カタリの英語

シリコン基板１上にカタリスト材料層となるＮｉ薄膜３を５ｎｍ蒸着する（図１（ａ））。例文帳に追加

An Ni thin film 3 of 5 nm that serves as a catalyst material layer is deposited on a silicon substrate 1 (Fig.1(a)). - 特許庁

先ず、図１（ａ）で示すように、Ｓｉ基板１上にカタリスト材料層となるＮｉ薄膜２を蒸着する。例文帳に追加

As shown in figure 1(a), an Ni thin film 2 as a catalyst material layer is first evaporated on an Si substrate 1. - 特許庁

光誘発熱現像性フィルムであって：第一の屈折率を有するポリマーマトリックスと；前記ポリマーマトリックスと相溶性があり、前記第一の屈折率と異なる第二の屈折率を有する少なくとも１種のモノマーと；プロカタリストと；コカタリストとを含み、前記コカタリストは、化学線の照射に伴い、前記プロカタリストを潜在活性形態に変換し、前記潜在活性形態は、第一の温度での加熱に伴い、活性形態に変換する光誘発熱現像性フィルム。例文帳に追加

A photo-induced thermal development film includes: a polymer matrix having a first refractive index; at least one monomer compatible with the polymer matrix and having a second refractive index different from the first refractive index; a procatalyst; and a cocatalyst, wherein the cocatalyst converts the procatalyst to a latently active form upon exposure to actinic radiation, and the latently active form is convertible to an active form upon heating at a first temperature. - 特許庁

カタリティックＣＶＤ法は加熱体、好ましくは原料の分解触媒である加熱されたカタライザーで原料ガスを分解するＣＶＤ法である。例文帳に追加

The catalytic CVD method is a CVD method of resolving materials gas by a heating object, desirably a heated catalyzer which is a catalyst for resolving materials. - 特許庁

また、本発明のIII族窒化物半導体素子の製造方法は、基板あるいはIII族窒化物半導体結晶上に形成するＳｉＮ_ｘ膜をカタリティックＣＶＤ法で作製したものである。例文帳に追加

In the method of manufacturing the group III nitride semiconductor device according to the present invention, an SiN_x film formed on the substrate or the group III nitride semiconductor crystal is made by a catalytic CVD method. - 特許庁

これによって、ナノコラムの位置や柱径を制御可能であるというカタリストを用いる利点を生かしながら、高品質なナノコラムを、高いスループットで安価に成長させることができる。例文帳に追加

Accordingly, by taking advantage of a merit of using the catalyst, that is, a merit that a position and a column diameter of the nanocolumn can be controlled, a high quality nanocolumn can be grown with a high throughput at low cost. - 特許庁

したがって、該カタリスト材料膜１２の形成後、成長基板１１を大気に暴露することなく、ＭＯＣＶＤ装置やＭＢＥ装置などに搬入して、ナノコラムを成長させることができる。例文帳に追加

Therefore, after formation of the catalyst material film 12, the growth substrate 11 can be transferred into an MOCVD apparatus or an MBE apparatus or the like without being exposed in an atmosphere to grow the nanocolumn. - 特許庁

（１００）スピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置にセッティングし、その上にノンドープＧａＮ薄膜２を形成し（図１（ａ））、抵抗加熱蒸着によって、カタリスト材料層となるＦｅ薄膜３を５ｎｍ蒸着する（図１（ｂ））。例文帳に追加

A (100) spinnel substrate 1 is set on an MOCVD device, a GaN thin film 2 is formed thereon (Fig. 1(a)), and an Fe thin film 3 as a catalyst material layer is evaporated at 5 nm by resistive heat evaporation (Fig. 1(b)). - 特許庁