ゲートスタックの英語

前記ゲートスタックの一側壁にアラインされて、前記半導体基板にソース領域が形成されており、前記ゲートスタックの他側壁にアラインされて、前記半導体基板にドレイン領域が形成されている。例文帳に追加

A source region is formed in the semiconductor substrate in alignment with one sidewall of the gate stack, and a drain region is formed in the semiconductor substrate in alignment with the other sidewall of the gate stack. - 特許庁

素子分離膜１０２の形成された半導体基板１００にゲートスタックを形成し、ゲートスタックの形成された半導体基板の全面にゲートスペーサ１１０’形成のための絶縁膜を形成する。例文帳に追加

A gate stack is formed on a semiconductor substrate 100 where an element isolation film 102 is formed, and an insulating film used for the formation of a gate spacer 110' is formed over the entire surface of the semiconductor substrate, where the gate stack has been formed. - 特許庁

本発明は、半導体基板上にゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法であって、ゲートスタックのＶ_Ｔ値を容易に調整することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a gate stack of a gate dielectric layer and a gate electrode on a semiconductor substrate, wherein the V_T value of the gate stack can be easily adjusted. - 特許庁

本発明は、ＨｆＯ_２層をゲート絶縁膜とするゲートスタックにおいて、界面にＳｉＯ_２層が形成されない極薄の等価酸化膜厚を持ったhigher-kゲートスタックを実現することを課題とする。例文帳に追加

To achieve a higher-k gate stack having an extremely thin equivalent oxide film thickness on the boundary surface where an SiO_2 is not formed, in a gate stack having an HfO_2 layer as a gate insulating film. - 特許庁

本発明による強誘電体メモリトランジスタは、ソース領域、ゲート領域およびドレイン領域を有する基板と、ゲート領域上に位置するゲートスタックと、基板とゲートスタック上に位置するパッシベーション酸化物層と、ソース領域、ドレイン領域およびゲートスタックそれぞれへのコンタクトを形成するためのメタライゼーションとを備える。例文帳に追加

This ferroelectric memory transistor comprises a substrate including a source region, a gate region and a drain region, a gate stack arranged on the gate region, passivation oxide layers arranged on the substrate and the gate stack, and metallized parts for having each contact with the source/drain regions and the gate stack. - 特許庁

半導体デバイスのゲートスタックの下部に薄いシリコンゲルマニウム伝導チャネルを形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a thin silicon germanium conducting channel under the gate stack of a semiconductor device. - 特許庁

ドーピング方法は、フィンを基板にパターニングする工程と、ゲートスタックを堆積する工程と、フィンをドーピングする工程を含む。例文帳に追加

The doping method includes a process for patterning a fin in a substrate, a step for depositing a gate stack, and a process for doping the fin. - 特許庁

第１ＭＯＳＦＥＴの第１ゲートスタック１０９は第１領域の露出した半導体層上に形成される。例文帳に追加

A first gate stack 109 of the first MOSFET is formed on the exposed semiconductor layer in the first region. - 特許庁