カーバイドかすの英語

カーバイドのかすだめ例文帳に追加

Sludge Pit of Carbide発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

五　カーバイドのかすだめの構造及び容積例文帳に追加

(v) Structure and capacity of the sludge pit of carbide発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

金属部材の表面に、タングステン、タングステンカーバイド、シリコンカーバイド及びチタンカーバイドから成る群から選択される金属及び／又は金属カーバイドを含む過酸化水素溶液を接触させ、前記金属部材表面を対応する金属酸化物に変換し酸化膜３３を形成する。例文帳に追加

The surface of a metal member is brought into contact with a hydrogen peroxide solution containing metal and/or metal carbide selected from the group consisting of tungsten, tungsten carbide, silicon carbide and titanium carbide, the surface of the metal member is converted into corresponding metal oxide, so as to form an oxide film 33. - 特許庁

単結晶シリコンカーバイドを、テラヘルツ波帯の電磁波を透過する窓部材に用いる。例文帳に追加

Single crystal silicon carbide is used in the window member permitting the electromagnetic wave of the terahertz waveband to transmit. - 特許庁

八　カーバイドのかすは、ガスによる危険がなくなるまでかすだめに入れる等安全に処置すること。例文帳に追加

(viii) To dispose carbide sludge in a safe manner such as keeping it in a sludge pit until the danger due to gas is removed.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

本発明のエッチング方法は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてＸｅ_2^*エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする。例文帳に追加

The etching method comprises forming a thin liq. layer contg. hydrofluoric acid between a silicon carbide substrate and a sapphire glass window member, and irradiating the silicon carbide substrate with an Xe2* excimer lamp beam and an ArF laser beam from the sapphire glass window member, thereby removing at least a part of the surface of the silicon carbide substrate. - 特許庁

光学素材をプレスすることにより光学素子を成形する光学素子の成形用金型であって、タングステンカーバイドを、金属バインダーを添加することなしに焼結して、この焼結されたタングステンカーバイド焼結体により金型本体を構成し、前記タングステンカーバイドの粒径を１００ｎｍ以下に設定することを特徴とする。例文帳に追加

This forming die of an optical element is for forming an optical element by pressing an optical material, and the die body is constituted of a tungsten carbide sintered body obtained by sintering tungsten carbide without adding a metallic binder, where the particle diameter of the tungsten carbide is set to ≤100 nm. - 特許庁