱ２のエミッタ抵抗となっている。例文帳に追加

The high frequency mixer circuit employs a common emitter transistor(TR) Q1 and an emitter follower TR Q2, resistors R1, R2 are a load of the TR Q1 in terms of DC and act like an emitter resistor of the TR Q2. - 特許庁

ｎｐｎ型トランジスタ２２のコレクタがカソード１１１に接続され、エミッタは、接地されている。例文帳に追加

The collector of the transistor 22 is connected to a cathode 111 and the emitter is grounded. - 特許庁