ゲッタリング源の英語

ＳＯＩ層と絶縁体層（酸化膜）の界面にゲッタリング源を形成させる貼合せＳＯＩウェーハの製造方法及びこの方法により製造されたＳＯＩウェーハを提供する。例文帳に追加

To provide a laminating SOI wafer manufacturing method for forming a gettering source at an interface between an SOI layer and an insulating layer (an oxide film), and an SOI wafer manufactured by this method. - 特許庁

表面には十分な厚さのＤＺが形成され、このＤＺに近接してゲッタリング源となる高密度の酸素析出物が生じ、かつ内部には酸素析出物が少ないウェーハを安定して得るための急速昇降温熱処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for heat treating at quickly rising/falling temperature for stably obtaining a wafer having little oxygen deposit therein while having the high concentration oxygen deposits to become a gettering source adjacent to a DZ formed in a sufficient thickness on the surface. - 特許庁

アニールウェーハにとって必要不可欠なウェーハ表面におけるＳＳＤ（表面の非常に幅広く、浅い形状の凹状欠陥；Surface Shallow Defect）以外のボイド欠陥の低減や、バルク内のゲッタリング源としてのＢＭＤ（バルク微細欠陥；Bulk micro defect）の生成を保証しつつ、ＳＳＤを確実に低減させるようにして、アニールウェーハの品質を安定させる。例文帳に追加

To stabilize the quality of an annealed wafer by reliably decreasing SSDs (surface shallow defects which are recessed defects of an extremely wide and shallow shape on the surface), while ensuring generation of void defects other than the SSDs and generation of BMDs (bulk micro defects) indispensable as a gettering source in the bulk. - 特許庁