ケイ素の同位体の英語

ケイ素の同位体を分離する方法例文帳に追加

METHOD FOR SEPARATION OF SILICON ISOTOPES - 特許庁

同位体的に濃縮したケイ素を用いたデバイスおよびその製造のための処理方法例文帳に追加

DEVICE USING ISOTOPICALLY CONCENTRATED SILICON AND PROCESSING METHOD OF THE MANUFACTURE - 特許庁

工業規模での生産性向上が見込めるケイ素の同位体分離方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for the separation of silicon isotopes which can be expected to improve the productivity in an industrial scale. - 特許庁

赤外多光子分解に基づく炭素及びケイ素の同位体の分離・濃縮に用いられる有効物質例文帳に追加

EFFECTIVE SUBSTANCE USED FOR SEPARATION AND CONCENTRATION OF ISOTOPE OF CARBON AND SILICON BASED ON INFRARED MULTIPLE-PHOTON DECOMPOSITION - 特許庁

レーザ同位体分離法において逆反応や副反応を抑制して同位体濃縮率を向上させることであり、特にケイ素について従来より同位体シフトが大きい材料を利用してより容易に濃縮率の高い同位体分離を行えるようにする。例文帳に追加

To enhance the concentration ratio of an isotope by suppressing an inverse reaction or side reaction in a laser isotope separation method and to more easily separate the isotope in a high concentration ratio by utilizing a material large in isotope shift than before especially with respect to silicon. - 特許庁

本方法は、基礎的基板の上に同位体的に濃縮したケイ素からなる第１のドープ済み層を形成する工程と、この第１のドープ済み層の上に同位体的に濃縮した半導体材料ケイ素からなる第２の層を形成する工程と、この第２の層上に能動デバイスを製作する工程と、を含む。例文帳に追加

The method includes a process for forming a first doped layer comprising an isotopically concentrated silicon on a basic substrate, a process for forming a second layer comprising an isotopically concentrated semiconductor material silicon on the first doped layer and a process for preparing a positive device on the second layer. - 特許庁

炭酸ガスレーザーの照射によって誘起される同位体選択的な赤外多光子分解を用いて、２つの元素、すなわち炭素及びケイ素の同位体を高選択性かつ高収量で分離・濃縮することが出来る有効な物質を探索する。例文帳に追加

To research for an effective substance capable of separating and concentrating two elements, or carbon and silicon, with a high selectivity and in high yield, by using isotope-selective infrared multiple-photon decomposition induced by irradiation of carbon dioxide gas laser. - 特許庁